N型单面Poly沉积TOPCon电池

科技成果来源：嘉兴科技成果库;
地区：浙江-嘉兴;
科技成果名称：N型单面Poly沉积TOPCon电池
成果发布时间：2024-01-15
地区：浙江省-嘉兴市
成果单位及地址：
1 正泰新能科技股份有限公司 浙江省嘉兴市海宁市尖山新区吉盛路1号
成果完成人（完成单位）及参与情况：
1 马玉超 正泰新能科技股份有限公司 项目负责人
2 蔡永梅 正泰新能科技股份有限公司 技术开发
3 余浩 正泰新能科技股份有限公司 技术开发
4 胡党平 正泰新能科技股份有限公司 技术开发
5 许坤 正泰新能科技股份有限公司 技术开发
6 张一凡 正泰新能科技股份有限公司 技术开发
7 陈浩 正泰新能科技股份有限公司 技术开发
8 杜振星 正泰新能科技股份有限公司 技术开发
9 李红博 正泰新能科技股份有限公司 技术开发
技术领先度：国内领先
成果介绍：
TopCon(Tunnel Oxide Passivated Contact,隧穿氧化层钝化接触)为德国Fraunhofer太阳能研究所开发出的技术，理论最高效率为28.2%-28.7%，目前最高实验效率25.7%，为单一电池技术最高实验效率。N型电池具有光电转化效率高，双面率高，无衰减，温度系数低等优点，近些年受到国内外诸多厂家关注和研究；在TOPCon电池技术上开发单面Poly沉积技术，对于提升电池效率提升产品竞争力具有重要意义。尽管Topcon电池有上述优势，Topcon电池在大规模量产方向上，仍存在本征多晶硅路线也面临着去绕镀过刻的问题，目前普遍采用双面沉积多晶硅技术，导致多晶硅沉积工艺时间长，产能低，并且成本较高；Topcon电池面临的这一问题，已成为阻碍该类型电池大规模量产的主要因素。因此，设计出一种N型单面Poly沉积TOPCon电池是非常有必要的。 对此，项目组拟对N型单面Poly沉积TOPCon电池进行研发，从超薄层氧化层均匀性生长技术、低温磷扩工艺技术、去绕镀技术、Poly沉积纳米晶硅nc-Si替换技术、TOPCon电池阻挡层结构技术、TOPCon电池低成本金属电极制作技术，研发的N型单面Poly沉积TOPCon电池，制备单面Poly膜层，优化当前去绕镀工艺，通过调整去BSG及去绕镀溶液浓度，搭配添加剂调试，实现去绕镀无过刻，效率高良率好。
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