填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用

科技成果来源：新余科技成果库;
地区：江西-新余;
科技成果名称：填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用
成果成熟度/阶段：可以量产
成果专利情况：发明专利
专利号：200910151827.1
成果情况介绍：
本发明涉及一种填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用，具体方法是将硅粉冷等静压或热等静压成填装性能良好的原料硅块后，放入单晶炉或多晶炉中，用于硅晶体生长的初始原料；本发明涉及的该原料硅块的抗压参数为0.1-50MPa，该原料硅块的纯度为99.99％-99.9999999％。该原料硅块可以在太阳能领域或半导体领域的单晶炉或多晶炉中融熔作为原料硅使用，用于生产晶体硅棒或硅锭；该原料硅块的一个用途是作为生产太阳能电池成品硅片的初始原料用。该填装性能良好的原料硅块有良好抗氧化性能和抗压性能，不容易崩裂、断裂，也不容易从表面脱落硅粉。
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