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磁光薄膜、光隔离器以及制造磁光薄膜的方法

更新时间:2024-07-01
磁光薄膜、光隔离器以及制造磁光薄膜的方法 专利申请类型:实用新型专利;
地区:广东-深圳;
源自:深圳高价值专利检索信息库;

专利名称:磁光薄膜、光隔离器以及制造磁光薄膜的方法

专利类型:实用新型专利

专利申请号:CN202111040113.0

专利申请(专利权)人:华为技术有限公司
权利人地址:广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

专利发明(设计)人:陈蓉,曹坤,熊英飞,金泽睿,周华俊,李浩华,张斌

专利摘要:本申请的实施例提供了一种磁光薄膜、光隔离器以及制造磁光薄膜的方法。该磁光薄膜包括:基底;设置在所述基底之上的扩散阻挡层,所述扩散阻挡层包含金属氧化物;设置在所述扩散阻挡层之上的缓冲层;以及设置在所述缓冲层之上的光隔离层。在这样的实施例中,由于在基底上生长的扩散阻挡层中的金属氧化物是多晶的,更有利于缓冲层在扩散阻挡层上形核,结晶性好。此外,由于金属氧化物具有较高的致密度和热稳定性,因而能够提供稳定可靠的扩散阻挡效果,进一步降低了磁光薄膜的光学损耗。

主权利要求:
1.一种磁光薄膜,其特征在于,包括:
基底;
设置在所述基底之上的扩散阻挡层,所述扩散阻挡层包含金属氧化物,所述扩散阻挡层的厚度在3nm与8nm之间的范围内;
设置在所述扩散阻挡层之上的缓冲层,所述缓冲层的厚度在90nm与110nm之间的范围内;以及设置在所述缓冲层之上的光隔离层。
2.根据权利要求1所述的磁光薄膜,其特征在于,所述金属氧化物包括氧化镁(MgO)和氧化锌(ZnO)中的至少一项。
3.根据权利要求1所述的磁光薄膜,其特征在于,所述基底包含以下至少一项:硅(Si)、绝缘体上硅(SOI)、以及氮化硅(SiN)。
4.根据权利要求1所述的磁光薄膜,其特征在于,所述缓冲层包含钇铁石榴石(YIG)。
5.根据权利要求4所述的磁光薄膜,其特征在于,所述光隔离层包含稀土掺杂的钇铁石榴石。
6.根据权利要求5所述的磁光薄膜,其特征在于,所述稀土掺杂的钇铁石榴石包括铈掺杂的钇铁石榴石(Ce:YIG)。
7.一种光隔离器,其特征在于,包括根据权利要求1至6中任一项所述的磁光薄膜。
8.一种制造磁光薄膜的方法,其特征在于,所述方法包括:步骤1:在基底上沉积扩散阻挡层,所述扩散阻挡层包含金属氧化物,所述扩散阻挡层的厚度在3nm与8nm之间的范围内;
步骤2:在所述扩散阻挡层上沉积包含钇铁石榴石(YIG)的缓冲层,所述缓冲层的厚度在90nm与110nm之间的范围内;
步骤3:将步骤2中得到的膜层放入沉积腔体中原位退火,通入气压为0.01Pa‑10Pa的氧气,升温至600‑800℃,保温3‑5分钟,自然冷却至室温;以及步骤4:将步骤3中得到的膜层置于650‑700℃,氧气气氛,氧气分压为0‑100mTorr,沉积包含铈掺杂的钇铁石榴石(Ce:YIG)的光隔离层,从而制得所述磁光薄膜。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述金属氧化物包括(MgO)和氧化锌(ZnO)中的至少一项。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述基底包含以下至少一项:硅(Si)、绝缘体上硅(SOI)、以及氮化硅(SiN)。 说明书 : 磁光薄膜、光隔离器以及制造磁光薄膜的方法技术领域[0001] 本申请的实施例涉及磁光薄膜材料技术领域,并且更具体地,涉及一种磁光薄膜、光隔离器以及制造磁光薄膜的方法。背景技术[0002] 光隔离器是一种能使得光向一个方向传输、而不能反向传输的光元件。例如,在将光隔离器设置在半导体激光器的出射端后,从激光器射出的光透过光隔离器,能够作为光通信用的光源。相反,要通过光隔离器向半导体激光器入射的光,则会被光隔离器阻止,无法入射到半导体激光器。如果半导体激光器的出射端不设置光隔离器,则反射回来的光会入射到半导体激光器中,导致半导体激光器的振荡特性恶化、输出强度产生变动(产生强度噪声)并且振荡波长发生变化(产生相位噪声)等。不仅是半导体激光器,对于光放大器等有源元件,不期望的光反向入射也会导致这些有源元件的工作特性退化。为此,需要在半导体激光器或者有源元件的输出端设置光隔离器,以避免半导体激光器或者有源元件产生上述不良现象。尤其是在将半导体激光器用作高速光纤通信用的光源时,光源的振荡稳定性是绝对条件,因此必须使用光隔离器。[0003] 钇铁石榴石(YIG)磁光材料具有较高的旋光系数、饱和磁化强度、较大的法拉第旋转角等,是目前光隔离器中用于实现光隔离功能的主要磁光材料。然而,由于YIG材料与硅基底之间存在较大的晶格失配和热失配等问题,使其难以与半导体芯片进行集成。为此,通3+过对YIG材料进行稀土元素掺杂(例如掺杂铈离子Ce ),能够进一步提升磁光性能,并且通过脉冲激光沉积技术,能够在基底上制备高质量的磁光薄膜,为器件集成化提供了良好的基础。然而,传统的磁光薄膜制备工艺存在结晶性差、步骤复杂等问题,导致磁光薄膜的光学损耗增大,阻碍了单片集成光隔离器的发展。发明内容[0004] 本申请的实施例提供了一种磁光薄膜、光隔离器以及制造磁光薄膜的方法,旨在解决常规磁光薄膜存在的上述问题以及其他潜在的问题。[0005] 根据本申请的第一方面,提供了一种磁光薄膜,包括:基底;设置在所述基底之上的扩散阻挡层,所述扩散阻挡层包含金属氧化物;设置在所述扩散阻挡层之上的缓冲层;以及设置在所述缓冲层之上的光隔离层。在这样的实施例中,由于在基底上生长的扩散阻挡层中的金属氧化物是多晶的,更有利于缓冲层在扩散阻挡层上形核,结晶性好。此外,由于金属氧化物具有较高的致密度和热稳定性,因而能够提供稳定可靠的扩散阻挡效果,进一步降低了磁光薄膜的光学损耗。[0006] 在一些实施例中,所述金属氧化物包括氧化镁(MgO)和氧化锌(ZnO)中的至少一项。在这样的实施例中,扩散阻挡层中的MgO和/或ZnO具有较高的致密度和热稳定性,因而能够提供稳定可靠的扩散阻挡效果,进一步降低了磁光薄膜的光学损耗。[0007] 在一些实施例中,所述扩散阻挡层层的厚度在10nm以下。[0008] 在一些实施例中,所述扩散阻挡层层的厚度在3nm与8nm之间的范围内。[0009] 在一些实施例中,所述基底包含以下至少一项:硅(Si)、绝缘体上硅(SOI)、以及氮化硅(SiN)。[0010] 在一些实施例中,所述缓冲层包含钇铁石榴石(YIG)。[0011] 在一些实施例中,所述缓冲层的厚度在90nm与110nm之间的范围内。[0012] 在一些实施例中,所述光隔离层包含稀土掺杂的钇铁石榴石。[0013] 在一些实施例中,所述稀土掺杂的钇铁石榴石包括铈掺杂的钇铁石榴石(Ce:YIG)。[0014] 根据本申请的第二方面,提供了一种光隔离器,包括根据本申请的第一方面的磁光薄膜。[0015] 根据本申请的第三方面,提供了一种制造磁光薄膜的方法,所述方法包括:步骤1:在基底上沉积扩散阻挡层,所述扩散阻挡层包含金属氧化物;步骤2:在所述扩散阻挡层上沉积包含钇铁石榴石(YIG)的缓冲层;步骤3:将步骤2中得到的膜层放入沉积腔体中原位退火,通入气压为0.01Pa‑10Pa的氧气,升温至600‑800℃,保温3‑5分钟,自然冷却至室温;以及步骤4:将步骤3中得到的膜层置于650‑700℃,氧气气氛,氧气分压为0‑100mTorr,沉积包含铈掺杂的钇铁石榴石(Ce:YIG)的光隔离层,从而制得所述磁光薄膜。[0016] 在一些实施例中,所述金属氧化物包括(MgO)和氧化锌(ZnO)中的至少一项。[0017] 在一些实施例中,所述扩散阻挡层的厚度在10nm以下。[0018] 在一些实施例中,所述扩散阻挡层的厚度在3nm与8nm之间的范围内。[0019] 在一些实施例中,所述基底包含以下至少一项:硅(Si)、绝缘体上硅(SOI)、以及氮化硅(SiN)。[0020] 在一些实施例中,所述缓冲层的厚度在90nm与110nm之间的范围内。[0021] 提供发明内容部分是为了简化的形式来介绍对概念的选择,它们在下文的具体实施方式中将被进一步描述。发明内容部分无意标识本申请内容的关键特征或主要特征,也无意限制本申请内容的范围。附图说明[0022] 通过参考附图阅读下文的详细描述,本申请的实施例的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中,以示例而非限制性的方式示出了本申请的若干实施例。[0023] 图1示出了本申请的一个实施例的磁光薄膜的示意图。[0024] 图2在X射线衍射(XRD)图谱中示出了不同厚度的扩散阻挡层对结晶性的影响。[0025] 图3示出了包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的法拉第旋转角与不包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的法拉第旋转角之间的比较。[0026] 图4示出了包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜在进行老化实验之前的法拉第旋转角与在进行老化实验之后的法拉第旋转角之间的比较。[0027] 图5示出了包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的透光率与不包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的透光率之间的比较。[0028] 图6示出了包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的折射率与不包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的折射率之间的比较,以及包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的消光系数与不包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的消光系数之间的比较。[0029] 图7示出了利用原子力显微镜捕捉到的YIG晶粒的表面形貌。[0030] 图8示出了利用原子力显微镜捕捉到的Ce:YIG的表面形貌。[0031] 在各个附图中,相同或对应的标号表示相同或对应的部分。具体实施方式[0032] 下面将结合附图,对本申请中的技术方案进行描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。[0033] 其中,在本申请实施例的描述中,除非另有说明,“/”表示或的意思,例如,A/B可以表示A或B;本文中的“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。[0034] 以下,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。[0035] 此外,本申请中,“中心”、“前”、“后”、“内”、“外”等方位术语是相对于附图中的部件示意放置的方位或位置来定义的,应当理解到,这些方向性术语是相对的概念,它们用于相对于的描述和澄清,而不是指示或暗示所指的装置或元器件必须具有的特定的方位、或以特定的方位构造和操作,其可以根据附图中部件所放置的方位的变化而相应地发生变化,因此不能理解为对本申请的限定。[0036] 还需说明的是,本申请实施例中以同一附图标记表示同一组成部分或同一零部件,对于本申请实施例中相同的零部件,图中可能仅以其中一个零件或部件为例标注了附图标记,应理解的是,对于其他相同的零件或部件,附图标记同样适用。[0037] 在以往的报道的两步沉积法中,采用YIG薄膜作为种子层制得的铈掺杂的钇铁石榴石(Ce:YIG)薄膜的光学损耗随着工艺的不同有着极大的变化,所得到的磁光材料损耗非常高,可能会高于20dB。直接在硅基底上沉积YIG/Ce:YIG薄膜主要存在以下问题:1)由于YIG种子层与硅基底直接接触,该种子层的磁光性能以及光学损耗均对整个器件的性能有较大的影响。目前,大多采用20纳米左右厚度的YIG薄膜作为Ce:YIG薄膜生长的种子层,不同生长工艺导致器件性能、损耗差距大。2)硅基底中硅元素在高温沉积过程中向YIG/Ce:YIG薄膜中扩散,最终形成杂相而导致磁光晶体结构不完整,磁光性能降低以及损耗增加。[0038] 因此,研究多晶Ce:YIG等磁光材料在硅基底上的集成工艺,研究材料的光学损耗机理和影响磁光性能的因素,对于提高材料磁光优值,发展低损耗硅基光隔离器非常重要。本申请通过在基底上沉积由金属氧化物层构成的扩散阻挡层,能够防止随后生长的YIG层以及Ce:YIG与基底相互扩散,从而降低光损耗,并且能够进一步提升YIG层的结晶性以及磁光薄膜的隔离性能。[0039] 图1示出了本申请的一个实施例的磁光薄膜100的示意图。如图1所示,在此描述的磁光薄膜100包括基底101,设置在基底101之上的扩散阻挡层102,设置在扩散阻挡层102之上的缓冲层103,以及设置在缓冲层103之上的光隔离层104。在图1所示的实施例中,基底101由硅制成,扩散阻挡层102由MgO制成,缓冲层103由YIG制成,并且光隔离层104由Ce:YIG制成。由Ce:YIG制成的光隔离层104用于通过磁光效应实现对光的隔离,使得光在基底104中仅能单向传输。由YIG制成的缓冲层103用于缓解Ce:YIG与基底101之间的晶格失配和热失配问题。由MgO制成的扩散阻挡层102用于阻止基底101与缓冲层103以及光隔离层104之间的相互扩散。[0040] 发明人发现,当采用诸如二氧化硅(SiO2)之类的非金属氧化物作为扩散阻挡层102时,由于SiO2是非晶的,因此YIG在SiO2层上的结晶性差,使得所得到的磁光薄膜仍然存在较高的光学损耗。此外,发明人通过实验发现,当采用MgO作为扩散阻挡层102时,由于所沉积的MgO是多晶的,更有利于YIG在扩散阻挡层102上形核,结晶性好,能够降低器件表面粗糙度,达到降低损耗的目的,同时提升了法拉第旋转角。此外,与SiO2相比,MgO具有更高的致密度和热稳定性,因而能够提供稳定可靠的扩散阻挡效果,进一步降低了磁光薄膜的光学损耗。[0041] 在一些实施例中,扩散阻挡层102的厚度可以在10nm以下,例如在3nm与8nm之间的范围内,诸如为3nm、6nm或8nm等。应当理解,在本申请的实施例中,扩散阻挡层102可以具有更大或更小的厚度,本申请的范围在此方面不做严格限定。[0042] 在一些实施例中,通过调控所沉积的缓冲层103中的YIG薄膜材料的厚度,可以实现YIG薄膜材料的损耗调节。发明人通过实验发现,当薄膜厚度太薄时,YIG薄膜结晶不完全,材料散射损耗较高,限制因子较小,所需器件长度也较长;当薄膜厚度较厚时,模式在YIG中的限制因子变大,从而导致波导的总损耗较高。发明人发现,当缓冲层103的厚度在90nm与110nm之间的范围内时,材料的散射损耗较低。[0043] 通过在基底101上沉积一层MgO作为扩散阻挡层102,能够阻止随后生长的YIG和Ce:YIG薄膜材料与基底101中的Si相互扩散,同时也不影响YIG和Ce:YIG材料的结晶性和器件的模场分布。此外,通过选择90‑110nm厚的包含YIG的缓冲层103,能够降低损耗。以此方3式,最终制备的磁光薄膜100能够达到最大的饱和磁化强度约为110emu/cm,在进行靶材的掺杂优化、靶材的制备工艺优化和薄膜制备工艺优化后,对于X=2掺杂浓度的靶材,其法拉第旋转角在4300°/cm左右。这对于提高材料磁光优值,发展低损耗硅基光隔离器件提供了极大的帮助。[0044] 在上文中,采用包括硅的基底101作为示例说明了本申请的原理。然而应当理解,在其他实施例中,基底101可以包括其他已知或未来可用的基底材料,诸如绝缘体上硅(SOI)或氮化硅(SiN)等。此外,基底101可以仅包括一种或同时包括多种基底材料。本申请的范围在这些方面不做严格限定。[0045] 在一些实施例中,替代MgO,扩散阻挡层102中的金属氧化物可以包括氧化锌(ZnO)。与MgO类似,由于所沉积的ZnO是多晶的,更有利于YIG在扩散阻挡层102上形核,结晶性好。此外,与SiO2相比,ZnO也具有更高的致密度和热稳定性,因而能够提供稳定可靠的扩散阻挡效果,进一步降低了磁光薄膜的光学损耗。[0046] 在一些实施例中,替代单独地使用MgO或ZnO,扩散阻挡层102中的金属氧化物可以包括MgO和ZnO二者,这同样有利于YIG在扩散阻挡层102上形核,并且能够提供稳定可靠的扩散阻挡效果,降低磁光薄膜的光学损耗。[0047] 应当理解,在本申请的实施例中,扩散阻挡层102可以包括具有高致密度和热稳定性的其他金属化合物。这同样有利于YIG在扩散阻挡层102上形核,并且能够提供稳定可靠的扩散阻挡效果,降低磁光薄膜的光学损耗。[0048] 在上文中,采用包括YIG的缓冲层103作为示例说明了本申请的原理。然而应当理解,在其他实施例中,缓冲层103可以包括其他已知或未来可用的缓冲层材料,本申请的范围在这些方面不做严格限定。[0049] 在上文中,采用包括Ce:YIG的光隔离层104作为示例说明了本申请的原理。然而应当理解,在其他实施例中,光隔离层104可以包括其他稀土掺杂的钇铁石榴石,本申请的范围在这些方面不做严格限定。[0050] 在本申请的实施例中描述的磁光薄膜100可以用在光隔离器中,以使得光隔离器中的光仅能沿单个方向传输。[0051] 在本申请的实施例中,还提供了一种制造磁光薄膜的方法,包括:步骤1:在基底上沉积扩散阻挡层,扩散阻挡层包含金属氧化物,例如MgO和/或ZnO,或其他材料,其作用是阻止基底与随后生长的YIG以及Ce:YIG之间的相互扩散,同时也不影响YIG和Ce:YIG材料的结晶性和器件的模场分布;步骤2:在扩散阻挡层上沉积包含YIG的缓冲层,其厚度例如在90nm与110nm之间的范围内;步骤3:将步骤2中得到的膜层放入沉积腔体中原位退火,通入气压为0.01Pa‑10Pa(例如0.01Pa、0.1Pa或10Pa)的氧气,升温至600‑800℃,保温3‑5分钟,自然冷却至室温;以及步骤4:将步骤3中得到的膜层置于650‑700℃,氧气气氛,氧气分压为0‑100mTorr,沉积包含Ce:YIG的光隔离层,从而制得磁光薄膜。[0052] 发明人通过实验发现,在步骤2中,当YIG薄膜材料的厚度太薄时,YIG薄膜结晶不完全,材料散射损耗较高,限制因子较小,所需器件长度也较长;当薄膜厚度较厚时,模式在YIG中的限制因子变大,从而导致波导的总损耗较高。发明人发现,当缓冲层103的厚度在90nm与110nm之间的范围内时,材料的散射损耗较低。[0053] 在步骤4中,采用不同氧分压制备的原因是,在低氧分压下Ce:YIG薄膜中Fe2+离子3+ 4+较多,材料损耗较高;在高氧分压下Ce:YIG薄膜中Ce 离子被氧化为Ce ,薄膜磁光效应下降,器件长度变长,损耗变高。[0054] 在本申请的实施例中,利用MgO等作为扩散阻挡层,一方面能够增强后续沉积薄膜的结晶性,另一方面能够减小热应力失配,防止因YIG和Ce:YIG应力失配而导致性能下降;缓冲层厚度对磁光薄膜的磁化强度没有太大影响,但是对达到饱和磁化强度所需的外磁场有较大影响。。[0055] 通过在基底上沉积一层MgO扩散阻挡层,能够阻止随后生长的YIG和Ce:YIG薄膜与基底的Si相互扩散,同时不影响YIG和Ce:YIG材料的结晶性和器件的模场分布。此外,通过选择90‑110nm厚的YIG薄膜,可以降低损耗。[0056] 在一些实施例中,扩散阻挡层的厚度在10nm以下。[0057] 在一些实施例中,扩散阻挡层的厚度在3nm与8nm之间的范围内。[0058] 在一些实施例中,基底包含以下至少一项:硅(Si)、绝缘体上硅(SOI)、以及氮化硅(SiN)。[0059] 图2在X射线衍射(XRD)图谱中示出了不同厚度的扩散阻挡层对结晶性的影响。如图2所示,当MgO扩散阻挡层的厚度从3nm向8nm增大时,衍射强度逐渐增强。当MgO扩散阻挡层的厚度为8nm时,衍射强度的峰最为纯净,其峰强较半峰宽较窄,说明此时YIG和Ce:YIG材料层的结晶性优良,此时材料的光学损耗低。[0060] 图3示出了包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的法拉第旋转角与不包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的法拉第旋转角之间的比较,其中曲线301指示不包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的法拉第旋转角,曲线302指示包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的法拉第旋转角。如图3所示,与不包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜相比,包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜具有显著更大的法拉第旋转角,这样的磁光薄膜具有更小的光学损耗。[0061] 图4示出了包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜在进行老化实验之前的法拉第旋转角与在进行老化实验之后的法拉第旋转角之间的比较,其中曲线401指示包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜在进行老化实验之前的法拉第旋转角,曲线402指示包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜在进行老化实验(例如在80℃,进行10小时)之后的法拉第旋转角。如图4所示,曲线401与曲线402基本一致,这说明与在进行老化实验之前相比,在对8nm的扩散阻挡层在80℃进行10小时的老化实验之后,法拉第旋转角没有劣化现象。[0062] 图5示出了包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的透光率与不包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的透光率之间的比较,其中曲线501指示不包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的透光率,曲线502指示包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的透光率。如图5所示,在波长大于1000nm(尤其是大于1100nm)的情况下,包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的透光率大于不包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的透光率,因而包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜能够提高更好的光学性能。[0063] 图6示出了包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的折射率与不包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的折射率之间的比较,以及包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的消光系数与不包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的消光系数之间的比较,其中曲线601指示不包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的折射率,曲线602指示包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的折射率,曲线603指示不包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的消光系数,曲线604指示包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜的消光系数。如图6所示,与不包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜相比,包含MgO扩散阻挡层的磁光薄膜具有更低的折射率的消光系数。[0064] 图7示出了利用原子力显微镜捕捉到的YIG晶粒的表面形貌,图8示出了利用原子力显微镜捕捉到的Ce:YIG的表面形貌。如图7和图8所示,在沉积MgO扩散阻挡层之后YIG晶粒细小、形核位点均匀且多数朝上,有利于Ce:YIG择优取向,结晶性好。[0065] 以上已经描述了本申请的各实施例,上述说明是示例性的,并非穷尽性的,并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下,对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择,旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术改进,或者使本技术领域的其它普通技术人员能理解本文披露的各实施例。

专利地区:广东

专利申请日期:2021-09-06

专利公开日期:2024-06-18

专利公告号:CN113741068B

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