一种显示面板、装置及微发光二极管的转移装置、方法

专利名称：一种显示面板、装置及微发光二极管的转移装置、方法

专利类型：发明专利

专利申请号：CN202111659674.9

专利申请（专利权）人：厦门天马微电子有限公司
权利人地址：福建省厦门市翔安区翔安西路6999号

专利发明（设计）人：陈张倩,余艳平,周婷,李俊谊

专利摘要：本发明实施例公开了一种显示面板、装置及微发光二极管的转移装置、方法。显示面板包括接收基板以及位于接收基板一侧的微发光二极管；微发光二极管通过流体传输通道进行转移，流体传输通道包括相互连接的弯曲管道和直线管道。微发光二极管在流体传输通道的弯曲管道和直线管道内流动转移，使得微发光二极管与接收基板精准对接，实现微发光二极管的巨量转移，提高转移效率，降低制作工艺的繁琐程度。

主权利要求：
1.一种显示面板，其特征在于，包括：接收基板以及位于所述接收基板一侧的微发光二极管；
所述微发光二极管通过流体传输通道进行转移，所述流体传输通道包括相互连接的弯曲管道和直线管道；
所述微发光二极管包括朝向所述接收基板一侧的第一电极和第二电极；所述接收基板包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽内设置有第一基板电极，所述第二凹槽内设置有第二基板电极；所述第一基板电极与所述第一电极电连接，所述第二基板电极和所述第二电极电连接；
所述微发光二极管包括朝向所述接收基板一侧且位于所述第一电极和所述第二电极之间的重心调整结构，所述接收基板包括朝向所述微发光二极管一侧且位于所述第一基板电极和所述第二基板电极之间的第三凹槽，所述重心调整结构与所述第三凹槽对接。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极与所述第一基板电极分别设置极性相反的电荷，所述第二电极与所述第二基板电极分别设置极性相反的电荷。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述第一凹槽的侧壁设置有第一卡接结构，所述第二凹槽的侧壁设置有第二卡接结构，所述第一电极的侧壁设置有第三卡接结构，所述第二电极的侧壁设置有第四卡接结构；
所述第一卡接结构与所述第三卡接结构卡接，所述第二卡接结构与所述第四卡接结构卡接。
4.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1‑3任一项所述的显示面板。
5.一种微发光二极管的转移装置，其特征在于，包括流体传输通道以及位于所述流体传输通道内的流体，微发光二极管悬浮在所述流体中；
所述流体传输通道包括入口端、出口端以及位于所述入口端和所述出口端之间的流体传输管道，所述流体传输管道包括相互连接的弯曲管道和直线管道；
所述直线管道还设置有镂空部，所述镂空部贯穿所述直线管道的管壁且以预设距离排布，所述微发光二极管经所述镂空部转移至接收基板；
所述流体传输通道包括相互连接的第一流体传输通道和第二流体传输通道，所述第一流体传输通道位于所述第二流体传输通道靠近所述入口端一侧，所述微发光二极管在所述第一流体传输通道内沿流体流动方向预聚焦排列，所述微发光二极管在所述第二流体传输通道内沿所述流体流动方向以预设距离排列。
6.根据权利要求5所述的微发光二极管的转移装置，其特征在于，所述弯曲管道和所述直线管道交替串联设置，所述直线管道的延伸长度为L满足，其中，n为所述第一流体传输通道中直线管道的设置数量，μ为流体粘度，H为流体传输通道的水力直径，ρ为流体密度，U为流体的平均流速，a为微发光二极管的尺寸，fL为升力系数。
7.根据权利要求5所述的微发光二极管的转移装置，其特征在于，所述弯曲管道和所述直线管道交替串联设置，所述流体的雷诺数Re满足：且1≤Re≤2000；
其中，ρ为流体密度，U为流体的平均流速，H为流体传输通道的水力直径，μ为流体粘度。
8.根据权利要求5所述的微发光二极管的转移装置，其特征在于，所述弯曲管道和所述直线管道交替串联设置，所述弯曲管道内，所述微发光二极管的受力包括惯性升力和迪恩曳力，所述惯性升力与所述迪恩曳力的比值RF满足，且RF＞0.04；
其中，a为微发光二极管的尺寸，R1为弯曲管道的外侧最大弯曲半径，H为流体传输通道的水力直径。
9.根据权利要求5所述的微发光二极管的转移装置，其特征在于，所述微发光二极管的转移装置还包括流速调节泵，所述流速调节泵位于所述入口端远离所述流体传输管道一侧，所述流速调节泵用于控制流入所述入口端的所述流体的流速。
10.根据权利要求5所述的微发光二极管的转移装置，其特征在于，所述流体传输通道的内径为L1，所述微发光二极管的尺寸为L2，其中L2
11.根据权利要求5所述的微发光二极管的转移装置，其特征在于，所述流体传输管道的截面包括矩形、正方形或圆形中的至少一种。
12.根据权利要求5所述的微发光二极管的转移装置，其特征在于，所述微发光二极管还包括第一磁性结构，所述第一磁性结构用于与位于所述接收基板一侧的第二磁性结构吸合。
13.根据权利要求12所述的微发光二极管的转移装置，其特征在于，所述微发光二极管包括第一电极和第二电极，所述接收基板包括第一基板电极和第二基板电极；
所述第一磁性结构包括第一子磁性结构和第二子磁性结构，所述第一子磁性结构与所述第一电极对应设置，所述第二子磁性结构与所述第二电极对应设置，且所述第一子磁性结构与所述第二子磁性结构磁性相反；
所述第二磁性结构包括第三子磁性结构和第四子磁性结构，所述第三子磁性结构与所述第一基板电极对应设置，所述第四子磁性结构与所述第二基板电极对应设置，且所述第三子磁性结构与所述第一子磁性结构相反，所述第四子磁性结构与所述第二子磁性结构相反；所述第一子磁性结构用于与所述第三子磁性结构吸合，所述第二子磁性结构用于与所述第四子磁性结构吸合。
14.一种微发光二极管的转移方法，其特征在于，应用于权利要求5‑13任一项所述的微发光二极管的转移装置，包括：控制微发光二极管在所述流体传输通道流动；
控制所述微发光二极管经所述镂空部转移至接收基板。 说明书 : 一种显示面板、装置及微发光二极管的转移装置、方法技术领域[0001] 本发明实施例涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种显示面板、装置及微发光二极管的转移装置、方法。背景技术[0002] 微型发光二极管(MicroLED)具有自发光、结构简单、体积小和节能的特点，越来越多的厂商开始研发微型发光二极管显示面板，微型发光二极管有希望成为下一代显示技术。但对于当前微型发光二极管显示面板的制作，由于制备工艺的限制，无法实现对微型发光二极管的高效精准的转移。发明内容[0003] 本发明实施例提供一种显示面板、装置及微发光二极管的转移装置、方法，以实现通过流体传输通道转移微发光二极管，使得微发光二极管与接收基板精准对接，保证显示面板的正常显示，降低制作工艺的繁琐程度。[0004] 第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：接收基板以及位于所述接收基板一侧的微发光二极管；[0005] 所述微发光二极管通过流体传输通道进行转移，所述流体传输通道包括相互连接的弯曲管道和直线管道。[0006] 第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括第一方面所述的显示面板。[0007] 第三方面，本发明实施例还提供了一种微发光二极管的转移装置，包括流体传输通道以及位于所述流体传输通道内的流体，微发光二极管悬浮在所述流体中；[0008] 所述流体传输通道包括入口端、出口端以及位于所述入口端和所述出口端之间的流体传输管道，所述流体传输管道包括相互连接的弯曲管道和直线管道；[0009] 所述直线管道还设置有镂空部，所述镂空部贯穿所述直线管道的管壁且以预设距离排布，所述微发光二极管经所述镂空部转移至接收基板。[0010] 第四方面，本发明实施例还提供了一种微发光二极管的转移方法，应用于第三方面任一项所述的微发光二极管的转移装置，包括：[0011] 控制微发光二极管在所述流体传输通道流动；[0012] 控制所述微发光二极管经所述镂空部转移至接收基板。[0013] 本发明提供的显示面板，显示面板包括接收基板以及位于接收基板一侧的微发光二极管；微发光二极管通过流体传输通道进行转移，流体传输通道包括相互连接的弯曲管道和直线管道。微发光二极管在流体传输通道的弯曲管道和直线管道内流动转移，使得微发光二极管与接收基板精准对接，实现微发光二极管的巨量转移，提高转移效率，降低制作工艺的繁琐程度。附图说明[0014] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图虽然是本发明的一些具体的实施例，对于本领域的技术人员来说，可以根据本发明的各种实施例所揭示和提示的器件结构，驱动方法和制造方法的基本概念，拓展和延伸到其它的结构和附图，毋庸置疑这些都应该是在本发明的权利要求范围之内。[0015] 图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；[0016] 图2为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；[0017] 图3为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；[0018] 图4为本发明实施例提供的一种显示面板的制备过程的结构示意图；[0019] 图5为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；[0020] 图6为本发明实施例提供的一种微发光二极管的转移装置的结构示意图；[0021] 图7为本发明实施例提供的一种流体传输通道的部分结构示意图；[0022] 图8为本发明实施例提供的另一种流体传输管道的部分结构示意图；[0023] 图9为图6沿AA’的剖面结构示意图；[0024] 图10为本发明实施例提供的一种微发光二极管的转移方法的流程示意图。具体实施方式[0025] 为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本发明实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本发明的技术方案，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例所揭示和提示的基本概念，本领域的技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。[0026] 图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图1所示，显示面板100包括：接收基板101以及位于接收基板101一侧的微发光二极管102；微发光二极管102通过流体传输通道进行转移，流体传输通道包括相互连接的弯曲管道和直线管道。[0027] 其中，接收基板101包括衬底基板和位于衬底基板一侧的像素驱动电路。微发光二极管102可以为MicroLED或MiniLED。接收基板101与微发光二极管102电连接，由接收基板101的像素驱动电路驱动微发光二极管102发光。[0028] 区别于常规的二极管转运装置，本发明实施例创造性地采用流体传输通道对微发光二极管进行转运。具体的，流体传输通道内设置有流体，微发光二极管悬浮在流体中。进一步设置流体传输通道包括相互连接的弯曲管道和直线管道，通过合理调整微发光二极管102在弯曲管道和直线管道中的受力情况，使得微发光二极管102在流体传输通道103中以预设距离排布，之后通过流体传输通道中设置的镂空部转运到接收基板101上，如此可以保证微发光二极管102与接收基板101对位精度，并能提升转运效率。对对位后的微发光二极管102与接收基板101可以采用加热或光固化工艺进行键合，制备得到显示面板100，进而保证显示面板100的正常显示。[0029] 本发明实施例通过微发光二极管经流体传输通道内弯曲管道和直线管道流动转移，使得微发光二极管在流体传输通道内间隔排布，并与接收基板精准对位，实现微发光二极管的巨量转移，提高转移效率，微发光二极管和接收基板形成显示面板，有效简化制作工艺，保证显示面板的正常显示。[0030] 作为一种可实施方式，图2为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，如图2所示，可选的，微发光二极管102包括朝向接收基板101一侧的第一电极104和第二电极105；接收基板101包括第一凹槽106和第二凹槽107，第一凹槽106内设置有第一基板电极108，第二凹槽107内设置有第二基板电极109；第一基板电极108与第一电极104电连接，第二基板电极109和第二电极105电连接。[0031] 其中，微发光二极管102可以包括位于同一侧的第一电极104和第二电极105，第一电极104和第二电极105可以分别为阳极和阴极，本发明实施例不做具体限定，可根据实际设计需求进行选择。第一电极104和第二电极105均位于朝向接收基板101一侧，便于与接收基板101对接。对应微发光二极管102的结构，接收基板101设置有第一凹槽106和第二凹槽107，分别用于容纳第一电极104和第二电极105，同时第一凹槽106内设置有第一基板电极108，第二凹槽107内设置有第二基板电极109，第一电极104和第一基板电极108电连接，第二电极105和第二基板电极109电连接，使得微发光二极管102接收经第一基板电极108和第二基板电极109输出的驱动信号，驱动微发光二极管102出光显示。同时第一凹槽106和第二凹槽107的设计，提高微发光二极管102与接收基板101的对接效果，并降低显示面板100的整体厚度，有利于显示面板100的轻薄化设计。[0032] 图3为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，如图3所示，可选的，微发光二极管102包括朝向接收基板101一侧且位于第一电极104和第二电极105之间的重心调整结构110，接收基板101包括朝向微发光二极管102一侧且位于第一基板电极108和第二基板电极109之间的第三凹槽111，重心调整结构110与第三凹槽111对接。[0033] 其中，通过在微发光二极管102一侧设置重心调整结构110，通过重心调整结构110调整微发光二极管102的重心，控制微发光二极管102在流体中的转移形态，使得微发光二极管102可以以调整后的重心转移，便于微发光二极管102更好地与接收基板101对接。例如可以通过重心调整结构110调整微发光二极管102的第一电极104和第二电极105以朝向接收基板101的一侧与接收基板101对接，便于第一电极104和第二电极105更好地与第一基板电极108和第二基板电极109对接。进一步的，根据微发光二极管102的转移状态对应设置接收基板101的结构，保证转移的微发光二极管102被接收基板101接收。具体的，在接收基板101中设置与重心调整结构110对接的第三凹槽111，通过重心调整结构110第三凹槽111对接，对接后至少部分重心调整结构110设置在第三凹槽111中，增加微发光二极管102与接收基板101之间的对接精度的同时不会增加显示面板100的整体厚度，有利于显示面板100的轻薄化设计。[0034] 进一步的，第一凹槽106、第二凹槽107、第三凹槽111均为在接收基板101一侧采用刻蚀工艺制备得到，并且可以在同一刻蚀工艺中制备得到，保证第一凹槽106、第二凹槽107、第三凹槽111的制备工艺简单高效。[0035] 作为另一种可实施方式，继续参考图2，第一电极104与第一基板电极108分别设置极性相反的电荷，第二电极105与第二基板电极109分别设置极性相反的电荷。[0036] 其中，借助极性相反的静电荷相互吸引、极性相同的静电荷相互排斥的原理，可以在第一电极104与第一基板电极108上分别施加极性相反的电荷，第一电极104和第一基板电极108靠极性相反的电荷相互吸引，第二电极105与第二基板电极109上分别施加极性相反的电荷，第二电极105和第二基板电极109靠极性相反的电荷相互吸引，保证微发光二极管102与接收基板101精准对接。进一步的为保证微发光二极管102的第一电极104和第二电极105与接收基板101的第一基板电极108和第二基板电极109的对接精度，可以在第一电极104和第二电极105上施加极性相反的电荷，例如第一电极104施加负性电荷，第一电极104对应的第一基板电极108施加正性电荷，第二电极105施加正性电荷，第二电极105对应的第二基板电极109施加负性电荷，保证微发光二极管102与接收基板101的对位精度。避免当第一电极104和第二电极105施加相同极性的电荷，此时第一基板电极108和第二基板电极109上也对应施加相同极性的电荷，造成微发光二极管102的第一电极104和第二电极105与接收基板101的第一基板电极108和第二基板电极109的出现连接相反的现象，严重影响显示面板100的正常显示。通过静电荷吸引或排斥原理实现微发光二极管102和接收基板101之间的对接，避免采用额外的制备工艺对微发光二极管102的结构进行改进，只需要对第一电极104、第二电极105、第一基板电极108和第二基板电极109通过摩擦生电的方式或是通过数据线进行电荷施加的方式实现，降低制备工艺的难度和制作成本。[0037] 进一步的，图4为本发明实施例提供的一种显示面板的制备过程的结构示意图，如图4所示，第一凹槽106的侧壁设置有第一卡接结构112，第二凹槽107的侧壁设置有第二卡接结构113，第一电极104的侧壁设置有第三卡接结构114，第二电极105的侧壁设置有第四卡接结构115；第一卡接结构112与第三卡接结构114卡接，第二卡接结构113与第四卡接结构115卡接。[0038] 其中，位于接收基板101的第一凹槽106的侧壁上有第一卡接结构112，对应的微发光二极管102的第一电极104上设置第三卡接结构114，第一卡接结构112与第三卡接结构114卡接，第二凹槽107的侧壁设置有第二卡接结构113，对应的第二电极105的侧壁设置有第四卡接结构115；第二卡接结构113与第四卡接结构115卡接，在制备第一凹槽106和第二凹槽107时，同时刻蚀形成第一卡接结构112和第二卡接结构113以及再形成第一电极104和第二电极105时同步形成第三卡接结构114与第四卡接结构115，无需增加额外的工艺步骤。同时卡接结构的设置，有效提高对接后的微发光二极管102和接收基板101的连接牢固性，保证连接效果，进而保证显示面板100的结构稳定性。[0039] 基于同上的发明构思，图5为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，如图5所示，显示装置200包括上述实施例所述的显示面板100。[0040] 需要说明的是，由于本实施例提供的一种显示装置具备上述实施例的显示面板的相同或相应的有益效果，此处不做赘述。本发明实施例提供的显示装置200可以为图5所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、医疗设备、工控设备、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。[0041] 基于同一的发明构思，图6为本发明实施例提供的一种微发光二极管的转移装置的结构示意图，如图6所示，微发光二极管的转移装置300包括流体传输通道103以及位于流体传输通道103内的流体116，微发光二极管102悬浮在流体116中；流体传输通道103包括入口端117、出口端118以及位于入口端117和出口端118之间的流体传输管道119，流体传输管道119包括相互连接的弯曲管道1031和直线管道1032；直线管道1032还设置有镂空部120，镂空部120贯穿直线管道1032的管壁且以预设距离排布，微发光二极管102经镂空部120转移至接收基板101。[0042] 其中，流体116用于承载微发光二极管102，使得微发光二极管102在流体传输通道103内流动转移，流体116可以为绝缘有机溶液或是绝缘无机溶液，且并不会对微发光二极管102和接收基板101的对接造成影响，流体116的选择可以根据实际设计需求进行选择，本发明实施例不做具体限定。当流体116确定，则流体粘度、流体密度均为固定值。流体传输通道103包括入口端117、出口端118以及位于入口端117和出口端118之间的流体传输管道119，流体116和微发光二极管102从入口端117进入流体传输管道119内。图7为本发明实施例提供的一种流体传输通道的部分结构示意图，由于流体传输管道119包括相互连接的弯曲管道1031和直线管道1032，由于微发光二极管102可以为MicroLED或MiniLED，尺寸位于微米级别，如图7所示，使得微发光二极管102在直线管道1032内受到惯性升力FL的作用，惯性升力FL包括流体平均流速产生的剪切力梯度诱导产生的升力F1以及微发光二极管102移动至直线管道1032的管壁位置，管壁诱导产生的升力F2，升力F1和升力F2的方向相反，使得微发光二极管102受惯性升力FL的作用，在直线管道1032的横截面中相对移动，惯性升力FL满足 为升力系数，Re为流体的雷诺数，x为流体传输通道103的宽度，h为流体传输通道103的高度，ρ为流体密度，U为流体116的平均流速，a为微发光二极管102的尺寸，H为流体传输通道103的水力直径。当微发光二极管102移动到横截面的某一平衡位置，升力F1和升力F2的数值相等，此时惯性升力FL为零，微发光二极管102稳定在平衡位置，对于流体传输通道103固定、流体116固定、微发光二极管102的尺寸固定的情况下，需要调节流体的流速确定微发光二极管102的平衡位置。由于流体传输管道119内存在大量的微发光二极管102，随着流体的流动方向(如图6中X方向)和流体流速大小，微发光二极管102会聚焦流动，向出口端118移动。当微发光二极管102移动至弯曲管道1031时，由于弯曲管道1031中央区域的流体受到离心力最大，使得流体116流向管壁，此时靠近管壁的流体的流速最小，受到的离心力最小，进而受到中央区域的流体挤压，为保证流体116的各处质量守恒，垂直流体的流动方向，形成一对反向旋转且对称的迪恩涡流，分别位于弯道管道的横截面的上部和下部，迪恩数De能够反映迪恩涡流强度的无量纲数，迪恩数其中，Re为流体116的雷诺数，H为流体传输通道103的水力直径，r为弯曲管道1031的曲率半径，迪恩数De越大，迪恩涡流强度越强，当流体传输通道103固定，流体116固定时，可以通过控制流体116的雷诺数Re调节迪恩数De的大小。位于流体116中的微发光二极管102会因迪恩涡流的存在，受到迪恩曳力FD的作用，因此微发光二极管102在弯曲管道1031内受到惯性升力FL和迪恩曳力FD的共同作用，在迪恩曳力FD的作用下，位于管壁附近的微发光二极管102向管道的中央区域移动，能够更快到达平衡位置。为保证微发光二极管102以预设距离均匀排布，直线管道1032和弯曲管道1031交替串联设置，微发光二极管102由直线通道进入弯曲管道1031后，再经弯曲管道1031再次进入直线通道，设置多个直线管道1032和弯曲管道1031交替串联，可以使得大量的微发光二极管102尽可能的位于管道的中央区域且位于平衡位置，并以预设距离进行排布。对应微发光二极管102的流动转移情况，流体传输管道119内的直线管道1032上还设置有镂空部120，镂空部120贯穿直线管道1032的管壁且以预设距离排布，且镂空部120的尺寸大于微发光二极管102的尺寸，使得微发光二极管102流动至镂空部120的正上方时，配合微发光二极管102的流动转移频率，在接收基板101背离流体传输通道103一侧施加外力，使得微发光二极管102经镂空部120转移至接收基板101，通过设置流体传输通道103中直线管道1032和弯曲通道的数量以及镂空部120的数量，可以实现微发光二极管102的转移数量，进而也可以通过一次操作实现微发光二极管102的巨量转移，降低转移难度，节约制造成本，同时保证转移精度，确保后续经微发光二极管102和转移基板制作的显示面板的显示效果。[0043] 本发明实施例通过流体承载微发光二极管经流体传输通道的入口端进入流体传输管道并在流体传输管道内流动转移，流体传输管道包括相互连接的弯曲管道和直线管道，使得微发光二极管在流体传输管道内以预设距离排布，微发光二极管经镂空部转移至接收基板，镂空部贯穿直线管道的管壁且以预设距离排布，微发光二极管与接收基板的精准对位，降低转移难度，进而保证由微发光二极管与接收基板组成显示面板的显示效果。[0044] 继续参考图6，可选的，流体传输通道103包括相互连接的第一流体传输通道1033和第二流体传输通道1034，第一流体传输通道1033位于第二流体传输通道1034靠近入口端117一侧，微发光二极管102在第一流体传输通道1033内沿流体流动方向预聚焦排列，微发光二极管102在第二流体传输通道1034内沿流体流动方向以预设距离排列。[0045] 其中，流体传输通道103包括相互连接的第一流体传输通道1033和第二流体传输通道1034，第一流体传输通道1033位于第二流体传输通道1034靠近入口端117一侧，第一流体传输通道1033和第二流体传输通道1034均包括直线管道1032和弯曲管道1031，由于微发光二极管102在由入口端117进入流体传输管道119内时，处于混乱状态，需要在流体传输管道119中受惯性升力FL和迪恩曳力FD进行平衡位置调整，因此，微发光二极管102在第一流体传输通道1033内沿流体流动方向预聚焦排列，经过第一流体传输通道1033内的多个直线通道和弯曲通道后，微发光二极管102会在第二流体传输通道1034内沿流体流动方向以预设距离排列，微发光二极管102均处在流体传输通道的中央区域且均处于平衡位置，相邻微发光二极管102之间距离与相邻镂空部120之间的预设距离相同，便于微发光二极管102经镂空部120转移至接收基板101，提高转移效率。[0046] 继续参考图6，可选的，弯曲管道1031和直线管道1032交替串联设置，直线管道1032的延伸长度为L满足，[0047][0048] 其中，n为第一流体传输通道1033中直线管道1032的设置数量，μ为流体粘度，H为流体传输通道103的水力直径，ρ为流体密度，U为流体的平均流速，a为微发光二极管102的尺寸，fL为升力系数。[0049] 其中，对于流体固定、微发光二极管102的尺寸固定以及流体传输通道103固定的情况下，即流体粘度μ、流体密度ρ，流体传输通道103的水力直径H，在第一流体传输通道1033中直线管道1032的设置数量n，微发光二极管102的尺寸a均为固定值，升力系数fL为与流体的雷诺数Re和流体传输通道103的截面尺寸相关的数值，因此升力系数fL也为固定值，为使得直线管道1032的延伸长度为L满足， 此时可以控制流体的平均流速U，保证流体固定、微发光二极管102的尺寸固定以及流体传输通道103固定的情况下，微发光二极管102在流体传输管道119的第一流体传输通道1033内的预聚焦排列，尽可能的排布在流体传输通道103的中央区域，保证后续进入第二流体传输通道1034内的沿流体流动方向以预设距离排列，便于微发光二极管102以预设距离转移至接收基板101，提高转移精度，降低制作工艺难度。[0050] 继续参考图6，可选的，弯曲管道1031和直线管道1032交替串联设置，流体116的雷诺数Re满足：[0051][0052] 且1≤Re≤2000；[0053] 其中，ρ为流体密度，U为流体的平均流速，H为流体传输通道103的水力直径，μ为流体粘度。[0054] 其中，流体116的雷诺数Re与流体116的性质和流体传输通道103的水力直径相关，对于流体116固定和流体传输通道103固定的微发光二极管102的转移装置，可以控制流体116的平均流速实现对流体116的雷诺数Re的调节，结合微发光二极管102的雷诺数Rep，满足 a为微发光二极102管的尺寸，控制合理控制微发光二极管102的雷诺数Rep和流体116的雷诺数Re，使得微发光二极管102在流体116内满足惯性微流原理，并使得微发光二极管102在流体传输通道103内进行流动并按预设距离排布，进而实现微发光二极管102的巨量转移。[0055] 继续参考图6，可选的，弯曲管道1031和直线管道1032交替串联设置，弯曲管道1031内，微发光二极管102的受力包括惯性升力和迪恩曳力，惯性升力与迪恩曳力的比值RF满足，[0056][0057] 且RF＞0.04；[0058] 其中，a为微发光二极管102的尺寸，R1为弯曲管道1031的外侧最大弯曲半径，H为流体传输通道103的水力直径。[0059] 其中，对于微发光二极管102的尺寸固定前提下，合理设置流体传输通道103的弯曲管道1031的外侧最大弯曲半径R1和流体传输通道103的水力直径H，进而调节在弯曲管道1031内惯性升力和迪恩曳力的数值关系，使得在微发光二极管102在弯曲管道1031调节后能尽快到达预设的平衡位置，实现微发光二极管102在流体传输通道103内以预设距离进行排布，提高微发光二极管102的转移效率，进而实现微发光二极管102的巨量转移。[0060] 继续参考图6，可选的，微发光二极管102的转移装置还包括流速调节泵(图中并未示出)，流速调节泵位于入口端117远离流体传输管道119一侧，流速调节泵用于控制流入入口端117的流体116的流速。[0061] 其中，微发光二极管102在进入流体传输管道119之前，在流体传输通道103的入口端117设置有流体传输泵，流速调节泵通过把机械能或其他外部能量输送给流体，控制流入入口端117的流体的流速，进而实现流体116中承载的微发光二极管102在流体传输管道119中的流动，结合流体传输管道119的结构，使得微发光二极管102在流体传输通道103的第二流体传输通道1034内以预设距离排列。[0062] 继续参考图6，可选的，流体传输通道103的内径为L1，微发光二极管102的尺寸为L2，其中L2[0063] 其中，为保证微发光二极管102在流体传输通道103内正常流动转移，流体传输通道103的内径要大于微发光二极管102的尺寸，使得微发光二极管102可以在流体传输通道103内流动转移，进而最终转移至接收基板101。可选的，为保证微发光二极管102在流体传输通道103中成一列式并以预设距离间隔排布，便于后续从镂空部120进行转移，设计流体传输通道103的内径小于两倍的微发光二极管102的尺寸，进而调节流体流速，微发光二极管102在流体传输通道103中一列式等间隔排布，提高微发光二极管102与流体传输通道103的镂空部120的对位精准度，进而保证微发光二极管102精准转移至接收基板101，并通过合理设置流体传输通道103的传输长度，实现微发光二极管102的巨量转移。[0064] 图8为本发明实施例提供的另一种流体传输管道的部分结构示意图，如图8所示，可选的，流体传输管道119的截面包括矩形、正方形或圆形中的至少一种。[0065] 其中，图8中实例性的以流体传输管道119的截面为矩形为例进行展示，流体传输管道119的截面不同，使得流体传输通管道119的水力直径H不同，对于流体传输管道119的界面为矩形时，水力直径H满足， x为流体传输管道119的宽度，h为流体传输管道119的高度。对于流体传输管道119的界面为正方形时，水力直径H为流体传输管道119的宽度。对于流体传输管道119的界面为圆形时，水力直径H为流体传输管道119的直径。流体传输管道119的截面类型选择，可以根据实际设计需求进行选择，本发明实施例不做具体限定。合理设置流体传输管道119的截面类型，进而控制微发光二极管102在流体传输管道119内的受力情况以及微发光二极管102在流体传输管道119的排布情况。[0066] 图9为图6沿AA’的剖面结构示意图，如图9所示，可选的，微发光二极管102还包括第一磁性结构121，第一磁性结构121用于与位于接收基板101一侧的第二磁性结构122吸合。[0067] 其中，为保证微发光二极管102从流体传输通道103从镂空部120转移至接收基板101，通过在微发光二极管102上设置第一磁性结构121，使得当微发光二极管102到达与镂空部120对应的位置时，通过在接收基板101远离流体传输通道103的一侧设置第二磁性结构122，第二磁性结构122可以为接收基板101以外的磁力装置，配合位于流体传输通道103的第二流体传输通道1034内有序排列的微发光二极管102的转移频率，控制第二磁性结构122与第一磁性结构121的磁性相反，第二磁性结构122与第一磁性结构121相互吸引，使得位于流体传输通道103中的微发光二极管102经镂空部120转移至接收基板101上。由于微发光二极管102和镂空部120的排布均匀，因此对应的接收基板上101的凹槽的排布方式与流体传输通道103上的镂空部120的排布方式相同，保证微发光二极管102在接收基板101上的规则排布，降低后续制作显示面板的难度。[0068] 继续参考图9，可选的，微发光二极管102包括第一电极104和第二电极105，接收基板101包括第一基板电极108和第二基板电极109；第一磁性结构121包括第一子磁性结构1211和第二子磁性结构1212，第一子磁性结构1211与第一电极104对应设置，第二子磁性结构1212与第二电极105对应设置，且第一子磁性结构1211与第二子磁性结构1212磁性相反；第二磁性结构122包括第三子磁性结构1221和第四子磁性结构1222，第三子磁性结构1221与第一基板电极108对应设置，第四子磁性结构1222与第二基板电极109对应设置，且第三子磁性结构1221与第一子磁性结构1211相反，第四子磁性结构1222与第二子磁性结构1212相反；第一子磁性结构1211用于与第三子磁性结构1221吸合，第二子磁性结构1212用于与第四子磁性结构1222吸合。[0069] 其中，分别在微发光二极管102的第一电极104上对应设置第一子磁性结构1211和第二电极105上对应设置第二子磁性结构1212，进而保证为保证微发光二极管102的转移对位精度，使得第一子磁性结构1211与第二子磁性结构1212磁性相反，便于区分微发光二极管102的第一电极104和第二电极105。同时在接收基板101的第一基板电极108背离流体传输通道103一侧对应设置第三子磁性结构1221和第二基板电极109背离流体传输通道103一侧对应设置第四子磁性结构1222，将微发光二极管102转移至转移基板时，第三子磁性结构1221与第一子磁性结构1211相反，第一子磁性结构1211与第三子磁性结构1221相互吸引；第四子磁性结构1222与第二子磁性结构1212相反，第二子磁性结构1212与第四子磁性结构1222相互吸引，同时第一子磁性结构1211、第二子磁性结构1212、第三子磁性结构1221和第四子磁性结构1222可以为电磁结构，具备一定的导电能力，保证微发光二极管102的第一电极104和第二电极105分别与转移基板的第一基板电极108和第二基板电极109对应电连接，通过设置磁性结构，有效提高转移精度，降低显示面板的制作难度。[0070] 基于同上的发明构思，图10为本发明实施例提供的一种微发光二极管的转移方法的流程示意图，如图10所示，其特征在于，应用于上述实施例中任一项所述的微发光二极管的转移装置，微发光二极管的转移方法包括：[0071] S101，控制微发光二极管在流体传输通道流动。[0072] 其中，对于固定尺寸的微发光二极管和流体传输通道，可以通过调节流体传输通道中流体的性质、流动速度，控制微发光二极管在流体传输内的流动，并使得微发光二极管均匀排布，方便后续对微发光二极管进行巨量转移，降低转移难度。[0073] S102，控制微发光二极管经镂空部转移至接收基板。[0074] 其中，微发光二极管在流体传输通道的第二流体传输通道的直线管道内均匀排布，通过控制流体流速调节微发光二极管在流体内的转移频率，使得微发光二极管排布方式与流体传输通道上的镂空部的排布方式相同，进而通过施加外部作用力，例如磁力，使得微发光二极管与镂空部在接收基板的垂直投影相重叠时，均匀排布的多个微发光二极管均经镂空部转移至接收基板，实现微发光二极管的巨量转移，并后续通过微发光二极管与接收基板键合，得到显示面板，简化制作工艺的繁琐程度，降低制作成本。[0075] 本发明实施例通过调节微发光二极管在流体传输通道中的流动，控制微发光二极管在流体传输通道的排布方式，使得微发光二极管可以在外力作用下从镂空部转移至接收基板，实现微发光二极管的巨量转移，同时简化制备工艺的复杂程度，降低制作成本。[0076] 注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互组合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

专利地区：福建

专利申请日期：2021-12-30

专利公开日期：2024-07-26

专利公告号：CN114335063B