基片处理装置和基片处理方法发明专利

专利名称：基片处理装置和基片处理方法

专利类型：发明专利

专利申请号：CN201980060789.0

专利申请（专利权）人：东京毅力科创株式会社
权利人地址：日本东京都

专利发明（设计）人：守田聪,饱本正巳,森川胜洋,水永耕市,岩下光秋,金子聪

专利摘要：本发明提供一种基片处理装置，其包括：将保持基片的旋转台旋转驱动的机构；电加热器，其以与旋转台一起旋转的方式设置于旋转台，对载置于旋转台上的基片进行加热；受电电极，其以与旋转台一起旋转的方式设置于旋转台，且与电加热器电连接；供电电极，其通过与受电电极接触，来经由受电电极对电加热器供给驱动电功率；电极移动机构，其能够使供电电极与受电电极相对地接触和分离；对供电电极供给驱动电功率的供电部；包围旋转台的周围的处理杯状体；对基片供给处理液的至少1个处理液喷嘴；作为处理液至少将非电解镀覆液供给至处理液喷嘴的处理液供给机构；和控制电极移动机构、供电部、旋转驱动机构和处理液供给机构的控制部。

主权利要求：
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
能够将基片以水平姿态保持的旋转台；
使所述旋转台绕铅直轴线旋转的旋转驱动机构；
电加热器，其以与所述旋转台一起旋转的方式设置于所述旋转台，对载置于所述旋转台上的所述基片进行加热；
受电电极，其以与所述旋转台一起旋转的方式设置于所述旋转台，且与所述电加热器电连接；
供电电极，其通过与所述受电电极接触，来经由所述受电电极对所述电加热器供给驱动电功率；
电极移动机构，其能够使所述供电电极与所述受电电极相对地接触和分离；
对所述供电电极供给所述驱动电功率的供电部；
包围所述旋转台的周围且与排气配管和排液配管连接的处理杯状体；
对所述基片供给处理液的至少1个处理液喷嘴；
作为所述处理液至少将非电解镀覆液供给至所述处理液喷嘴的处理液供给机构；和控制所述电极移动机构、所述供电部、所述旋转驱动机构和所述处理液供给机构的控制部，连接所述供电电极与所述供电部的导电通路至少部分地由可挠性的电线形成，通过所述可挠性的电线构成为能够在保持所述受电电极与所述供电电极相接触的状态下使所述旋转台在规定的角度范围内旋转。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述旋转台具有吸附板，所述基片通过被吸附于所述吸附板的上表面而被所述旋转台保持，所述电加热器从所述吸附板的下表面侧经由所述吸附板加热被吸附于所述吸附板的上表面的所述基片。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
从所述铅直轴线的方向观察的所述旋转台的面积大于或等于所述基片的面积。
4.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
还包括在所述旋转台的旋转轴内通过并延伸的吸引配管，所述旋转台具有基底板，在所述基底板的上表面设置有与所述吸引配管连通的吸引口，在将所述吸附板载置于所述基底板的上表面的状态下，通过经由所述吸引口作用吸引力而将所述吸附板吸附于所述基底板，并且，所述吸引力经由贯通所述吸附板的贯通孔也作用于所述基片，将所述基片吸附于所述吸附板。
5.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述旋转台具有包围所述基片的周缘部的堰堤，在所述基片被保持于所述旋转台上时通过对所述基片供给所述非电解镀覆液，所述非电解镀覆液被所述堰堤阻挡，从而能够在所述旋转台上形成可浸渍所述基片的整个上表面的所述非电解镀覆液的液洼，所述堰堤以随着向所述旋转台的半径方向内侧去而变低的方式带有倾斜。
6.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
还具有处理液温度调节机构，其在所述非电解镀覆液从所述处理液喷嘴被供给到所述基片之前，对所述非电解镀覆液进行温度调节。
7.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述电加热器具有分别负责所述基片的不同区域的加热的多个加热元件，所述控制部能够经由所述供电部独立地控制所述多个加热元件的发热量。
8.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述处理液供给机构能够对所述至少1个处理液喷嘴供给预清洁液、后清洁液和冲洗液。
9.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
还包括：收纳所述旋转台和所述处理杯状体的壳体；和对所述壳体内供给非活泼性气体的非活泼性气体供给部。
10.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
还包括覆盖被保持于所述旋转台的基片的顶板。
11.如权利要求10所述的基片处理装置，其特征在于：
所述顶板具有加热器，用所述加热器至少能够加热所述顶板的下表面。
12.如权利要求10所述的基片处理装置，其特征在于：
还包括非活泼性气体供给部，其对被保持于所述旋转台的基片与所述顶板之间的空间中供给非活泼性气体。
13.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
包括用于对所述电加热器供给电功率的第1电功率传送机构和第2电功率传送机构，所述第1电功率传送机构包括利用所述电极移动机构而能够接触和分离的所述受电电极和所述供电电极，所述第2电功率传送机构具有能够相对地旋转的固定部和旋转部，所述第2电功率传送机构构成为在所述旋转部相对于所述固定部连续地旋转时也能够从所述固定部向所述旋转部传送电功率，所述旋转部与所述电加热器电连接并且被固定于所述旋转台或者与所述旋转台联动地旋转的部件，所述供电部设置成能够对所述第2电功率传送机构的所述固定部也供给电功率，所述控制部至少在所述受电电极从所述供电电极离开的分离期间内的至少一部分的期间中，使电功率从所述供电部经由所述第2电功率传送机构供给到所述电加热器。
14.一种使用基片处理装置来处理基片的基片处理方法，其中，所述基片处理装置包括：能够将基片以水平姿态保持的旋转台；使所述旋转台绕铅直轴线旋转的旋转驱动机构；
电加热器，其以与所述旋转台一起旋转的方式设置于所述旋转台，对载置于所述旋转台上的所述基片进行加热；受电电极，其以与所述旋转台一起旋转的方式设置于所述旋转台，且与所述电加热器电连接；供电电极，其通过与所述受电电极接触，来经由所述受电电极对所述电加热器供给驱动电功率；电极移动机构，其能够使所述供电电极与所述受电电极相对地接触和分离；对所述供电电极供给所述驱动电功率的供电部；包围所述旋转台的周围且与排气配管和排液配管连接的处理杯状体；对所述基片供给处理液的处理液喷嘴；和作为所述处理液至少将非电解镀覆液供给至所述处理液喷嘴的处理液供给机构，所述基片处理方法的特征在于，包括：保持步骤，将所述基片以水平姿态保持于旋转台；
液洼形成步骤，对所述基片的上表面供给非电解镀覆液，来形成覆盖所述基片的整个上表面的所述非电解镀覆液的液洼；和非电解镀覆处理步骤，在使所述受电电极与所述供电电极接触的状态下，从所述供电部对所述电加热器供电，加热所述基片和所述基片上的所述非电解镀覆液，由此用所述非电解镀覆液来处理所述基片，连接所述供电电极与所述供电部的导电通路至少部分地由可挠性的电线形成，所述非电解镀覆处理步骤包括搅拌步骤，通过所述可挠性的电线，在使所述受电电极与所述供电电极接触从而对所述电加热器供电的状态下，使所述旋转台在规定的角度范围内正转和逆转来搅拌所述基片上的所述非电解镀覆液。
15.如权利要求14所述的基片处理方法，其特征在于，还包括：
后清洁步骤，在所述非电解镀覆处理步骤之后，在使所述受电电极与所述供电电极分离的状态下，一边使所述旋转台旋转一边对所述基片的上表面供给后清洁液，由此来清洁所述基片上的表面；
冲洗步骤，在使所述受电电极与所述供电电极分离的状态下，一边使所述旋转台旋转一边对所述基片的上表面供给冲洗液，由此用所述冲洗液除去所述基片上的所述后清洁液；
甩干步骤，在所述冲洗步骤之后，停止所述冲洗液的供给，通过使所述旋转台旋转来除去所述基片上的所述冲洗液。
16.如权利要求15所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述甩干步骤之后还包括加热干燥步骤，在使所述旋转台的旋转停止并且使所述受电电极与所述供电电极接触的状态下，从所述供电部对所述电加热器供电来加热所述基片，由此除去残留于所述基片的冲洗液。
17.如权利要求14～16中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：所述旋转台具有吸附板，所述保持步骤是通过用所述吸附板吸附基片来进行的，所述非电解镀覆处理步骤中的所述基片的加热，是通过用所述电加热器从所述吸附板的下表面侧经由所述吸附板对被吸附于所述吸附板的上表面的所述基片加热来进行的。
18.如权利要求16所述的基片处理方法，其特征在于：
所述旋转台具有吸附板，所述保持步骤是通过用所述吸附板吸附基片来进行的，所述非电解镀覆处理步骤中的所述基片的加热，是通过用所述电加热器从所述吸附板的下表面侧经由所述吸附板对被吸附于所述吸附板的上表面的所述基片加热来进行的，还包括基片取出步骤，在所述甩干步骤或者所述加热干燥步骤完成后，解除所述吸附并将所述基片从所述旋转台取出，在所述基片取出步骤中，通过在设置于所述吸附板的吸引管路中流通吹扫气体来促进所述基片的取出。
19.如权利要求14所述的基片处理方法，其特征在于：
所述基片处理装置还包括能够收纳所述旋转台和所述处理杯状体的壳体，所述基片处理方法在所述液洼形成步骤之前对所述壳体内供给非活泼性气体。
20.如权利要求14所述的基片处理方法，其特征在于：
一边使被保持于所述旋转台的基片的至少下表面被加热了的顶板覆盖，一边执行所述非电解镀覆处理步骤。
21.如权利要求14所述的基片处理方法，其特征在于：
一边用顶板覆盖被保持于所述旋转台的基片，并且从设置于所述顶板的喷嘴向所述顶板与所述基片之间的空间中供给非活泼性气体，一边执行所述非电解镀覆处理步骤。
22.如权利要求14所述的基片处理方法，其特征在于，还包括：
预清洁步骤，在所述保持步骤之后，在使所述受电电极与所述供电电极分离的状态下，一边使所述旋转台旋转一边对所述基片供给预清洁液，来清洗所述基片的表面；和冲洗步骤，在所述预清洁步骤之后，用冲洗液除去所述基片上的所述预清洁液，在所述冲洗步骤之后执行所述液洼形成步骤。
23.如权利要求15所述的基片处理方法，其特征在于：
还包括在所述后清洁步骤之前对所述旋转台进行冷却的冷却步骤，所述旋转台具有吸附板，所述基片通过被吸附于所述吸附板的上表面而能够被所述旋转台保持，所述冷却步骤，是在通过解除所述吸附板对所述基片的吸附并用升降销将所述基片抬起的状态下，从设置于所述吸附板的表面的吸引口吸引所述吸附板的周围的气氛来进行的。
24.如权利要求14所述的基片处理方法，其特征在于：
所述非电解镀覆处理步骤包括：在使所述受电电极与所述供电电极分离的状态下使所述旋转台在规定的角度范围内正转和逆转，来搅拌所述基片上的非电解镀覆液的步骤；和之后使所述受电电极与所述供电电极接触来加热所述基片上的非电解镀覆液的步骤。
25.如权利要求14所述的基片处理方法，其特征在于：
所述基片处理装置还包括以能够与所述旋转台一起旋转的方式设置于所述旋转台的辅助加热器，对于所述辅助加热器，即使在所述旋转台连续地向一个方向旋转的情况下也能够供电，所述基片处理方法还包括为了对所述旋转台进行保温，在所述受电电极与所述供电电极分离的期间中的至少一部分期间中，对所述辅助加热器供电的步骤。
26.一种使用基片处理装置来处理基片的基片处理方法，其中，所述基片处理装置包括：能够将基片以水平姿态保持的旋转台；使所述旋转台绕铅直轴线旋转的旋转驱动机构；
电加热器，其以与所述旋转台一起旋转的方式设置于所述旋转台，对载置于所述旋转台上的所述基片进行加热；受电电极，其以与所述旋转台一起旋转的方式设置于所述旋转台，且与所述电加热器电连接；供电电极，其通过与所述受电电极接触，来经由所述受电电极对所述电加热器供给驱动电功率；电极移动机构，其能够使所述供电电极与所述受电电极相对地接触和分离；对所述供电电极供给所述驱动电功率的供电部；包围所述旋转台的周围且与排气配管和排液配管连接的处理杯状体；对所述基片供给处理液的处理液喷嘴；和作为所述处理液至少将非电解镀覆液供给至所述处理液喷嘴的处理液供给机构，所述基片处理方法的特征在于，包括：保持步骤，将所述基片以水平姿态保持于旋转台；
液洼形成步骤，对所述基片的上表面供给非电解镀覆液，来形成覆盖所述基片的整个上表面的所述非电解镀覆液的液洼；
非电解镀覆处理步骤，在使所述受电电极与所述供电电极接触的状态下，从所述供电部对所述电加热器供电，加热所述基片和所述基片上的所述非电解镀覆液，由此用所述非电解镀覆液来处理所述基片；
后清洁步骤，在所述非电解镀覆处理步骤之后，在使所述受电电极与所述供电电极分离的状态下，一边使所述旋转台旋转一边对所述基片的上表面供给后清洁液，由此来清洁所述基片上的表面；
冲洗步骤，在使所述受电电极与所述供电电极分离的状态下，一边使所述旋转台旋转一边对所述基片的上表面供给冲洗液，由此用所述冲洗液除去所述基片上的所述后清洁液；和甩干步骤，在所述冲洗步骤之后，停止所述冲洗液的供给，通过使所述旋转台旋转来除去所述基片上的所述冲洗液，所述基片处理方法还包括在所述后清洁步骤之前对所述旋转台进行冷却的冷却步骤，所述旋转台具有吸附板，所述基片通过被吸附于所述吸附板的上表面而能够被所述旋转台保持，所述冷却步骤，是在通过解除所述吸附板对所述基片的吸附并用升降销将所述基片抬起的状态下，从设置于所述吸附板的表面的吸引口吸引所述吸附板的周围的气氛来进行的。 说明书 : 基片处理装置和基片处理方法技术领域[0001] 本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。背景技术[0002] 在半导体器件的制造中，对半导体晶片等的基片执行药液清洗处理、镀覆处理、显影处理等的各种液处理。作为进行这样的液处理的装置，有单片式的液处理装置，其一个例子记载在专利文献1中。[0003] 专利文献1的基片处理装置具有旋转卡盘，其能够将基片以水平姿态保持并使其绕铅直轴线旋转。在旋转卡盘的周缘部，在圆周方向上隔开间隔地设置的多个保持部件保持基片。在被旋转卡盘保持的基片的上方和下方分别设置有内置了加热器的圆板状的上表面移动部件和下表面移动部件。在专利文献1的基片处理装置中，按以下的步骤进行处理。[0004] 首先，利用旋转卡盘保持基片，使下表面移动部件上升从而在基片的下表面(背面)与下表面移动部件的上表面之间形成小的第一间隙。接着，从在下表面移动部件的上表面的中心部开口的下表面供给通路向第一间隙供给已调温的药液，第一间隙由表面处理用的药液填充。药液由下表面移动部件的加热器调温为规定的温度。另一方面，上表面供给喷嘴位于基片的上表面(正面)的上方，供给表面处理用的药液，并且在基片的上表面形成药液的液洼。接着，上表面供给喷嘴从基片的上方退避，上表面移动部件下降，在上表面移动部件的下表面与药液的液洼的正面(上表面)之间形成小的第二间隙。药液的液洼通过内置于上表面移动部件中的加热器被温度调节到规定的温度。在该状态下，使基片以低速旋转或者使基片不旋转地进行基片的正面和背面的药液处理步骤。在药液处理步骤的期间，根据需要从在上表面移动部件的中心部开口的药液供给通路和上述的下表面供给通路，对基片的正面和背面补充药液。[0005] 在专利文献1的基片处理装置中，基片经由存在于基片与加热器之间的流体(处理液和/或者气体)被加热。[0006] 现有技术文献[0007] 专利文献[0008] 专利文献1：日本特开2002‑219424号公报。发明内容[0009] 发明要解决的问题[0010] 本发明提供在将基片保持于旋转台的状态下进行基片的镀覆处理的基片处理中，能够提高基片温度的控制精度的技术。[0011] 用于解决问题的技术手段[0012] 基于本发明的一个方式的基片处理装置，其包括：能够将基片以水平姿态保持的旋转台；使所述旋转台绕铅直轴线旋转的旋转驱动机构；电加热器，其以与所述旋转台一起旋转的方式设置于所述旋转台，对载置于所述旋转台上的所述基片进行加热；受电电极，其以与所述旋转台一起旋转的方式设置于所述旋转台，且与所述电加热器电连接；供电电极，其通过与所述受电电极接触，来经由所述受电电极对所述电加热器供给驱动电功率；电极移动机构，其能够使所述供电电极与所述受电电极相对地接触和分离；对所述供电电极供给所述驱动电功率的供电部；包围所述旋转台的周围且与排气配管和排液配管连接的处理杯状体；对所述基片供给处理液的至少1个处理液喷嘴；作为所述处理液至少将非电解镀覆液供给至所述处理液喷嘴的处理液供给机构；和控制所述电极移动机构、所述供电部、所述旋转驱动机构和所述处理液供给机构的控制部。[0013] 发明效果[0014] 依据本发明，能够在将基片保持于旋转台的状态下进行基片的镀覆处理的基片处理中，提高基片温度的控制精度的技术。附图说明[0015] 图1是表示一个实施方式的基片处理装置的整体结构的概略平面图。[0016] 图2是表示图1的基片处理装置所包含的处理组件的构成的一例的概略截面图。[0017] 图3是用于说明设置在上述处理组件中的热板的加热器的配置的一例的概略平面图。[0018] 图4是表示上述热板的上表面的概略平面图。[0019] 图5是表示设置在上述处理组件中的吸附板的下表面的结构的一例的概略平面图。[0020] 图6是表示上述吸附板的上表面的构成的一例的概略平面图。[0021] 图7是表示设置在上述处理组件的第1电极部的构成的一例的概略平面图。[0022] 图8是说明上述处理组件的各种构成部件的动作的一例的时序图。[0023] 图9是图5和图6中所示的吸附板的概略截面图。[0024] 图10是与图9不同的截面中的吸附板的概略截面图。[0025] 图11是对弯曲的吸附板进行说明的概略图。[0026] 图12是表示吸附板的变形例的概略平面图。[0027] 图13是表示基片处理装置所包含的处理组件的另一构成例的概略截面图。[0028] 图14A是用于说明在向图13所示的处理组件中所设置的辅助加热器的供电中、使用的电功率传送机构的第1构成例的原理的概略图。[0029] 图14B是向在第2液处理部中表示的处理组件中所设置的辅助加热器的供电中、使用的电功率传送机构的第1构成例的概略轴方向截面图。[0030] 图14C是向在第2液处理部中表示的处理组件中所设置的辅助加热器的供电中、使用的电功率传送机构的第2构成例的概略轴方向截面图。[0031] 图15是表示参与加热器的温度控制的构件间的关系的一例的模块图。[0032] 图16是表示参与加热器的温度控制的构件间的关系的另一例的模块图。[0033] 图17是表示进一步设置有顶板的实施方式的概略图。[0034] 图18是关于使用了处理组件的镀覆处理进行说明的示意图。具体实施方式[0035] 以下参照附图关于基片处理装置(基片处理系统)的一个实施方式进行说明。[0036] 图1是表示一个实施方式的基片处理系统的概略结构的图。以下，为了使位置关系明确，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，并且将Z轴正方向作为铅直向上的方向。[0037] 如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2和处理站3相邻地设置。[0038] 送入送出站2包括载体载置部11和输送部12。在载体载置部11中能够载置多个载体C，该多个载体C将多个基片在本实施方式中是半导体晶片(以下称为晶片W)以水平状态收纳。[0039] 输送部12与载体载置部11相邻地设置，在内部具有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13具有保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片输送装置13能够向水平方向和铅直方向移动以及能够以铅直轴为中心进行旋转，并且利用晶片保持机构在载体C与交接部14之间进行晶片W的输送。[0040] 处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3包括输送部15和多个处理组件16。多个处理组件16排列在输送部15的两侧而设置。[0041] 输送部15在内部具有基片输送装置17。基片输送装置17具有保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片输送装置17能够向水平方向和铅直方向移动以及能够以铅直轴为中心进行旋转，并且利用晶片保持机构在交接部14与处理组件16之间进行晶片W的输送。[0042] 处理组件16对由基片输送装置17输送来的晶片W进行规定的基片处理。[0043] 另外，基片处理系统1具有控制装置4。控制装置4例如是计算机，具有控制部18和存储部19。在存储部19中保存对在基片处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18读取在存储部19中所存储的程序并加以执行，由此控制基片处理系统1的动作。[0044] 此外，该程序可以是记录在计算机可读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19中的程序。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。[0045] 在如上所述构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13将晶片W从载置于载体载置部11中的载体C取出，并将所取出的晶片W载置于交接部14。载置于交接部14的晶片W通过处理站3的基片输送装置17被从交接部14取出，并向处理组件16送入。[0046] 向处理组件16送入了的晶片W被处理组件16处理后，由基片输送装置17从处理组件16中送出，载置于交接部14。并且，载置于交接部14的处理完成的晶片W通过基片输送装置13被送回载体载置部11的载体C。[0047] 接着，关于处理组件16的一个实施方式的结构进行说明。处理组件16作为单片式的浸渍液处理组件构成。[0048] 如图2所示，处理组件16包括：旋转台100；对晶片W供给处理液的处理液供给部700；和回收从旋转的基片分散的处理液的液接收杯状体(处理杯状体)800。旋转台100能够将晶片W等的圆形的基片以水平姿态保持并使其旋转。旋转台100、处理液供给部700、液接收杯状体800等的处理组件16的构成部件收纳在壳体1601(也称为处理腔室)内。图2仅表示了处理组件16的左半部分。[0049] 旋转台100具有吸附板120、热板140、支承板170、周缘覆盖体180和中空的旋转轴200。吸附板120将载置在其上的晶片W以水平姿态吸附。热板140是支承吸附板120并且对其进行加热的、对于吸附板120的基底板。支承板170支承吸附板120和热板140。旋转轴200从支承板170向下方延伸。旋转台100利用配设在旋转轴200的周围的电动驱动部(旋转驱动机构)102，绕在铅直方向上延伸的旋转轴线Ax旋转，由此，能够使所保持的晶片W绕旋转轴线Ax旋转。电动驱动部102(详细情况未图示)是能够将由电动机产生的动力经由动力传递机构(例如带和滑轮)传递到旋转轴200，从而使旋转轴200旋转驱动的装置。电动驱动部102也可以是利用电动机将旋转轴200直接旋转驱动的装置。[0050] 吸附板120是圆板状的部件，其具有比晶片W的直径稍大的直径(根据结构也可以是相同直径)，即具有比晶片W的面积稍大或者相等的面积。吸附板120具有吸附晶片W下表面(非处理对象的面)的上表面(表面)120A和与热板140的上表面接触的下表面(背面)120B。吸附板120由导热性陶瓷等的高导热率材料例如SiC形成。构成吸附板120的材料的导热率优选为150W/m·k以上。[0051] 热板140是具有与吸附板120的直径大致相等的直径的圆板状的部件。热板140具有板主体141和设置于板主体141的电气式加热器(电加热器)142。板主体141由导热性陶瓷等的高导热率材料例如SiC形成。构成板主体141的材料的导热率优选为150W/m·k以上。[0052] 加热器142能够由设置在板主体141的下表面(背面)的面状加热器例如聚酰亚胺加热器构成。优选在热板140设定如图3所示的多个(例如10个)加热区143‑1～143‑10。加热器142由分别分配到各加热区143‑1～143‑10的多个加热器构件142E构成。各加热器构件142E由在各加热区143‑1～143‑10内弯曲地延伸的导电体形成。在图3中，仅表示了位于加热区143‑1内的加热器构件142E。[0053] 对这些多个加热器构件142E能够利用后述的供电部300彼此独立地供电。因此，能够以不同的条件将晶片W的不同的加热区加热，能够控制晶片W的温度分布。[0054] 如图4所示，在板主体141的上表面(正面)具有1个以上(图示的例子中是2个)的板用吸引口144P、1个以上的(图示的例子中是中心部的1个)基片用吸引口144W、1个以上(图示的例子中是外侧的2个)的吹扫气体供给口144G。板用吸引口144P是为了传递用于使吸附板120吸附于热板140的吸引力而使用的。基片用吸引口144W是为了传递用于将晶片W吸附于吸附板120的吸引力而使用的。[0055] 并且，在板主体141形成有供后述的升降销211通过的多个(在图示例子中是3个)升降销孔145L和用于旋转台100的组装用的螺钉进入的多个(图示的例子中是6个)检修孔145S。通常运转时，检修孔145S被盖145C堵塞。[0056] 上述的加热器构件142E避开上述的板用吸引口144P、基片用吸引口144W、吹扫气体供给口144G、升降销孔145L和检修孔145S而设置。另外，通过使与旋转轴200的连结利用电磁铁来进行，也能够不需要检修孔。[0057] 如图5所示，在吸附板120的下表面120B形成有板用的下表面吸引流路槽121P、基片用的下表面吸引流路槽121W、下表面吹扫流路槽121G。吸附板120在热板140上以适当的位置关系载置时，板用的下表面吸引流路槽121P的至少一部分与板用吸引口144P连通。同样地，基片用的下表面吸引流路槽121W的至少一部分与基片用吸引口144W连通，并且下表面吹扫流路槽121G的至少一部分与吹扫气体供给口144G连通。板用的下表面吸引流路槽121P、基片用的下表面吸引流路槽122W、下表面吹扫流路槽121G彼此分离(没有连通)。[0058] 图10中概略地表示了热板140的吸引口144P(或者144W、144G)与吸附板120的流路槽121P(或者121W、121G)彼此重叠，相互连通的状态。[0059] 如图6和图9所示，在吸附板120的上表面120A形成有多个(图示的例子中是5个)粗环状的分隔壁124。粗分隔壁124，在上表面120A划分出相互分离的多个凹区域125W、125G(外侧的4个圆环状区域和最内侧的圆形区域)。[0060] 在基片用的下表面吸引流路槽121W的多个部位形成有将吸附板120在厚度方向上贯通的多个贯通孔129G，各贯通孔使基片用的下表面吸引流路槽121W与多个(图示的例子中是4个)凹区域125W的任意一者连通。[0061] 另外，在下表面吹扫流路槽121G的多个部位形成有将吸附板120在厚度方向上贯通的贯通孔129G，各贯通孔使下表面吹扫流路槽121G与最外侧的凹区域125G连通。最外侧的凹区域125G成为单一的圆环状的上表面吹扫流路槽。[0062] 多个细的大致环状的隔离壁127在内侧的4个凹区域125W内的各自中成同心圆状地设置。细隔离壁127在各凹区域125W内形成在该凹区域内弯曲地延伸的至少1个上表面吸引流路槽125WG。即，细隔离壁127在各凹区域125W内使吸引力均匀地分散。[0063] 吸附板120的上表面120A作为整体可以是平坦的。如图11中概略地表示，也可以使吸附板120的上表面120A作为整体是弯曲的。公知的是根据在晶片W的表面形成的器件的构造、排列等，晶片W向特定的方向弯曲。配合处理对象的晶片W的弯曲使用使上表面120A弯曲的吸附板120，由此能够更可靠地进行晶片W的吸附。[0064] 在图6所示的实施方式中，通过分隔壁124形成了彼此隔离的多个凹区域125W，但并不限定于此。例如如图12中示意性地表示，可以在分隔壁124设置连通路124A，使与图6的凹区域125W相当的凹区域彼此连通。在该情况下，可以将唯一的贯通孔129W设置在例如吸附板120的中央部。另外，可以不设置粗分隔壁124，而仅将与图6的隔离壁127相当的多个细隔离壁以与图12的分隔壁124同样的形态设置即可。[0065] 如图2所示，在旋转轴线Ax的附近设置有吸引/吹扫部150。吸引/吹扫部150具有设置于中空的旋转轴200的内部的旋转接头151。在旋转接头151的上构件151A连接有与热板140的板用吸引口144P和基片用吸引口144W连通的吸引配管152W，以及与吹扫气体供给口144G连通的吹扫气体供给配管152G。[0066] 虽然未图示，可以使吸引配管152W分支，将分支吸引配管在板用吸引口144P和基片用吸引口144W的正下连接于热板140的板主体141。在该情况下，在板主体141形成贯通板主体141并在上下方向上延伸的贯通孔，在各贯通孔可以连接分支吸引配管。同样地，可以使吹扫气体供给配管152G分支，将分支吹扫气体供给配管在吹扫气体供给口144G的正下连接于热板140的板主体141。在该情况下，可以在板主体141形成贯通板主体141并在上下方向上延伸的贯通孔，并且在各贯通孔连接吹扫气体供给配管。上述的分支吸引配管或者分支吹扫气体配管在图10中概略地表示(标注有参照附图标记152WB、152GB)。[0067] 代替上述的结构，也可以将吸引配管152W和吹扫气体供给配管152G连接于热板140的板主体141的中央部。在该情况下，在板主体141的内部设置使吸引配管152W与板用吸引口144P和基片用吸引口144W分别连通的流路、和使吹扫气体供给配管152G与吹扫气体供给口144G连通的流路。[0068] 在旋转接头151的下构件151B连接有与吸引配管152W连通的吸引配管153W、和与吹扫气体供给配管151G连通的吹扫气体供给配管153G。旋转接头151以维持吸引配管152W、153W彼此的连通、以及吹扫气体供给配管152G、153G彼此的连通的状态不变且上构件151A和下构件151B能够相对地旋转的方式构成。具有这样的功能的旋转接头151其本身是公知的。[0069] 吸引配管153W连接于真空泵等的吸引装置154。吹扫气体供给配管153G连接于吹扫气体供给装置155。吸引配管153W也连接于吹扫气体供给装置155。另外，设置有将吸引配管153W的连接处在吸引装置154与吹扫气体供给装置155之间切换的切换装置156(例如三通阀)。[0070] 在热板140中埋设由用于检测热板140的板主体141的温度的多个温度传感器146。温度传感器146例如能够在10个加热区143‑1～143‑10中各设置一个。另外，在热板140的接近加热器142的位置设置有用于检测加热器142的过热的至少一个温控开关147。[0071] 在热板140与支承板170之间的空间S中，在上述温度传感器146和温控开关147的基础上还设置有用于发送温度传感器146和温控开关147的检测信号的控制信号配线148A、148B，和用于对加热器142的各加热器构件142E供电的供电配线149。[0072] 如图2所示，在旋转接头151的周围设置有开关机构160。开关机构160具有：关于旋转轴线Ax的方向固定的第1电极部161A；在旋转轴线Ax的方向上可动的第2电极部161B；和使第2电极部161B在旋转轴线Ax的方向上移动(升降)的电极移动机构162(升降机构)。[0073] 如图7所示，第1电极部161A具有第1电极承载体163A，和承载在第1电极承载体163A的多个第1电极164A。多个第1电极164A包括：与控制信号配线148A、148B连接的控制信号通信用的第1电极164AC(图7中用小“○”表示。)；和连接于供电配线149的加热器供电用的第1电极164AP(图7中用大“○”表示。)。大电流(加热器电流)流动的第1电极164AP优选采用比小电流(控制信号电流)流动的第1电极164AC大面积的电极。[0074] 第1电极承载体163A作为整体是圆板状的部件。在第1电极承载体163A的中心部形成有供旋转接头151的上构件151A插入的圆形的孔167。旋转接头151的上构件151A可以固定在第1电极承载体163A。第1电极承载体163A的周缘部可以使用螺钉孔171螺纹固定于支承板170。[0075] 如图2中概略地表示，第2电极部161B具有第2电极承载体163B，和承载于第2电极承载体163B的多个第2电极164B。第2电极承载体163B是与图7所示的第1电极承载体163A大致相同直径的作为整体是圆板状的部件。在第2电极承载体163B的中心部形成有旋转接头151的下构件151B能够通过的尺寸的圆形的孔。[0076] 通过相对于第1电极164A升降而相对于第1电极164A接触或分离的第2电极164B具有与第1电极164A相同的平面的配置。此外，以下将与加热器供电用的第1电极164AP(受电电极)接触的第2电极164B(供电电极)称为“第2电极164BP”。另外，将与控制信号通信用的第1电极164AC接触的第2电极164B称为“第2电极164BC”。第2电极164BP连接于供电装置(供电部)300的电功率输出端子。第2电极164BC连接于供电部300的控制用输入输出端子。[0077] 连接各第2电极164B与供电部300的电功率输出端子和控制用输入输出端子的导电通路(导电线)168A、168B、169(参照图2)至少部分地由可挠性的电线形成。利用可挠性的电线，能够在维持第2电极164B与供电部300的导通不变的状态下，第2电极部161B整体绕旋转轴线Ax从中立位置分别向正转方向和逆转方向仅旋转规定角度。规定角度例如是180度，但并不限定关于该角度。这意味着，在维持第1电极164A与第2电极164B的连接不变的状态下，能够使旋转台100旋转大致±180度。[0078] 成对的第1电极164A和第2电极164B的一方可以作为弹簧针构成。在图2中，第2电极164B的整体作为弹簧针形成。此外，“弹簧针”作为表示内置有弹簧的能够伸缩的棒状电极的意思的用于被广泛使用。作为电极，代替弹簧针也能够使用插座、磁铁电极、感应电极等。[0079] 优选设置当成对的第1电极164A和第2电极164B彼此适当地接触时将第1电极承载体163A与第2电极承载体163B不能相对旋转地锁定的锁定机构165。锁定机构165例如如图2所示，由设置于第1电极承载体163A的孔165A、和设置与第2电极承载体并且与孔嵌合的销165B构成。[0080] 优选设置器件172(在图2中概略地表示)，其对于成对的第1电极164A和第2电极164B彼此适当地接触的情况进行检测。作为这样的器件，可以设置对第1电极承载体163A与第2电极承载体163B的角度位置关系处于适当的状态的情况进行检测的角度位置传感器(未图示)。另外，作为这样的器件，可以设置对第1电极承载体163A于第2电极承载体163B的在旋转轴线Ax方向的距离处于适当的状态的情况进行检测的距离传感器(未图示)。并且，也可以设置对销165B适当地嵌合于上述锁定机构165的孔165A中的情况进行检测的接触式的传感器(未图示)。[0081] 在图2中概略地表示的电极移动机构162，虽然未图示，其具有顶起第2电极承载体163B的推杆、和使推杆升降的升降机构(气缸、滚珠螺杆等)而构成(构成例1)。在采用该结构的情况下，例如能够将永久磁石设置在第1电极承载体163A并且将电磁铁设置在第2电极承载体163B。由此，根据需要，能够将第1电极部161A和第2电极部161B以在上下方向上不能相对移动的方式结合，以及能够将第1电极部161A与第2电极部161B分离。[0082] 在采用了第1构成例的情况下，第1电极部161A与第2电极部161B的结合和分离如果在旋转台100的相同的角度位置进行，则第2电极部161B也可以不被以能够绕旋转轴线Ax旋转的方式支承。即，当第1电极部161A与第2电极部161B被分离时，只要具有支承第2电极部161B的部件(例如上述推杆，或者另外的支承台)即可。[0083] 代替上述第1构成例，也可以采用另外的构成例2。虽然详细情况未图示，电极移动机构162的第2构成例包括：以旋转轴线Ax为中心的具有圆环形状的第1环状部件；支承第1环状部件的第2环状部件；插设在第1环状部件与第2环状部件之间能够实现两者的相对旋转的轴承；使第2环状部件升降的升降机构(气缸、滚珠螺杆等)。[0084] 在采用了上述构成例1、2的任一者的情况下，能够保持成对的第1电极164A和第2电极164B适当地接触的状态不变，并且使第1电极部161A和第2电极部161B在某一限定的范围内联动地旋转。[0085] 旋转台100的电动驱动部102具有使旋转台100在任意的旋转角度位置停止的定位功能。定位功能通过基于附加设置在旋转台100(或者利用旋转台100而旋转的部件)的旋转编码器的检测值使电动驱动部102的电动机旋转而能够实现。通过在使旋转台100停止在预先决定的旋转角度位置的状态下，使第2电极部161B利用电极移动机构162而上升，由此能够使第1和第2电极部161A、161B的对应的电极彼此适当地接触。在将第2电极部161B从第1电极部161A分离时，也优选在使旋转台100停止在上述预先决定的旋转角度位置的状态下进行分离。[0086] 如上所述，在吸附板120与支承板170之间的空间S内以及与空间S面对的位置配置有多个电器部件(加热器、配线、传感器类)。周缘覆盖体180防止向晶片W供给的处理液、尤其是腐蚀性的药液侵入到空间S内，保护电器部件。在空间S中，可以经由从吹扫气体供给配管152G分支的配管(未图示)供给吹扫气体(N2气体)。如此一来，能够防止来自药液的腐蚀性的气体从空间S的外部向空间S内侵入，能够将空间S内维持为非腐蚀性的气氛。[0087] 如图2所示，周缘覆盖体180具有上部181、侧周部182和下部183。上部181向吸附板120的上方突出，连接于吸附板120。周缘覆盖体180的下部183连结于支承板170。[0088] 周缘覆盖体180的上部181的内周边缘位于比吸附板120的外周边缘靠半径方向内侧。上部181具有：与吸附板120的上表面接触的圆环状的下表面184；从下表面184的内周边缘竖起的圆环状的内周面185；从内周面185的外周边缘向半径方向外侧大致水平地延伸的圆环状的外周面186。内周面185以随着接近吸附板120的中心部而变低的方式倾斜。[0089] 如图9所示，在吸附板120的上表面120A与周缘覆盖体180的上部181的下表面184之间，为了防止液的浸入而优选实施了密封。密封能够采用配置在上表面120A与下表面184之间的O环192。[0090] 如图5所示，板用的下表面吸引流路槽121P的一部分在吸附板120的最外周部分在圆周方向上延伸。另外，如图6所示，凹槽193在吸附板120的上表面120A的最外周部分在圆周方向上连续地延伸。如图9所示，最外周的下表面吸引流路槽121P与凹槽193经由在厚度方向上贯通吸附板120的在圆周方向上隔开间隔地设置的多个贯通孔129P而连通。在凹槽193上载置周缘覆盖体180的上部181的下表面184。因此，利用作用于板用的下表面吸引流路槽121P的负压，周缘覆盖体180的上部181的下表面184被吸附于吸附板120的上表面120A。通过该吸附，O环192被压碎而实现可靠的密封。[0091] 如图2所示，外周面186即周缘覆盖体180的顶部的高度比被保持于吸附板120上的晶片W的上表面的高度高。因此，当晶片W在被保持于吸附板120的状态下，对晶片W的上表面供给处理液时，能够以使晶片W的上表面位于比液面LS靠下的方式形成能够浸渍晶片W的储液池(液洼)。即，周缘覆盖体180的上部181形成将被保持于吸附板120上的晶片W的周围包围的堰堤。由该堰堤和吸附板120划分出能够储存处理液的凹部。[0092] 周缘覆盖体180的上部181的内周面185的倾斜，在使旋转台100高速旋转时，使位于上述槽内的处理液向外方顺畅地分散较为容易。即由于该倾斜存在，当使旋转台100高速旋转时，能够防止液在周缘覆盖体180的上部181的内周面滞留。[0093] 在周缘覆盖体180的半径方向外侧设置有与周缘覆盖体180一起旋转的旋转罩188(旋转液接收部件)。旋转罩188经由在圆周方向上隔开间隔地设置的多个连结部件189，连结于旋转台100的构成部件、图示的例子中是周缘覆盖体180。旋转罩188的上端位于能够接住从晶片W飞散的处理液的高度。在周缘覆盖体180的侧周部182的外周面与旋转罩188的内周面之间，形成有从晶片W飞散的处理液流下的通路190。[0094] 液接收杯状体800包围旋转台100的周围，回收从晶片W飞散的处理液。在图示的实施方式中，液接收杯状体800具有固定外侧罩构件801、固定内侧罩构件804、可升降的第1可动罩构件802和第2可动罩构件803、固定内侧罩构件804。在彼此相邻的2个罩构件之间(801与802之间、802与803之间、803与804之间)分别形成第1排出通路806、第2排出通路807、第3排出通路808。通过改变第1和第2可动罩构件802、803的位置，能够向3个排出通路806、807、808之中的任意选择的一个导入从周缘覆盖体180与旋转罩188之间的通路190流出的处理液。第1排出通路806、第2排出通路807和第3排出通路808分别连接于半导体制造工厂所设置的酸类排液通路、碱类排液通路和有机类排液通路(均未图示)的任意一者。在第1排出通路806、第2排出通路807和第3排出通路808内设置有未图示的气液分离构造。第1排出通路806、第2排出通路807和第3排出通路808经由排出器等的排气装置(未图示)连接于工厂排气系统，从而被吸引。这样的液接收杯状体800根据本案申请人的专利申请相关联的日本国专利公开公报、日本特开2012‑129462号、日本特开2014‑123713号等是公知的，关于详细内容请参照这些公开公报。[0095] 以关于旋转轴线Ax的方向与热板140的3个升降销孔145L对齐的方式，在吸附板120和支承板170也分别形成有3个升降销孔128L、171L。[0096] 在旋转台100中，贯通升降销孔145L、128L、171L地设置有多个(图示的例子中是3个)升降销211。各升降销211能够在升降销211的上端从吸附板120的上表面120A向上方突出的交接位置(上升位置)、与升降销211的上端位于吸附板120的上表面120A的下方的处理位置(下降位置)之间移动。[0097] 在各升降销211的下方设置有推杆212。推杆212能够利用升降机构213例如气缸而升降。通过推杆212将升降销211的下端顶起，由此能够使升降销211上升到交接位置。将多个推杆212设置在以旋转轴线Ax为中心的环状支承体(未图示)，利用共同的升降机构使环状支承体升降，由此可以使多个推杆212升降。[0098] 载置在位于交接位置的升降销211上的晶片W位于比固定外侧罩构件801的上端809高的高度位置，能够在与进入到处理组件16的内部来的基片输送装置17的臂(参照图1)之间进行晶片W的交接。[0099] 当升降销211从推杆212离开时，由于复位弹簧214的弹力，升降销211下降到处理位置，并被保持在该处理位置。在图2中，附图标记215表示对升降销211的升降进行引导的引导部件，附图标记216表示承受复位弹簧214的弹簧座。此外，在固定内侧罩构件804中，形成有圆环状的凹部810，其用于实现绕旋转轴线Ax的弹簧座216的旋转。[0100] 处理液供给部700具有多个喷嘴。多个喷嘴中包括药液喷嘴701、冲洗喷嘴702和干燥促进液喷嘴703。在药液喷嘴701，从药液供给源701A经由包括插设在药液供给管路(配管)701C的开闭阀、流量控制阀等的流通控制设备(未图示)的药液供给机构701B供给药液。从冲洗液供给源702A经由包括插设在冲洗液供给管路(配管)702C的开闭阀、流量控制阀等的流通控制设备(未图示)的冲洗液供给机构702B供给冲洗液。从干燥促进液供给源703A经由包括插设在干燥促进液供给管路(配管)703C的开闭阀、流量控制阀等的流通控制设备(未图示)的干燥促进液供给机构703B供给干燥促进液、例如IPA(异丙醇)。[0101] 在药液供给管路701C作为用于对药液进行温度调节的温度调节机构能够设置加热器701D。并且，在构成药液供给管路701C的配管中也可以设置用于对药液进行温度调节的带式加热器(未图示)。在冲洗液供给管路702C中也可以设置这一类的加热器。[0102] 药液喷嘴701、冲洗喷嘴702和干燥促进液喷嘴703由喷嘴臂704的前端支承。喷嘴臂704的基端由使喷嘴臂704升降和旋转的喷嘴臂驱动机构705支承。利用喷嘴臂驱动机构705，能够使药液喷嘴701、冲洗喷嘴702和干燥促进液喷嘴703位于晶片W的上方的任意半径方向位置(关于晶片W的半径方向的位置)。[0103] 在壳体1601的顶棚部，设置有检测在旋转台100上是否存在晶片W的晶片传感器860、检测晶片W的温度(或者处于晶片W上的处理液的温度)的1个或者多个红外线温度计870(仅图示了1个)。在设置多个红外线温度计870的情况下，优选各红外线温度计870检测与各加热区143‑1～143‑10分别对应的晶片W的区域的温度。[0104] 接着，关于处理组件16的动作，一并参照图8对在处理组件16中进行药液清洗处理的情况进行说明。在以下说明的动作能够通过利用图1所示的控制装置4(控制部18)控制处理组件16的各种构成部件的动作来进行。[0105] 在图8的时序图中，横轴表示时间经过。项目从上开始依次如以下所述。[0106] PIN：表示升降销211的高度位置，UP表示位于交接位置，DOWN表示位于处理位置。[0107] EL2：表示第2电极部161B的高度位置，UP表示位于与第1电极部161A接触的位置，DOWN表示位于与第1电极部161A分离的位置。[0108] POWER：表示从供电部300向加热器142的供电状态，ON表示供电状态，OFF表示供电停止状态。[0109] VAC：表示从吸引装置154向吸附板120的下表面吸引流路槽121W的吸引力施加状态，ON表示吸引中，OFF表示吸引停止中。[0110] N2‑1：表示从吹扫气体供给装置155向吸附板120的下表面吸引流路槽121W的吹扫气体供给状态，ON表示供给中，OFF表示供给停止中。[0111] N2‑2：表示从吹扫气体供给装置155向吸附板120的下表面吹扫流路槽121G的吹扫气体供给状态，ON表示供给中，OFF表示供给停止中。[0112] WSC：表示晶片传感器860的动作状态，ON是检测吸附板120上的晶片W的有无的状态，OFF表示没有进行检测的状态。“OnWaferCheck”是用于确认吸附晶片W的吸附板120上存在有晶片W的检测动作。“OffWaferCheck”是用于确认晶片W被从吸附板120k上可靠地取出了的检测动作。[0113] [晶片W送入步骤(保持步骤)][0114] 基片输送装置17的臂(参照图1)进入到处理组件16内，并且位于吸附板120的正上方。另外，升降销211位于交接位置(以上时刻t0～t1)。在该状态下，基片输送装置17的臂下降，由此晶片W放置在升降销211的上端上，晶片W与臂分离。接着，基片输送装置17的臂从处理组件16退出。升降销211下降至处理位置，在该过程中，晶片W放置在吸附板120的上表面120A(时刻t1)。[0115] 接着，吸引装置154进行动作，吸附板120被热板140吸附，另外晶片W被吸附板120吸附(时刻t1)。之后，利用晶片传感器860开始晶片W是否被适当地吸附在吸附板120的检查(时刻t2)。[0116] 总是从吹扫气体供给装置155向吸附板120的上表面的最外侧的凹区域125G供给吹扫气体(例如N2气体)。由此，即使在晶片W的下表面的周缘部与吸附板120的周缘部的接触面存在间隙，处理液也不从该间隙侵入到晶片W的周缘部与吸附板120的周缘部之间。[0117] 从晶片W的送入开始前的时刻(比时刻t0靠前)，第2电极部161B位于上升位置，第1电极部161A的多个第1电极164A与第2电极部161B的多个第2电极164B彼此接触。从供电部300向热板140的加热器142供电，热板140的加热器142成为预备加热状态。[0118] [晶片加热步骤][0119] 当晶片W被吸附于吸附板120时，以使热板140的温度升温至预先决定的温度(吸附板120上的晶片W能够被加热到与之后的处理温度相适合的温度)的方式，调节向热板140的加热器142的供给电功率(时刻t1～t3)。[0120] [药液处理步骤(包括液洼形成步骤和搅拌步骤)][0121] 接着，通过处理液供给部700的喷嘴臂将药液喷嘴701位于晶片W的中心部的正上方。在该状态下，从药液喷嘴701将已温度调节的药液供给到晶片W的表面(上表面)(时刻t3～t4)。药液的供给持续至药液的液面LS位于比晶片W的上表面靠上的位置。这时，周缘覆盖体180的上部181作为堰堤发挥作用，防止药液洒落在旋转台100的外侧。[0122] 药液的供给中或者药液的供给后，使旋转台100以低速交替地正转和逆转(例如各180度程度)。由此，搅拌药液，能够使晶片W面内的晶片W表面与药液的反应均匀。[0123] 通常，由于引入到液接收杯状体内的气流的影响，晶片W的周缘部的温度有变低的倾向。可以使加热器142的多个加热器构件142E之中，向负责晶片W的周缘部区域(图3的加热区143‑1～143‑4)的加热的加热器构件142E的供给电功率增大。由此，在晶片W面内的晶片W的温度均匀化，能够使晶片W面内的晶片W表面与药液的反应均匀化。[0124] 在该药液处理中，能够将向加热器142的供给电功率的控制根据设置在热板140的温度传感器146的检测值进行。代替这一方式，也可以将向加热器142的供给电功率的控制基于检测晶片W的表面温度的红外线温度计870的检测值进行。使用红外线温度计870的检测值能够更加精确地控制晶片W的温度。也可以将向加热器142的供给电功率的控制在药液处理的前期基于温度传感器146的检测值进行，在后期基于红外线温度计870的检测值进行。[0125] [药液甩脱步骤(药液除去步骤)][0126] 药液处理完成了后，首先，停止从供电部300向加热器142的供电(时刻t4)，接着，使第2电极部161B下降到下降位置(时刻t5)。先通过停止供电，能够防止在第2电极部161B的下降时在电极间产生火花。[0127] 接着，使旋转台100高速旋转，使晶片W上的药液利用离心力向外方飞散(时刻t5～t6)。由于周缘覆盖体180的上部181的内周面185倾斜，因此比上部181靠半径方向内侧的区域中存在的全部药液(也包含晶片W上的药液)能够顺畅地除去。飞散的药液通过旋转罩188与周缘覆盖体180之间的通路190流下，被回收到液接收杯状体800中。此外，这时，以飞散的药液能够被导入适合于药液的种类的排出通路(第1排出通路806、第2排出通路807、第3排出通路808的任意一者)的方式，使第1和第2可动罩构件802、803位于适当的位置。[0128] [冲洗步骤][0129] 接着，使旋转台100低速旋转，并使冲洗喷嘴702位于晶片W的中心部的正上方，从冲洗喷嘴702供给冲洗液(时刻t6～t7)。由此，在比上部181靠半径方向内侧的区域中残留的全部的药液(也包括晶片W上残留的药液)被冲洗液冲走。[0130] 从冲洗喷嘴702供给的冲洗液可以是常温的冲洗液也可以是加热了的冲洗液。在供给加热了的冲洗液的情况下，能够防止吸附板120和热板140的温度降低。加热了的冲洗液能够从工厂资源系统供给。代替这一方式，为了将常温的冲洗液加热，可以在连接冲洗液供给源702A与冲洗喷嘴702的冲洗液供给管路中设置加热器(未图示)。[0131] [甩干步骤][0132] 接着，使旋转台100高速旋转，并且停止来自冲洗喷嘴702的冲洗液的喷出，利用离心力使比上部181靠半径方向内侧的区域中残留的全部的冲洗液(也包括在晶片W上残留的冲洗液)向外方飞散(时刻t7～t8)。由此，将晶片W干燥。[0133] 也可以在冲洗处理与干燥处理之间对晶片W供给干燥促进液，将比上部181靠半径方向内侧的区域中残留的全部的冲洗液(也包括晶片W残留的冲洗液)置换为干燥促进液。干燥促进液优选比冲洗液挥发性高且表面张力低。干燥促进液例如能够采用IPA(异丙醇)。[0134] 在甩干步骤之后，可以进行加热晶片W的加热干燥。在该情况下，首先，使旋转台100的旋转停止。接着，使第2电极部161B上升到上升位置(时刻t8)，接着，进行从供电部300向加热器142的供电(时刻t9)，使晶片W升温(优选高速升温)，使在晶片的周缘部及其附近略有残留的冲洗液(或者干燥促进液)蒸发，从而将其除去。通过进行上述的使用了IPA的甩干步骤，晶片W的表面充分进行干燥，因此也可以不进行基于加热器142进行的加热干燥。即，在图8的时序图中，从时刻t7与t8之间的时刻至时刻t10与t11之间的时刻的动作可以省略。[0135] [晶片送出步骤][0136] 接着，对切换装置(三方阀)156进行切换，将吸引配管155W的连接处从吸引装置157W变更为吹扫气体供给装置159。由此，对板用的下表面吸引流路槽121P供给吹扫气体，并且经由基片用的下表面吸引流路槽122W对吸附板120的上表面120A的凹区域125W供给吹扫气体。由此，解除晶片W相对吸附板120的吸附(时刻t10)。[0137] 伴随着上述的操作，也解除吸附板120相对热板140的吸附。由于每一次1个晶片W的处理结束时也可以不解除吸附板120相对热板140的吸附，因此也可以变更为不进行该吸附解除的配管系统。[0138] 接着，使升降销211上升至交接位置(时刻t11)。通过上述的吹扫能够解除晶片W相对吸附板120的吸附，因此能够容易使晶片W与吸附板120分离。因此，能够防止晶片W的损伤。[0139] 接着，用基片输送装置17的臂(图1参照)将放置在升降销211上的晶片W抬起，送出到处理组件16的外部(时刻t12)。之后，利用晶片传感器860进行在吸附板120上不存在晶片W的确认。通过以上步骤，完成对1个晶片W的一系列的处理。[0140] 作为在药液清洗处理中使用的药液，能够举例SC1、SPM(硫酸过氧化氢)、H3PO4(磷酸水溶液)等。作为一例，SC1的温度为常温～70℃，SPM的温度为100～120℃，H3PO4的温度为100～165℃。像这样，在以比常温高的温度供给药液的情况下，上述实施方式是有益的。[0141] 依据上述实施方式，由于利用固体内的热传导加热药液，因此能够高精度地控制在晶片W上存在的药液的温度。另外，在冲洗处理和甩干时，通过分离加热器142的供电系统，能够使旋转台100高速旋转，因此能够高效地进行冲洗处理和甩干。[0142] 另外，依据上述实施方式，由于能够不使加热器142的供电系统分离地、使旋转台100仅在某一程度的范围内旋转，因此能够将处理液的液洼在加热了的状态下进行搅拌。因此，能够使在晶片W面内的处理的均匀性提高。[0143] 使用上述的处理组件16，作为液处理也能够进行镀覆处理(尤其是非电解镀覆处理)。在进行非电解镀覆处理的情况下，依次地进行预清洁步骤(药液清洗步骤)、镀覆步骤、后清洁步骤(药液清洗步骤)、IPA置换步骤、甩干步骤(依据情况继续进行加热干燥步骤)。其中，在镀覆步骤中，作为处理液例如使用50～70℃的碱性药液(非电解镀覆液)。在预清洁步骤、后清洁步骤、IPA置换步骤中使用的处理液(药液或者冲洗液)是常温的。因此，在镀覆步骤时，可以进行与上述的晶片加热步骤和药液处理步骤同样的步骤。在预清洁步骤、冲洗步骤、后清洁步骤、IPA置换步骤中，在使第1电极164A与第2电极164B分离的状态下，一边使旋转台旋转，一边将所需的处理液供给到被吸附于吸附板120上的晶片W的上表面。当然，在处理液供给部700中设置对于供给所需的处理液所必须的喷嘴和处理液供给源。[0144] 接着，参照图13关于处理组件的其他构成例进行说明。在图13的构成例中，在加热器142的下表面，设置有具有与加热器142大致相同平面形状的辅助加热器900。与加热器142同样地，辅助加热器900也能够由面状加热器、例如聚酰亚胺加热器构成。在均能够由聚酰亚胺加热器构成的加热器142与辅助加热器900之间，优选插设由聚酰亚胺膜形成的绝缘膜。[0145] 与加热器142同样地，在辅助加热器900也设定多个加热区，可以对各加热区独立地进行控制。也可以在加热器142设定单一的加热区，使加热器142的整体均等地发热。[0146] 接着，关于辅助加热器900的供电装置进行说明。供电装置具有接触式的电功率传送机构。电功率传送机构以当旋转台100向一个方向连续地旋转时(这时不能经由开关机构160向加热器142供电)也能够向辅助加热器900通电的方式构成。电功率传送机构与旋转接头151同轴地设置，优选组装在旋转接头151或者形成一体化。[0147] 关于第1构成例的电功率传送机构910，参照图14A的动作原理图和图14B的轴方向截面图进行说明。如图14A所示，电功率传送机构910具有与滚动轴承(滚珠轴承或者滚柱轴承)类似的构成，具有外滚道圈911、内滚道圈912和多个滚动体(例如滚珠轴承)913。外滚道圈911、内滚道圈912和滚动体913由导电性材料(导电体)形成。优选对电功率传送机构910的构成构件(911、912、913)间施加适度的预载。通过这样做，经由滚动体913在外滚道圈911与内滚道圈912之间能够确保更稳定的导通。[0148] 组装有基于上述动作原理的电功率传送机构910的旋转接头151的具体例在图14B中表示。旋转接头151具有：固定于在壳体1601内所设置的框架或者固定于该框架的支架(均未图示)的下构件151B；和固定于旋转台100或者与其联动地旋转的部件(未图示)的上构件151A。[0149] 图14B中表示的旋转接头151的构成自身是公知的，简单地进行说明。即，在上构件151A的圆筒形的中心孔152A插入有下构件151B的圆柱形的中心突起152B。中心突起152B经由一对轴承153支承于上构件151A。在中心孔152A的内周面形成有与处理的气体的种类对应数量(在图14B中是GAS1和GAS2这2个，但并不限定于此)的圆周槽154A。在各圆周槽154A的两肋设置有用于防止气体的泄露的密封环155S。在上构件151A内形成有与多个圆周槽154A分别连通的气体通路156A。各气体通路156A的端部成为气体出口端口157A。在中心突起152B的外周面，在与多个圆周槽154A分别对应的轴方向位置设置有多个圆周槽154B。在下构件151B内形成有与多个圆周槽154B分别连通的气体通路156B。各气体通路156B的端部成为气体入口端口157B。[0150] 依据图14B所示的结构，在上构件151A和下构件151B进行旋转时，实质上没有气体泄露，气体能够在气体入口端口157B与气体出口端口157A之间流动。当然，在气体入口端口157B与气体出口端口157A之间也能够传递吸引力。[0151] 在旋转接头151的上构件151A与下构件151B之间，组装有电功率传送机构910。在图14B的例子中，外滚道圈911嵌入在下构件151B的圆筒形的凹部中(例如被压入)，上构件151A的圆柱形的外周面嵌入在内滚道圈912中(例如被压入)。外滚道圈911与下构件151B之间、以及上构件151A与内滚道圈912之间，被实施了适当的电绝缘处理。外滚道圈911经由电线916与电源(或者供电控制部)915电连接，内滚道圈912经由电线914与辅助加热器900电连接。此外，在图14B的例子中，内滚道圈912是与旋转台100一体地旋转的旋转部件，外滚道圈911为非旋转部件。电源915也可以是图13中表示的供电部300的一部分。[0152] 此外，在图14B所示的结构中，将电功率传送机构910的滚动轴承在轴方向上多段地设置，由此也能够进行多通道的供电。在该情况下，也能够在辅助加热器900设置多个加热区，对各加热区进行独立的供电。[0153] 接着，关于第2构成例的电功率传送机构920参照图14C进行说明。图14C所示的电功率传送机构920由其自身公知的滑环构成，以能够多通道供电的方式构成。滑环由作为导电体的旋转环和刷构成。滑环由固定部921和旋转部922构成。固定部921固定于在壳体1601内所设置的框架或者固定在该框架的支架(均未图示)。旋转部922固定于旋转台100或者与其联动地旋转的部件(未图示)。在固定部921的侧周面设置有多个端子，该多个端子连接有与电源或者供电控制部(未图示)电连接的多个电线923。与上述多个端子分别导通的多个电线924从旋转部922的轴方向端面延伸，电连接于辅助加热器900。[0154] 在图14C的构成例中，旋转接头151的下构件151B作为在其中心具有贯通孔158的中空部件构成。在贯通孔的内部收纳由作为滑环而构成的电功率传送机构920。与图14B的构成例同样地，旋转接头151的下构件151B固定于在壳体1601内所设置的框架或者固定在该框架的支架(均未图示)。另外，旋转接头151的上构件151A固定于旋转台100或者与其联动地旋转的部件(未图示)。[0155] 此外，在热板140与支承板170之间的空间S内的适当的部位，可以设置将经由电功率传送机构输送来的电功率分配到多通道的分配器和控制向各个加热区的供电的控制模块(均未图示)。通过这样构成，即使电功率传送机构是对应于单通道的机构，也能够在辅助加热器900设置多个加热区并对各加热区进行独立的供电。[0156] 对辅助加热器900供电的供电装置并不限定于上述的装置，能够采用使用了具有进行所希望的电平的电功率的传送的同时允许相对旋转的送电部和受电部的、任意公知的电功率传送机构的装置。[0157] 电功率传送机构以能够进行多通道的电功率传送的方式构成的情况下，能够将1个或者多个传送通道用于传送控制信号或者检测信号。[0158] 此外，图13和图14A～图14C所示的电功率传送机构，也可以承担先前参照图2和图11所说明的经由开关机构160向主加热器142的供电功能和控制/检测信号的传送功能的全部或者一部分。在该情况下，可以将开关机构160完全废弃，也可以将开关机构160的构成的一部分省略。[0159] 如图13所示的处理组件16的动作，关于向辅助加热器900的通电以外的点能够与先前所说明的图2的处理组件16的动作相同。[0160] 在一个实施方式中，对辅助加热器900总是通电。在一个实施方式中，经由开关机构160对加热器(主加热器)142供给的电功率，比经由图14A～图14C所示的电功率传送机构910、920和图13所示的电功率传送机构(902、903)对辅助加热器900供给的电功率大。即，辅助加热器900的主要作用是，在基于加热器142进行的加热不能实现的状况下，防止热板140的温度降低。但是，辅助加热器900的发热量可以与加热器142的发热量是大致相同水平。[0161] 此外，在一个实施方式中，在处理组件16(基片处理系统1)的工作中，向辅助加热器900的供给电功率被维持为一定，晶片W的温度控制通过调节向加热器142的供给电功率来进行。但是，也可以通过调节向辅助加热器900的供给电功率，使辅助加热器900参与晶片W的温度控制。[0162] 此外，在上述实施方式中，设置了通过独立的供电系统分别供电的加热器(主加热器)142即第1加热器构件、和辅助加热器900即第2加热器构件，但并不限定于此。例如，也可以不设置辅助加热器900，而构成为对于主加热器142能够利用包含上述的开关机构160的第一供电系统、和包含上述的电功率传送机构910、920以及电功率传送机构(902、903)的第二供电系统来进行电功率供给。[0163] 以下，参照图15和图16关于参与加热器的温度控制的构件间的关系的例子进行说明。[0164] 首先，关于图15的例子进行说明。在图15的例子中，使用进行上述的接触分离动作的开关机构160和能够总是进行电功率传送的电功率传送机构910(也可以是920)传送电功率和控制信号(或者检测信号)。[0165] 经由开关机构160的控制信号通信用的第1电极164AC和第2电极164BC，对内置于供电部300(也参照图13)中的温度控制部TR1传送N个(例如与加热区的数量相同数量的10个)温度传感器146(例如热电偶TC1)的检测信号。而且在该情况下，供电部300包含上述的电源915。[0166] 温度控制部(调压器)TR1基于所接收的温度传感器TC1的检测信号，计算出应该对加热器142的各加热器构件142E供给的电功率。温度控制部TR1将与所计算的电功率相应的电功率经由开关机构160的加热器供电用的第1电极164AP和第2电极164BC供给到加热器构件142E。[0167] 如果通过M个(例如3个)温控开关147的任意者检测出热板140的异常升温，则利用电功率传送机构910的1个以上的传送通道将该检测结果传送到联锁控制部(I/L)。联锁控制部(I/L)使温度控制部TR1停止向加热器142的供电。[0168] 设置于热板140的热电偶等的温度传感器TC2(这在图15以外没有被图示)的检测信号，利用电功率传送机构910的1个以上的传送通道传送到内置于供电部300的温度控制部(调压器)TR2。温度控制部TR2基于所接收的温度传感器TC2的检测信号，计算出应该对辅助加热器900供给的电功率。温度控制部TR2将与所计算的电功率相应的电功率经由电功率传送机构910供给到辅助加热器900。此外，如上所述，也可以对辅助加热器900供给一定的电功率。[0169] 接着，关于图16的例子进行说明。在图16的例子中，利用进行上述的接触分离动作的开关机构160和非接触式的电功率传送机构(902、903)传送电功率供给和控制信号(或者检测信号)。以下，仅关于与图15的例子的不同点进行说明。[0170] 在图16的例子中，来自温控开关147的异常升温的检测信号，经由开关机构160的控制信号通信用的第1电极164AC和第2电极164BC，传送到内置于供电部300的温度控制部TR1。另外，在图16的例子中，能够代替设置于热板140的热电偶等的温度传感器TC2，而利用红外线温度计870检测晶片W或者吸附板120(没有晶片W的情况下)的表面的温度。并且，基于该检测结果，温度控制部TR2经由电功率传送机构910向辅助加热器900供给电功率。[0171] 此外，虽然在图15和图16中未图示，在需要接地的情况下，能够使用开关机构160或者电功率传送机构910(也可以是920)的1个传送通道。[0172] 如图17中概略地表示，在处理组件16内也可以进一步设置顶板950，该顶板950为具有与晶片W大致相同直径的圆板形状。在顶板950中可以内置有加热器952。顶板950利用板移动机构960能够在与被保持在旋转台100的晶片接近的覆盖位置(图17中表示的位置)、和与晶片W充分远离的待机位置(例如能够使喷嘴臂704位于晶片W的上方的位置)之间进行移动。待机位置可以是旋转台100的正上的位置，也可以是俯视时液接收杯状体800的外侧的位置。[0173] 在设置有顶板950的情况下，当执行上述的药液处理步骤时，顶板950位于覆盖位置。即，顶板950被配置在覆盖晶片W的药液(CHM)的液洼的液面的附近。在该情况下，利用顶板950能够抑制药液成分的飞散导致的处理组件16内的污染。[0174] 在顶板950具有加热器952的情况下，顶板950起到将晶片W和晶片W上的药液保温的作用。另外，由于利用加热器952对顶板950的下表面加热，因此在晶片W上被加热而从药液产生的蒸气(水蒸气)不会在顶板950的下表面上结露。因此，能够维持药液的液膜的表面与顶板950的下表面之间的空间(间隙)的蒸汽压，因此能够抑制药液的蒸发，能够将药液的浓度维持在所希望的范围内。另外，能够防止药液的消耗量的增大。并且，也能够防止顶板950的下表面被污染。此外，顶板950的加热器952的设定温度也可以不必如旋转吸盘的设定温度那样高，在顶板950的下表面不产生结露的程度的温度即可。该效果，在药液为湿蚀刻用药液或者清洗用药液的情况下、或者镀覆(非电解镀覆)用的药液(镀覆液)的情况下也能够获得。[0175] 在顶板950也可以设置对顶板950的下方的空间供给非活泼性气体例如氮气(N2气体)的气体喷嘴980。利用从气体喷嘴980供给的非活泼性气体，能够使晶片W的上表面与顶板950的下表面之间的空间的氧浓度降低，因此对于厌氧性气氛的各种处理是有益的。例如，在非电解镀覆处理的情况下，防止镀覆液的氧化，对于为了镀覆膜的品质提高是有益的。[0176] 可以设置从顶板950的下表面外周边缘向下方突出的圆周壁。利用这样的圆周壁包围晶片W的上表面与顶板950的下表面之间的空间，由此，能够高效地进行从喷嘴980供给的非活泼性气体形成的气氛控制。[0177] 如前文中简单说明，能够使用上述的处理组件16(图2或者图13中所示的处理组件)，作为液处理进行镀覆处理(尤其是非电解镀覆处理)。关于这一内容在以下进行详细说明。[0178] 首先，用处理组件16进行镀覆处理的情况下，如先前参照图17所说明的顶板950设置在处理组件16中。另外，在喷嘴臂704设置与先前所说明的喷嘴701～703具有同样的结构的4个喷嘴。对4个喷嘴从与先前所说明的供给源701A～703A同样的液供给源经由设置有液供给机构的配管分别供给4种处理液，该液供给机构具有与先前所说明的包含流通控制设备的液供给机构701B～703B具有同样的结构。在一个实施方式中，4种处理液为预清洁液、镀覆液(非电解镀覆用的镀覆液)、后清洁液和冲洗液。[0179] 以下，关于镀覆处理的各步骤进行说明。在以下的说明中也参照图18的示意图。在图18的示意图中，L表示处理液(上述4种处理液的任意种)，N表示上述的4个喷嘴的任意者。[0180] [晶片W送入步骤(保持步骤)][0181] 首先，进行晶片W送入步骤(保持步骤)。该步骤与药液清洗处理中的晶片W送入步骤(保持步骤)相同，省略重复说明。这时，如图18的(A)的示意图所示，第1电极部161B与第2电极部161B分离，从供电部300向加热器142的供电停止。[0182] [预清洁步骤][0183] 接着，通过一边使保持晶片W的旋转台100旋转，一边从预清洁液供给用的喷嘴向晶片W的表面的中央部供给预清洁液来进行。对晶片W上供给的预清洁液利用离心力一边向晶片W的周缘部扩散一边流动，从晶片W的周缘向外方流出。这时，晶片W的表面被预清洁液的较薄的液膜覆盖。通过预清洁步骤，晶片W的表面成为适合于镀覆处理的状态。这时，第1电极部161B与第2电极部161B继续分离，从供电部300向加热器142的供电停止。这时的状态表示在图18的(B)的示意图中。从晶片W的周缘向外方流出的处理液L(预清洁液)沿着周缘覆盖体180的上部181的倾斜的内周面185向旋转台100的外方飞散。[0184] [第1冲洗步骤][0185] 接着，保持使旋转台100旋转的状态不变，使预清洁液的供给停止并且从冲洗液供给用的喷嘴向保持在旋转台的晶片W的表面的中央部供给冲洗液(例如DIW)。利用供给到晶片W上的冲洗液，冲洗在晶片W上残留的预清洁液和反应副产物。这时，第1电极部161B与第2电极部161B也继续分离，从供电部300向加热器142的供电停止。这时的状态也与图18的(B)相同(但是，处理液L为冲洗液)。[0186] [镀覆液置换步骤][0187] 接着，保持使旋转台100旋转的状态不变，停止冲洗液的供给并且从镀覆液供给用的喷嘴向保持在旋转台的晶片W的表面的中央部供给镀覆液。由此，残留在晶片W上的冲洗液被置换为镀覆液。这时的状态也与图18的(B)相同(但是，处理液L为镀覆液)。[0188] 此外，直至向晶片W的表面的镀覆液的供给开始，向壳体1601内供给非活泼性气体(例如氮气)，优选预先使壳体1601内的氧浓度降低。能够使设置在壳体1601的顶棚部的FFU(风扇过滤器组件)具有作为对壳体1601内供给非活泼性气体的非活泼性气体供给部的功能。在该情况下，在FFU设置有供给清洁空气的功能和供给非活泼性气体的功能。也可以代替该结构，而在FFU以外另设由对壳体1601内供给非活泼性气体供给的喷嘴等构成的非活泼性气体供给部。通过抑制镀覆液的氧化，能够使镀覆膜的品质提高。[0189] [晶片加热步骤][0190] 将冲洗液置换为镀覆液后，继续保持镀覆液的供给，而停止晶片W的旋转。接着，使第2电极部161B移动到上升位置，使第1电极部161A的多个第1电极164A与第2电极部161B的多个第2电极164B相互接触，接着，开始向热板140的加热器142的电功率供给。这时，以热板140的温度升温至预先设定的温度(吸附板120上的晶片W能够被加热到适合与之后的镀覆处理的温度那样的温度)的方式，调节向热板140的加热器142的供给电功率。[0191] [镀覆处理步骤(包括液洼形成步骤和搅拌步骤)][0192] 在晶片加热步骤之后或者与晶片加热步骤并行地在晶片W的表面形成镀覆液的液洼(储液池)。在冲洗液置换为镀覆液之后，保持继续进行镀覆液的供给，并使晶片W的旋转停止时，在晶片W的表面形成的镀覆液的液膜变厚。这时的状态表示在图18的(C)中(但是，处理液L是镀覆液)。镀覆液的供给例如继续至镀覆液的液膜表面的高度成为比周缘覆盖体180的上部181的高度稍低的高度位置，之后，停止镀覆液的供给。周缘覆盖体180的上部181作为堰堤发挥作用，防止镀覆液洒落到旋转台100的外侧。[0193] 希望的厚度的镀覆液的液洼形成后，使镀覆液供给用的喷嘴和保持该喷嘴的喷嘴臂(例如图2、图13中表示的喷嘴臂704)从晶片W的上方退避。接着，如图17和图18的(D)所示，使顶板950位于覆盖位置。即，使顶板950接近在晶片W的表面所形成的镀覆液的液膜的表面。另外，对内置于顶板950的加热器952通电，至少将顶板950的下表面加热。[0194] 这时，顶板950如先前所述能够起到晶片W和晶片W上的镀覆液的保温、晶片W上的镀覆液的周围的气氛控制以及晶片W上的镀覆液的浓度维持等的作用等。[0195] 优选，顶板950位于覆盖位置的期间，从设置于顶板950的气体喷嘴980将非活泼性气体例如氮气供给到晶片W上的镀覆液的液膜的表面与顶板950的下表面之间的空间，使该空间为低氧浓度气氛。由此，能够防止镀覆液的氧化导致的劣化，提高镀覆膜的品质。[0196] 在镀覆液的供给中或者镀覆液的供给后，优选使旋转台100以低速交替地正转和逆转(例如各180度程度)。由此，镀覆液被搅拌，能够是在晶片W面内的晶片W表面与镀覆液的反应均匀化。如上所述，能够保持使第1电极部161B与第2电极部161B接触的状态，使旋转台100旋转大致±180度。[0197] 在镀覆处理步骤中，第1电极部161A与第2电极部161B继续彼此接触。与先前所说明的药液处理步骤同样地，在镀覆处理步骤中，也能够基于设置在热板140的温度传感器146的检测值进行向加热器142的供给电功率的控制。代替该结构，也可以基于检测晶片W的表面温度的红外线温度计870的检测值进行向加热器142的供给电功率的控制。使用红外线温度计870的检测值能够更加精确地控制晶片W的温度。也可以将向加热器142的供给电功率的控制在镀覆处理步骤的前期基于温度传感器146的检测值进行，而在后期基于红外线温度计870的检测值进行。[0198] 与先前所说明的药液处理步骤同样地，在镀覆处理步骤中，可以使向负责晶片W的周缘部区域(图3的加热区143‑1～143‑4)的加热的加热器构件142E的供给电功率增大。由此，在晶片W面内的晶片W的温度均匀化，能够使在晶片W面内的晶片W表面与镀覆液的反应均匀化。[0199] 形成所希望的镀覆膜后，使顶板950移动到退避位置，另外，停止从供电部300向加热器142的电功率供给。接着，使第2电极部161B移动到下降位置，将第1电极164A与第2电极164B相互分离。[0200] [第2冲洗步骤][0201] 接着，使保持有晶片W的旋转台100旋转，从冲洗液供给用的喷嘴向保持在旋转台的晶片W的表面的中央部供给冲洗液(例如DIW)。利用供给到晶片W上的冲洗液冲洗残留在晶片W上的镀覆液和反应副产物。这时，第1电极部161B与第2电极部161B继续分离，继续停止从供电部300向加热器142的供电。这时的状态与图18的(B)相同(但是，处理液L为冲洗液)。[0202] [后清洁步骤][0203] 接着，继续一边使旋转台100旋转，一边从后清洁液供给用的喷嘴向晶片W的表面的中央部供给后清洁液。利用供给到晶片W上的后清洁液，进一步冲洗残留在晶片W上的反应副产物。这时，继续停止从供电部300向加热器142的供电。通过停止向加热器142的供电，能够防止作为低浓度碱性溶液的后清洁液的温度上升的情况下能够产生的镀覆膜的蚀刻。这时的状态与图18的(B)相同(但是，处理液L为后清洁液)。[0204] [第3冲洗步骤][0205] 接着，继续一边使旋转台100旋转，一边从冲洗液供给用的喷嘴向保持在旋转台的晶片W的表面的中央部供给冲洗液(例如DIW)。利用供给到晶片W上的冲洗液，能够冲洗残留在晶片W上的后清洁液和反应副产物。这时，继续停止从供电部300向加热器142的供电。这时的状态与图18的(B)相同(但是，处理液L为冲洗液)。[0206] [甩干步骤][0207] 接着，使旋转台100高速旋转，并且停止从冲洗液供给用的喷嘴喷出冲洗液，并且使存在于比上部181靠半径方向内侧的区域中的全部的冲洗液(也包含残留在晶片W上的冲洗液在内)利用离心力向外方飞散。由此，晶片W进行干燥。这时，从供电部300向加热器142的供电继续停止。[0208] 与药液清洗处理同样地，在甩干步骤之后，可以进行加热晶片W的加热干燥。[0209] [晶片送出步骤][0210] 接着，按照与药液清洗处理中的晶片送出步骤同样的步骤执行晶片送出步骤。这时，从供电部300向加热器142的供电继续停止。[0211] 通过以上内容，完成了对1个晶片W的镀覆处理的一系列步骤。[0212] 进行上述的镀覆处理的情况下，能够获得与进行先前所说明的药液处理的情况下同样的优点。[0213] 在第1冲洗步骤之后、镀覆液置换步骤之前，可以执行对晶片W施加成为镀覆膜的析出的催化剂的钯施加步骤。为了进行该钯施加步骤，而设置液供给机构，其包括用于将钯催化剂液供给到晶片W的喷嘴，和用于从钯催化剂液的供给源向该喷嘴供给钯催化剂液的流通控制设备(均未图示)。在钯施加步骤之后、镀覆液置换步骤之前，能够进行另外的冲洗。[0214] 在开始后清洁步骤前，可以执行冷却旋转台100的冷却步骤。旋转台100的冷却例如能够通过以下的步骤实施。首先，解除基于旋转台100的吸附板120进行的晶片W的吸附。接着，由升降销211抬起晶片W，将晶片W与吸附板120分离。接着，使基片用吸引口144W作用吸引力，吸引吸附板120的上表面附近的气氛。此外，这时，优选不使用作为工厂资源的吸引管路(工厂排气系统)，而使用排出器进行将吸引排气向有机排气管路进行排气。[0215] 当大致常温的气体(清洁空气或者氮气)流入基片用吸引口144W时，通过利用该气体吸收热量，冷却吸附板120和与其相接触的板(例如热板140)。吸附板120被冷却至所希望的温度后，使提起晶片W的升降销211下降，将晶片W载置在吸附板120上。接着，使基片用吸引口144W作用吸引力，将晶片W吸附在吸附板120。[0216] 通过上述的冷却步骤能够冷却吸附板120。另外，在冷却步骤中从吸附板120离开的晶片W的温度也降低。当后清洁液与高温的晶片W(即镀覆膜)接触时，镀覆膜有可能被蚀刻成有问题的程度。但是，通过执行上述冷却步骤，能够防止镀覆膜的蚀刻的问题。[0217] 在使用图13所示的处理组件的情况下，在执行上述的全部步骤、即晶片W送入步骤(保持步骤)、晶片加热步骤、药液处理步骤(包括液洼形成步骤和搅拌步骤)、药液甩脱步骤(药液除去步骤)、冲洗步骤、甩干步骤和晶片送出步骤期间，能够对辅助加热器900连续地供给电功率。在该情况下，在开关机构160的第1电极部161A的第1电极164A与第2电极部161B的第2电极164B接触并且对加热器(主加热器)142通电的期间(接触期间)内，和在第1电极164A与第2电极164B离开的期间(分离期间)内可以进行不同的控制。[0218] 具体而言，例如，在接触期间内，通过控制向加热器142的供给电功率来进行旋转台100的热板140的温度控制，可以对辅助加热器900持续供给一定的电功率。此外，在分离期间内，热板140的温度控制通过控制向辅助加热器900的供给电功率来进行。[0219] 在接触期间内，可以通过向加热器142的供给电功率的控制和向辅助加热器900的供给电功率的控制两者来进行旋转台100的热板140的温度控制。[0220] 在另一实施方式中，在接触期间内，也可以不对辅助加热器900供给电功率，而仅通过控制对加热器142的供给电功率来进行热板140的温度控制。[0221] 在分离期间内的热板140的温度可以与药液处理步骤时(这是接触期间内的一部分)的热板140的温度不同，例如可以较低。[0222] 在分离期间内，通过自然散热或者利用常温的处理液的冷却，热板140(及其上的吸附板120)的温度降低。当进行镀覆处理步骤时，为了使温度降低了的热板140和吸附板120再次升温至所希望的温度需要一定程度的较长时间。这成为处理的生产率降低的主要原因。通过在分离期间内对辅助加热器900供给电功率将热板140保温，能够缩短为了使热板140和吸附板120再次升温至所希望的温度所需要的时间。[0223] 此外，如上所述，当执行后清洁步骤时，不希望热板140和吸附板120的温度较高，因此优选在后清洁步骤完成后开始向辅助加热器900的电功率供给。[0224] 本次公开的实施方式的全部内容均为例示而不应认为是限定性的内容。上述的实施方式只要不脱离附加的请求保护范围及其主旨，就能够以各种形态进行省略、置换和变更。[0225] 处理对象的基片不限定于半导体晶片，也可以是玻璃基片、陶瓷基片等的半导体器件的制造中使用的其它种类的基片。[0226] 附图标记的说明[0227] W 基片[0228] 100 旋转台[0229] 102 旋转驱动机构[0230] 142 电加热器[0231] 164AP(164A) 受电电极[0232] 164BP(164B) 供电电极[0233] 162 电极移动机构[0234] 300 供电部[0235] 800 处理杯状体[0236] 701、702、703 处理液喷嘴[0237] 701B、702B、703B 处理液供给机构[0238] 4、18控制部

专利地区：日本

专利申请日期：2019-09-26

专利公开日期：2024-07-26

专利公告号：CN112740367B