三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的制备方法及其应用

专利名称：三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的制备方法及其应用

专利类型：发明专利

专利申请号：CN202310268500.2

专利申请（专利权）人：江苏科技大学
权利人地址：江苏省镇江市丹徒区长晖路666号

专利发明（设计）人：何秋英,陈传祥,姚海倩,杨磊,董莹

专利摘要：本发明属于纳米材料技术领域，涉及复合光催化剂，尤其涉及一种三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的制备方法，先制得In2O3，再制得InO@SIS，然后将InO@SIS和#imgabs0#分散在无水乙醇中，加入#imgabs1#25℃磁力搅拌均匀，经多次洗涤，50～60℃真空干燥，即得。本发明制备工艺绿色简便、低廉、环保，易于规模化生产，所制得的双S型InO@SIS/CdS异质结催化剂，在InO@SIS的基础上再与CdS量子点耦合所产生的两个电子传输通道，有利于提升光生载流子的寿命，促进光生电子空穴的分离与转移，又有效增强了复合材料的稳定性，在可见光量子效率测试中有效地提升了太阳光利用效率。因此，InO@SIS/CdS异质结大幅度地提高了光催化分解水的能力，在催化实际应用领域具有广阔的前景。

主权利要求：
1.一种三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A、将In(NO3)3·3H2O和1,4‑苯二甲酸分散在DMF中，剧烈搅拌均匀，油浴中加热110～
130℃保持1～2h，自然冷却至室温，过滤、乙醇洗净，60℃干燥过夜，得到In‑MIL‑68；将得到的粉末在空气中450～550℃退火2～4h，加热过程的加热速率为5℃/min，得到In2O3；
B、依次将SnCl4·5H2O、InCl3·4H2O和硫代乙酰胺溶于乙醇中混合均匀，再将In2O3粉末分散到所得溶液中，剧烈搅拌30分钟，油浴加热60～80℃保持2～4h，过滤，用乙醇洗净，真空干燥过夜得到InO@SIS；
C、将InO@SIS和Cd(NO3)2·4H2O分散在无水乙醇中，加入Na2S·9H2O，25℃磁力搅拌均匀，经多次洗涤，50～60℃真空干燥，即得。
2.根据权利要求1所述的三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的制备方法，其特征在于：步骤A中所述油浴中加热120℃保持1.5h。
3.根据权利要求1所述的三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的制备方法，其特征在于：步骤A中所述将得到的粉末在空气中500℃退火3h。
4.根据权利要求1所述的三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的制备方法，其特征在于：步骤A中参与反应的In(NO3)3·3H2O、1,4‑苯二甲酸和DMF用量比为0.15～0.23mmol:
0.29～0.43mmol:120～180mL。
5.根据权利要求4所述的三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的制备方法，其特征在于：步骤A中所述参与反应的In(NO3)3·3H2O、1,4‑苯二甲酸和DMF用量比为0.19mmol:
0.36mmol:150mL。
6.根据权利要求1所述的三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的制备方法，其特征在于：步骤B中所述油浴加热70℃保持3h。
7.根据权利要求1所述的三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的制备方法，其特征在于：步骤B中参与反应的SnCl4·5H2O、InCl3·4H2O、TAA、In2O3和乙醇用量比为0.48～
0.72mmol:2.56～3.84mmol:4.80～7.2mmol:0.04～0.06g:56～84mL。
8.根据权利要求7所述的三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的制备方法，其特征在于：步骤B所述SnCl4·5H2O、InCl3·4H2O、TAA、In2O3和乙醇用量比为0.60mmol:3.20mmol:
6.00mmol:0.05g:70ml。
9.根据权利要求1所述的三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的制备方法，其特征在于：步骤C中，参与反应的Cd(NO3)2·4H2O、Na2S·9H2O、乙醇、InO@SIS用量比为0.80～
1.20mmol:0.08～0.12mmol:40～60mL:0.04～0.06g。
10.根据权利要求9所述的三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的制备方法，其特征在于：步骤C中，所述参与反应的Cd(NO3)2·4H2O、Na2S·9H2O、乙醇、InO@SIS用量比为
1.00mmol:0.10mmol:50mL:0.05g。
11.根据权利要求1所述的三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的制备方法，其特征在于：步骤C中，真空干燥时间为5～10h。
12.一种根据权利要求1‑11任一所述方法制备得到的三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的应用，其特征在于：将其应用于光水解制氢。 说明书 : 三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的制备方法及其应用技术领域[0001] 本发明属于纳米材料技术领域，涉及复合光催化剂，具体涉及一种三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的制备方法及其应用。背景技术[0002] 在过去的几十年里，随着不可再生的化石能源过度使用，能源短缺和环境恶化问题变得更加严重，迫切需要开发可持续的清洁能源。在众多新能源中，氢气被认为是能量密度最高的清洁能源。目前，人们已经为开发氢气生产技术做出了相当大的努力，其中利用光催化技术从水中产生氢能源被认为是各种氢生产技术中很有前途的候选技术之一。光催化剂在光催化制氢过程中发挥着重要作用。大多数原始光催化剂在实际应用中表现出不尽如人意的催化性能，主要是由于严重的光腐蚀、低可见光吸收能力和高载流子重组率等。因此，为促进氢能源技术的发展，合理设计具有多种效应的复合光催化剂仍然是高活性催化材料的核心。[0003] 中空结构作为独特的结构具有独特的结构优势，不仅减少了电荷迁移的距离，加速了反应进程，还提供了大的表面积，呈现出丰富的催化位点。此外，内部空隙有利于多重光反射和散射，增加光利用率。空心纳米结构In2O3可以用MOFs作为模板来生产，但是其载流子复合严重，难以应用于可见光条件下的催化反应。SnIn4S8(SIS)是一种具有立方尖晶石结构的n型半导体硫化物，由多个薄的纳米片堆积成三维(3D)纳米花结构，在制备和应用过程中容易出现堆积或结块，通常表现为活性位点的缺乏和光生电子和空穴的快速重组，这导致裸SIS在可见光下的催化性能与实际应用相差甚远。CdS量子点由于其适当的带隙、强烈的可见光吸收和高效的载流子生成，被认为是有希望的制氢候选者之一。此外，尺寸为2‑10纳米的量子点具有突出的特性，如量子尺寸效应、表面效应和更多暴露的活性点，有助于提高CdS的光催化活性。[0004] 基于上述这三种半导体光催化剂具有合适的能带结构和明显的费米能级差异的考虑，发明人首先在金属有机聚合物衍生的In2O3微管上原位生长SIS纳米片，制备出层状In2O3@SnIn4S8(InO@SIS)管状异质结构，并在表面生长CdS量子点，制备了三元In2O3@SnIn4S8/CdS(InO@SIS/CdS)异质结。从实际应用角度而言，建立InO@SIS/CdS异质结这种独特的层状中空管状结构，在一定程度上减少SIS纳米片的聚集，提供较大的比表面积和大量的反应位点，并有效防止光生电子和空穴的复合。可以诱导出一个连续的多步骤电子转移过程，形成双S‑scheme载流子转移机制。而含有两个电子传输通道的结构更有利于光生电子的更完整的传输，这大大提高了光生载流子的分离效率，极大地提高光催化分解水制氢能力。因此，本发明提供了一种InO@SIS/CdS异质结光催化材料的制备方法，旨在利用InO@SIS/CdS三者的复合所产生的界面效应来提升异质结的光吸收能力、载流子分离效率及活性位点的数量，从而显著提高光催化活性。发明内容[0005] 本发明的目的在于提供一种三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的制备方法及其应用。[0006] 通过油浴法合成SIS纳米片和CdS量子点修饰中空In2O3纳米管的纳米复合材料。本发明所制得双S型异质结光催化剂可应用于可见光下分解水制氢气。[0007] 一种三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的制备方法，包括以下步骤：[0008] A、制备In2O3光催化剂：[0009] 将In(NO3)3·3H2O和1,4‑苯二甲酸分散在DMF中，剧烈搅拌均匀，油浴中加热110～130℃保持1～2h，优选120℃保持1.5h,自然冷却至室温，过滤、乙醇洗净，60℃干燥过夜，得到In‑MIL‑68；将得到的粉末在空气中450～550℃退火2～4h，优选500℃退火3h，加热过程的加热速率为5℃/min，得到In2O3；[0010] B、制备InO@SIS光催化剂：[0011] 依次将SnCl4·5H2O、InCl3·4H2O和硫代乙酰胺(TAA)溶于乙醇中混合均匀，再将In2O3粉末分散到所得溶液中，剧烈搅拌30分钟，油浴加热60～80℃保持2～4h，优选70℃保持3h，所得产品过滤，用乙醇洗净，真空干燥过夜得到InO@SIS；[0012] C、制备InO@SIS/CdS光催化剂：[0013] 将InO@SIS和Cd(NO3)2·4H2O分散在无水乙醇中，加入Na2S·9H2O，25℃磁力搅拌均匀，经多次洗涤，50～60℃真空干燥，制备出InO@SIS/CdS异质结光催化剂。[0014] 本发明较优公开例，步骤A中，In(NO3)3·3H2O、1,4‑苯二甲酸和DMF用量比为0.15～0.23mmol:0.29～0.43mmol:120～180mL，优选0.19mmol:0.36mmol:150mL。[0015] 本发明较优公开例，步骤B中，SnCl4·5H2O、InCl3·4H2O、TAA、In2O3和乙醇用量比为0.48～0.72mmol:2.56～3.84mmol:4.80～7.2mmol:0.04～0.06g:56～84mL，优选0.60mmol:3.20mmol:6.00mmol:0.05g:70ml。[0016] 本发明较优公开例，步骤C中，Cd(NO3)2·4H2O、Na2S·9H2O、乙醇、InO@SIS用量比为0.80～1.20mmol:0.08～0.12mmol:40～60mL:0.04～0.06g，优选1.00mmol:0.10mmol:50mL:0.05g；真空干燥时间为5～10h。[0017] 本发明还有一个目的，在于公开了所制得的三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的应用，即应用于光水解制氢。[0018] 实验室模拟光水解制氢步骤：[0019] 在玻璃气体封闭循环系统(Perfectlight，北京)中进行了光催化制氢的实验。将30mg制备的样品加入到100mL10％TEOA水溶液中，然后置于封闭的石英玻璃反应器中。脱气以消除系统中的空气后，用安装有420nm截止滤光片的灯(300WXe，Perfectlight，北京)启动反应。在照射下搅拌反应混合物。每隔1小时从容器中取出H2，在Ar(≥99.999％)气氛下，用在线气相色谱法分析产生的气体。[0020] 水解氢的量化指标：比较30mg制备的催化剂在4h内产生的H2的总演化率。[0021] 有益效果[0022] (1)本发明制备的双S型InO@SIS/CdS异质结催化剂，其制备工艺绿色简便、低廉、环保，易于规模化生产，同时该异质结具有优良的稳定性，在光催化分解水制备氢能源方面具备潜在的应用前景。[0023] (2)InO@SIS/CdS异质结催化剂增强了对可见光的利用，在可见光量子效率测试中有效地提升了太阳光利用效率。[0024] (3)InO@SIS/CdS异质结催化剂能作为性能优良的可见光光催化材料。InO@SIS的基础上再与CdS量子点耦合所产生的两个电子传输通道有利于提升光生载流子的寿命，促进光生电子空穴的分离与转移，又有效增强了复合材料的稳定性。因此，InO@SIS/CdS异质结大幅度地提高了光催化分解水的能力，在催化实际应用领域具有广阔的前景。附图说明[0025] 图1.InO@SIS/CdS异质结材料的X射线衍射图谱(XRD)；[0026] 图2.X射线光电子能谱(XPS)全谱图；[0027] 图3.异质结的形貌图，其中(a)是In2O3的透射电镜图，(b)和(c)InO@SIS的透射电镜，(d)和(e)是不同放大倍数下InO@SIS/CdS的透射电镜图，(f)是InO@SIS/CdS高分辨透射电镜图，(g)是InO@SIS/CdS的透射电镜元素映射图；[0028] 图4.所制备光催化剂的紫外‑可见吸收光谱；[0029] 图5.单体材料及复合光催化剂的阻抗图；[0030] 图6.LSV图；[0031] 图7.荧光光谱图；[0032] 图8.瞬态荧光光谱图；[0033] 图9.所制备样品在可见光照射下分解水制备氢气的氢演化率图；[0034] 图10.所制备样品在可见光照射下分解水制备氢气的平均产氢速率图；[0035] 图11.所制备样品在可见光照射下分解水制备氢气的循环实验图；[0036] 图12.InO@SIS/CdS的量子效率效果图。具体实施方式[0037] 下面结合实施例对本发明进行详细说明，以使本领域技术人员更好地理解本发明，但本发明并不局限于以下实施例。[0038] 实施例1[0039] 一种三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的制备方法，包括以下步骤：[0040] A.制备中空In2O3催化剂[0041] 0.19mmol的In(NO3)3·3H2O和0.36mmol的1,4‑苯二甲酸分散在DMF(150mL)中，在室温下剧烈搅拌1小时。然后，将混合物在油浴中加热到在120℃并保持1.5小时。自然冷却后，过滤产品，用乙醇洗涤几次，并在60℃下干燥过夜。将得到的In‑MIL‑68粉末在空气中于500℃退火3小时，加热过程的加热速度为5℃每分钟；[0042] B.制备InO@SIS催化剂[0043] 0.60mmol的SnCl4·5H2O、3.20mmol的InCl3·4H2O和6.00mmol的TAA依次溶于70mL的乙醇。然后将0.05g获得的In2O3粉末分散到所得的溶液中，并剧烈搅拌30分钟，然后通过油浴加热到70℃并保持3小时。反应后，最终产品用乙醇洗涤三次并在真空中干燥过夜。[0044] C.制备InO@SIS/CdS光催化剂[0045] 0.05gInO@SIS分散在1.00mmolCd(NO3)2·4H2O和50mL无水乙醇中，然后，引入0.10mmolNa2S·9H2O，并将溶液在25℃下磁力搅拌4小时。因此，经过多次洗涤和60℃下的干燥，制备了InO@SIS/CdS空心异质结。此外，In2O3的数量减少了一半，通过与InO@SIS/CdS相同的制备过程，得到了InO@SIS/CdS‑0.5。[0046] D.InO@SIS/CdS光催化剂应用于水解氢[0047] 在玻璃气体封闭循环系统(Perfectlight，北京)中进行了光催化制氢的实验。将30mg的InO@SIS/CdS样品加入到100mL10％TEOA水溶液中，然后置于封闭的石英玻璃反应器中。脱气以消除系统中的空气后，用安装有420nm截止滤光片的灯(300W Xe，Perfectlight，北京)启动反应。在照射下搅拌反应混合物。每隔1小时从容器中取出H2，在Ar(≥99.999％)气氛下，用在线气相色谱法分析产生的气体。产生的气体量为312.96μmol。[0048] 图1的InO@SIS/CdS异质结材料的X射线衍射图谱(XRD)中，说明了材料的成功制备；[0049] 图2的X射线光电子能谱(XPS)全谱图，进一步证明了InO@SIS/CdS的成功制备；[0050] 图3.异质结的形貌图，其中(a)是In2O3的透射电镜图，其结构为小颗粒构成的中空管状；(b)和(c)InO@SIS的透射电镜，其结构为纳米薄片包裹的中空管状；(d)和(e)是不同放大倍数下InO@SIS/CdS的透射电镜图，从图中可知超薄SIS纳米片原位生长于中空纳米管的表面，CdS量子点均匀负载于表面，无明显团聚现象；(f)是InO@SIS/CdS高分辨透射电镜图，可看出三者间形成明显异质结构；(g)是InO@SIS/CdS的透射电镜元素映射图，其中包含In、S、Sn、O、Cd五种元素，表明异质结已成功制备。[0051] 图4的所制备光催化剂的紫外‑可见吸收光谱图中，表明InO@SIS/CdS异质结的构筑能够扩大异质结材料的可见光吸收范围。[0052] 图5的单体材料及复合光催化剂的阻抗图中，InO@SIS/CdS的圆弧半径最小，表明界面电荷转移更快。[0053] 图6的LSV图中，InO@SIS/CdS的过电位最低，说明电荷转移势垒较低，从根本上更有利于制氢。[0054] 图7的荧光光谱图中，InO@SIS/CdS的PL峰强度最低，说明电子空穴对的复合率降低。[0055] 图8的瞬态荧光光谱图中，InO@SIS/CdS的载流子寿命最高，光生电子空穴分离效率更佳，因而具有更好的光催化分解水制氢能力。[0056] 从图9的氢演化率图中可知，InO@SIS/CdS在4小时内具有最高的氢演化率。[0057] 图10可知InO@SIS/CdS具有最高的平均产氢速率。[0058] 图11的可见光照射下分解水制备氢气的循环实验图中可知，在4次循环中，InO@SIS/CdS的氢演化率变化不大，表明其具有较好的稳定性。[0059] 从图12看出在420nm的单色光照射下，InO@SIS/CdSAQY效率高达9.72。[0060] 实施例2[0061] 一种三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的制备方法，包括以下步骤：[0062] A.制备中空In2O3催化剂[0063] 0.15mmol的In(NO3)3·3H2O和0.29mmol的1,4‑苯二甲酸分散在DMF(120mL)中，在室温下剧烈搅拌1小时。然后，将混合物在油浴中加热到在110℃并保持1小时。自然冷却后，过滤产品，用乙醇洗涤几次，并在60℃下干燥过夜。将得到的In‑MIL‑68粉末在空气中于450℃退火2小时，加热过程的加热速度为5℃每分钟；[0064] B.制备InO@SIS催化剂[0065] 0.48mmol的SnCl4·5H2O、2.56mmol的InCl3·4H2O和4.80mmol的TAA依次溶于56mL的乙醇。然后将0.04g获得的In2O3粉末分散到所得的溶液中，并剧烈搅拌30分钟，然后通过油浴加热到60℃并保持2小时。反应后，最终产品用乙醇洗涤三次并在真空中干燥过夜。[0066] C.制备InO@SIS/CdS光催化剂[0067] 0.04gInO@SIS分散在0.80mmolCd(NO3)2·4H2O和40mL无水乙醇中，然后，引入0.08mmolNa2S·9H2O，并将溶液在25℃下磁力搅拌4小时。因此，经过多次洗涤和60℃下的干燥，制备了InO@SIS/CdS空心异质结。此外，In2O3的数量减少了一半，通过与InO@SIS/CdS相同的制备过程，得到了InO@SIS/CdS‑0.5。[0068] D.InO@SIS/CdS光催化剂应用于水解氢[0069] 在玻璃气体封闭循环系统(Perfectlight，北京)中进行了光催化制氢的实验。将30mg的InO@SIS/CdS样品加入到100mL10％TEOA水溶液中，然后置于封闭的石英玻璃反应器中。脱气以消除系统中的空气后，用安装有420nm截止滤光片的灯(300W Xe，Perfectlight，北京)启动反应。在照射下搅拌反应混合物。每隔1小时从容器中取出H2，在Ar(≥99.999％)气氛下，用在线气相色谱法分析产生的气体。产生的气体量为280.79μmol。[0070] 实施例3[0071] 一种三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的制备方法，包括以下步骤：[0072] A.制备中空In2O3催化剂[0073] 0.23mmol的In(NO3)3·3H2O和0.43mmol的1,4‑苯二甲酸分散在DMF(180mL)中，在室温下剧烈搅拌1小时。然后，将混合物在油浴中加热到在130℃并保持2小时。自然冷却后，过滤产品，用乙醇洗涤几次，并在60℃下干燥过夜。将得到的In‑MIL‑68粉末在空气中于550℃退火4小时，加热过程的加热速度为5℃每分钟；[0074] B.制备InO@SIS催化剂[0075] 0.72mmol的SnCl4·5H2O、3.84mmol的InCl3·4H2O和7.20mmol的TAA依次溶于84mL的乙醇。然后将0.06g获得的In2O3粉末分散到所得的溶液中，并剧烈搅拌30分钟，然后通过油浴加热到80℃并保持4小时。反应后，最终产品用乙醇洗涤三次并在真空中干燥过夜。[0076] C.制备InO@SIS/CdS光催化剂[0077] 0.06gInO@SIS分散在1.20mmolCd(NO3)2·4H2O和60mL无水乙醇中，然后，引入0.12mmolNa2S·9H2O，并将溶液在25℃下磁力搅拌4小时。因此，经过多次洗涤和60℃下的干燥，制备了InO@SIS/CdS空心异质结。此外，In2O3的数量减少了一半，通过与InO@SIS/CdS相同的制备过程，得到了InO@SIS/CdS‑0.5。[0078] D.InO@SIS/CdS光催化剂应用于水解氢[0079] 在玻璃气体封闭循环系统(Perfectlight，北京)中进行了光催化制氢的实验。将30mg的InO@SIS/CdS样品加入到100mL10％TEOA水溶液中，然后置于封闭的石英玻璃反应器中。脱气以消除系统中的空气后，用安装有420nm截止滤光片的灯(300W Xe，Perfectlight，北京)启动反应。在照射下搅拌反应混合物。每隔1小时从容器中取出H2，在Ar(≥99.999％)气氛下，用在线气相色谱法分析产生的气体。产生的气体量为271.46μmol。[0080] 实施例4[0081] 一种三元In2O3@SnIn4S8/CdS异质结光催化剂的制备方法，包括以下步骤：[0082] A.制备中空In2O3催化剂[0083] 0.17mmol的In(NO3)3·3H2O和0.32mmol的1,4‑苯二甲酸分散在DMF(162mL)中，在室温下剧烈搅拌1小时。然后，将混合物在油浴中加热到在120℃并保持2小时。自然冷却后，过滤产品，用乙醇洗涤几次，并在60℃下干燥过夜。将得到的In‑MIL‑68粉末在空气中于500℃退火4小时，加热过程的加热速度为5℃每分钟；[0084] B.制备InO@SIS催化剂[0085] 0.54mmol的SnCl4·5H2O、2.88mmol的InCl3·4H2O和5.40mmol的TAA依次溶于63mL的乙醇。然后将0.05g获得的In2O3粉末分散到所得的溶液中，并剧烈搅拌30分钟，然后通过油浴加热到70℃并保持4小时。反应后，最终产品用乙醇洗涤三次并在真空中干燥过夜。[0086] C.制备InO@SIS/CdS光催化剂[0087] 0.05gInO@SIS分散在0.90mmolCd(NO3)2·4H2O和45mL无水乙醇中，然后，引入0.09mmolNa2S·9H2O，并将溶液在25℃下磁力搅拌4小时。因此，经过多次洗涤和60℃下的干燥，制备了InO@SIS/CdS空心异质结。此外，In2O3的数量减少了一半，通过与InO@SIS/CdS相同的制备过程，得到了InO@SIS/CdS‑0.5。[0088] D.InO@SIS/CdS光催化剂应用于水解氢[0089] 在玻璃气体封闭循环系统(Perfectlight，北京)中进行了光催化制氢的实验。将30mg的InO@SIS/CdS样品加入到100mL10％TEOA水溶液中，然后置于封闭的石英玻璃反应器中。脱气以消除系统中的空气后，用安装有420nm截止滤光片的灯(300W Xe，Perfectlight，北京)启动反应。在照射下搅拌反应混合物。每隔1小时从容器中取出H2，在Ar(≥99.999％)气氛下，用在线气相色谱法分析产生的气体。产生的气体量为263.76μmol。[0090] 以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

专利地区：江苏

专利申请日期：2023-03-17

专利公开日期：2024-09-03

专利公告号：CN116493024B