结构化柱电极发明专利

摘要：本发明描述一种包括分散在基底触点上的多个结构化柱的电极及其制造方法。在一个实施方式中，结构化柱是具有圆形横截面的柱状结构，并作为均匀隔开的二维阵列分散在基底表面上。优选地，结构化柱的高度、直径和间距是纳米级的，并且因此，将包括柱的电极识别为是纳米结构化柱电极。例如，可能通过使用标准光刻工艺沉积在表面模板中或者通过表面模板进行蚀刻来形成纳米结构化柱。当包含在光电装置(诸如光伏电池)中时，结构化柱电极提供许多优点。这些优点包括，通过载流子传送距离的减小和电极-光敏层界面的表面积的增加来提高电荷收集效率。这些改进有助于增加光伏装置的功率转换效率。

专利类型：发明专利

专利号：CN200980139512.3

专利申请（专利权）人：布鲁克哈文科学协会

专利发明（设计）人：南昌溶;查尔斯·T·布莱克;伊奥亚纳·R·格阿巴;乔纳森·爱德华·艾伦

主权项：一种光电装置，包括：光敏层，具有异质结；以及至少一个电极，所述电极包括导电基底和延伸至所述光敏层中的多个导电柱，所述柱分散在所述基底的表面上。

专利地区：美国