高硼硅玻璃的制备方法和高硼硅玻璃及其应用

高硼硅玻璃的制备方法和高硼硅玻璃及其应用

摘要：本发明涉及玻璃材料领域，公开了高硼硅玻璃的制备方法和高硼硅玻璃及其应用，该方法包括：将高硼硅玻璃组合物混合后依次进行熔融，成型，在550‑650℃下保温1‑4h，冷却至室温，并在680‑750℃下晶化1‑14h。由该方法获得的玻璃的最大抗弯强度能够达到96.2MPa，玻璃表面硬度能够达到8.04GPa；且在260℃和0℃冷热冲击作用下不发生开裂，高处落下多次(3次)也不发生开裂，具有明显提高的使用安全性。而且，高硼硅玻璃不生锈，也不会导致中毒等问题，特别适用于制备玻璃锅具。

专利类型：发明专利

专利申请号：CN201910127975.3

专利申请（专利权）人：佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司
权利人地址：广东省佛山市顺德区北滘镇三乐东路19号

专利发明（设计）人： 屈雪平

主权利要求:高硼硅玻璃的制备方法和高硼硅玻璃及其应用
技术领域
[0001] 本发明涉及玻璃材料领域，具体涉及高硼硅玻璃的制备方法和由该方法获得的高硼硅玻璃及其应用。

背景技术
[0002] 近年来随着人民的生活水平越来越高，对健康环保的锅具材料要求越来越高，对金属材料锅具生锈及中毒等问题日益担心，由于玻璃材料的优越性能，健康环保，应用到锅具领域越来越受到重视，但传统玻璃材料耐温及抗跌落性能较差，在150‑20℃冷热冲击容易破裂，日常使用中磕碰容易破裂，玻璃的强度和表面硬度较差。
[0003] 因此，本领域亟需解决玻璃作为锅具材料时提高玻璃材料的强度、表面硬度和抗冲击性能的问题。

发明内容
[0004] 本发明的目的是为了克服现有技术存在的玻璃材料的强度、表面硬度和抗冲击性能较低的问题，提供一种高硼硅玻璃的制备方法和由该方法获得的高硼硅玻璃，以及高硼
硅玻璃相关应用，特别是在玻璃锅具中的应用，由该方法制备得到的高硼硅玻璃具有高强
度、高表面硬度和高抗冲击性能。
[0005] 为了实现上述目的，本发明一方面提供一种高硼硅玻璃的制备方法，该方法包括：将高硼硅玻璃组合物混合后依次进行熔融，成型，在550‑650℃下保温1‑4h，冷却至室温，并在680‑750℃下晶化1‑14h。
[0006] 本发明第二方面提供了一种由上述方法制备得到的高硼硅玻璃，该高硼硅玻璃包括非晶相层和包覆所述非晶相层的微晶层。
[0007] 本发明的第三方面提供了如上述的高硼硅玻璃作为玻璃锅具的应用。
[0008] 通过上述技术方案，本发明能够获得具有高强度、高硬度和高耐冷热冲击能力的玻璃，由该方法获得的玻璃的最大抗弯强度能够达到96.2MPa，玻璃表面硬度能够达到
8.04GPa；且在260℃和0℃冷热冲击作用下不发生开裂，高处落下多次(3次)也不发生开裂，能够明显提高使用的安全性。而且，高硼硅玻璃不生锈，也不会导致中毒等问题，特别适用于制备玻璃锅具。

附图说明
[0009] 图1是本发明的玻璃的剖面示意图；
[0010] 图2是玻璃锅具的结构示意图。
[0011] 附图标记说明
[0012] 1非晶相层2微晶层
具体实施方式
[0013] 在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个
新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。
[0014] 在本发明中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上、下”通常是指参考附图所示的上、下，“内、外”是指相对于微晶层和非晶相层本身的轮廓的内、外。
[0015] 本发明的第一方面提供了一种高硼硅玻璃的制备方法，该方法包括：将高硼硅玻璃组合物混合后依次进行熔融，成型，在550‑650℃下保温1‑4h，冷却至室温，并在680‑750℃下晶化1‑14h，本发明的发明人在研究中发现，采用上述保温和晶化工艺，使得高硼硅玻璃中的微晶能够在高硼硅玻璃的表面析出，并在高硼硅玻璃表面形成一层微晶层，高硼硅
玻璃的内部为非晶相层，有效地提高了高硼硅玻璃的强度、表面硬度和抗冲击性能。
[0016] 本发明中，所述方法特别适用于具有特定硼硅含量的玻璃的制备，因此，根据本发明的一种优选实施方式，以所述高硼硅玻璃组合物的总重量为基准，所述高硼硅玻璃组合物含有以下成分：
[0017]
[0018] 本发明中，所使用的二氧化硅优选由石英砂提供，优选地情况下，以石英砂的总重量为基准，石英砂中含有的二氧化硅的量为90‑99.99重量％。更优选地情况下，以石英砂的总重量为基准，石英砂中含有的二氧化硅的量为99‑99.99重量％。
[0019] 本发明中，硼砂也即Na2B4O7·10H2O，是非常重要的含硼矿物及硼化合物，通常为含有无色晶体的白色粉末，易溶于水，受热分解后会产生氧化硼和氧化钠。
[0020] 本发明中，硅酸钠也即Na2SiO3，受热分解后会产生氧化钠和二氧化硅，特别有利于提高玻璃的热稳定性和化学稳定性。
[0021] 本发明中，硼砂受热分解分解得到的氧化硼可以降低玻璃的膨胀系数，同时提高玻璃的热稳定性和化学稳定性，但氧化硼和硅酸钠受热分解产生的二氧化硅的结构不同，
氧化硼是层状结构，二氧化硅是架状结构，所以很难形成均匀一致的熔体；硅酸钠受热会分解成氧化钠，从而提供游离的氧，使氧化硼结构从层状结构转化成架状结构，更容易与氧化硅形成均匀一致的熔体。
[0022] 本发明中，氧化锂的含量为0‑1重量％，优选为0.2‑0.8重量％，能够有效地降低玻璃材料的热膨胀系数，提高玻璃材料的抗冷热冲击性能。
[0023] 本发明中，磷酸锆的含量为0‑5重量％，优选为1‑3重量％，由于磷酸锆具有比较大的比表面积和表面电荷，良好的离子交换特性，可以进一步地降低高硼硅玻璃的热膨胀系数、提高玻璃的化学稳定性、韧性和抗跌落性能，在本发明中，磷酸锆能够有效地促进微晶的析晶，提高析晶速度，若磷酸锆含量较高，则易使微晶粒径较大，导致高硼硅玻璃的强度、硬度以及耐冲击性能降低。
[0024] 本发明的发明人在研究中还发现，所述磷酸锆与所述氧化锂具有协同作用，能够在增加二氧化硅架状结构的连接紧密程度的同时增加离子的交换能力，进而能够较大程度
的降低玻璃材料的热膨胀系数，并增加玻璃材料的化学稳定性、韧性以及抗跌落性能。
[0025] 本发明中，所述熔融可以在常规的条件下进行，在进行熔融之前还需要将高硼硅玻璃组合物(优选具有如上所述的成分的组合物)进行混合，所述熔融的条件优选包括：熔
融温度为1550‑1700℃。优选地，所述熔融的条件还包括：熔融时间为1‑3h。
[0026] 在本发明中，所述高硼硅玻璃组分中可以含有着色剂，从而能够形成具有不同颜色的锅具。
[0027] 本发明中，对所述成型的工艺没有具体限制，可以为压制成型、浇注成型或浮法成型，根据本发明一种优选地实施方式，所述成型为压制成型，例如，可以在预定形状的(不锈钢铸铁)磨具内进行压制，以获得具有预定形状的玻璃。
[0028] 本发明中，在550‑650℃下保温1‑4h后冷却至室温(意指常温常压下的环境温度，通常为10‑35℃)。保温和冷却步骤均可以直接在成型的模具中进行，也可以在脱模后放入窑炉中保温和冷却。
[0029] 本发明中，所述冷却的方式可以为自然冷却。从而能够达到最大量地生产，节约能源和时间成本，冷却至室温的时间通常大于等于15min，优选为大于等于2.5h。
[0030] 本发明中，所述晶化可以在常规晶化炉中进行，晶化结束后，可以进行冷却，冷却至室温，所述冷却可以在晶化炉中自然冷却(随炉冷却)，例如在SK‑8型(厂家为上海电子光学技术研究所)晶化炉中进行。本发明的发明人在研究中发现，当晶化温度低于680℃时很难在玻璃表面形成晶体，当晶化温度高于750℃时，玻璃中的离子迁移加快，容易发生偏析形成微晶不均匀结构，微晶之间成分不同，热膨胀系数不同而产生应力，并造成一些晶体异常长大，形成应力集中而导致玻璃强度降低。
[0031] 本发明第二方面提供了一种由上述方法制备得到的高硼硅玻璃，如图1所示，该高硼硅玻璃包括非晶相层1和包覆所述非晶相层的微晶层2。
[0032] 本发明中，以高硼硅玻璃的总重量为基准，所述微晶层2的含量为0.2‑20重量％，在本发明中，当所述微晶层2的含量处于该范围内时，能够保证微晶层2中微晶晶粒尺寸细小且分布均匀，同时有效地分散微晶层2中的应力，避免应力集中，从而能够进一步地增强高硼硅玻璃的强度、硬度以及冲击性能。
[0033] 本发明中，所述微晶层2含量通过SY/T6210‑1996的方法测得。
[0034] 本发明中，所述微晶层的定义为玻璃晶化时，微晶由高硼硅玻璃的内部向高硼硅玻璃的表面逐渐析出，在高硼硅玻璃表面形成的微晶层(高硼硅玻璃的内部的非晶相形成
非晶相层)，微晶为每颗晶粒只由几千个或几万个晶胞并置而成的晶体，且晶粒粒径为微米量级的细小晶体，至少两两之间连续接触，且以微晶层的总体积为基准，微晶层中晶体的含量在70重量％以上，剩余的为微晶层中的非晶相；非晶相层定义为原子或分子无规则排列，无周期性无对称性的结构，且以非晶相层的总体积为基准，非晶相层中晶体的含量在10重
量％以下，即，所述微晶层中含有小于30重量％的非晶相，所述非晶相中含有小于10重量％的微晶。
[0035] 相应地，在本发明中，以高硼硅玻璃的重量为基准，所述非晶相层的含量为80‑99.8重量％。
[0036] 本发明中，所述微晶层的厚度定义为：单侧的厚度，并非总厚度，例如，当测定的微晶层位于非晶相层的上表面时，单侧的厚度是指微晶层的外表面的最外面的晶粒到所在非晶相层的上表面中最接近非晶相层的微晶晶粒之间的垂直距离；或者，当测定的微晶层位
于非晶相层的下表面时，单侧的厚度是指微晶层的外表面的最外面的晶粒到所在非晶相层
的下表面中最接近非晶相层的微晶晶粒之间的垂直距离，另外需要指出的是，在测量微晶
层的厚度时非晶相层的内部的离散微晶晶粒忽略不计。
[0037] 相应地，在本发明中，所述微晶层2的厚度优选为10‑400μm(10μm、20μm、30μm、40μm、50μm、60μm、70μm、80μm、90μm、100μm、110μm、120μm、130μm、140μm、150μm、160μm、170μm、180μm、190μm、200μm、210μm、220μm、230μm、240μm、250μm、260μm、270μm、280μm、290μm、300μm、310μm、320μm、330μm、340μm、350μm、360μm、370μm、380μm、390μm、400μm或上述数值之间的任意值)，在本发明中，所述微晶层2的厚度过大，则会增加高硼硅玻璃的热膨胀系数，降低抗热冲击性能；所述微晶层2的厚度过小，则会降低高硼硅玻璃的强度、硬度以及抗冲击性能，将微晶层2的厚度控制在10‑400μm的范围内，能够保证高硼硅玻璃具有较高的综合性能。在本发明中，所述厚度通过SEM扫描电子显微镜方法测定。
[0038] 本发明中，所述非晶相层的厚度定义为最接近非晶相层的上表面的微晶晶粒到最接近非晶相层的下表面的微晶晶粒之间的垂直距离，另外需要指出的是，在测量非晶相层
的厚度时非晶相层的内部的离散微晶晶粒忽略不计。
[0039] 相应地，本发明中，所述非晶相层1的厚度优选为3500‑7000μm，更优选地，当所述非晶相层1的厚度为4200‑4800μm(4210μm、4220μm、4230μm、4240μm、4250μm、4260μm、4270μm、4280μm、4290μm、4300μm、4310μm、4320μm、4330μm、4340μm、4350μm、4360μm、4370μm、4380μm、4390μm、4400μm、4410μm、4420μm、4430μm、4440μm、4450μm、4460μm、4470μm、4480μm、4490μm、4500μm、4510μm、4520μm、4530μm、4540μm、4550μm、4560μm、4570μm、4580μm、4590μm、4600μm、4610μm、4620μm、4630μm、4640μm、4650μm、4670μm、4680μm、4690μm、4700μm、4710μm、4720μm、4730μm、4740μm、4750μm、4760μm、4780μm、4790μm或上述数值之间的任意值)时，能够保证高硼硅玻璃保证原有性能的同时，进一步提高其表面硬度、强度以及抗冲击性能，厚度通过SEM扫描电子显微镜方法测定。
[0040] 本发明中，所述非晶相层1的上下两层微晶层2的厚度和非晶相层1的厚度之和为高硼硅玻璃的总厚度，通过SEM扫描电子显微镜方法测定。
[0041] 本发明中，所述微晶层2中的微晶的晶粒直径优选为1‑4μm，将晶粒直径控制在该范围内，第一方面能够提高晶粒在微晶层2中分布的均匀性，第二方面，能够减少应力集中，减少裂纹的生成，提高高硼硅玻璃的强度，第三方面，增加了晶界比表面积，提高晶界结合力，进一步阻碍高硼硅玻璃的裂纹的生长。晶粒直径过小，则增加工艺难度，而晶粒尺寸过大，则易造成应力集中以及裂纹生成，降低强度，在本发明中，所述微晶的晶粒直径通过SEM扫描电子显微镜方法测定。
[0042] 本发明中，所述微晶层2中的微晶含量由微晶层2的外表面(不与非晶相层1接触的一面)到远离微晶层2的外表面呈逐渐减少的状态分布，即，从高硼硅玻璃中析出微晶的方
向上，所述微晶层2中的微晶的密度逐渐增大，微晶在靠近微晶层2外表面分布较多，微晶之间排布较紧密，从而在微晶层2外表面形成了致密的微晶结构，提高了微晶层2外表面的强
度。与微晶层2外表面的微晶排布的致密性相比，微晶层2内部的微晶排布的致密性相对较
低，微晶层2内部的微晶之间还分布有非晶相，可能正是由于微晶层2内部存在有微晶和非
晶相，使得微晶层2能够进一步地起到缓冲应力的作用。即，微晶层2的表面受力较多，致密的表层微晶结构能够承受较大的应力，而较为疏松的微晶层2内部则将多余的应力缓冲，从而提高了高硼硅玻璃的强度以及耐冲击性能。
[0043] 本发明的优选实施方式中，以所述高硼硅玻璃的总重量为基准，所述高硼硅玻璃含有以下成分：
[0044] 二氧化硅：75‑86重量％，
[0045] 氧化硼：7‑16重量％，
[0046] 氧化铝：1‑5重量％(优选1.5‑4.5重量％)，
[0047] 氧化锂：0‑1重量％(优选0.2‑0.8重量％)，
[0048] 氧化锆：0‑3重量％(优选0.2‑0.6重量％)，
[0049] 氧化钠：1‑6重量％(优选1.5‑6重量％)。
[0050] 根据本发明的一种实施方式，微晶层2与非晶相层1的互相接触的表面以一种非平滑(或嵌合)的方式连接在一起，当表面微晶玻璃受力时，裂纹在生长和扩展时，能反复被晶界阻止且改变方向，从而提高玻璃的强度。
[0051] 在本发明中，所述高硼硅玻璃的热膨胀系数可以为22×10‑7/℃至33×10‑7/℃，弹性模量可以为70‑80GPa，落球高度(落球是直径为63.5mm且质量约为1040g的钢球)可以为0.3‑1.5m。本发明的高硼硅玻璃在260‑0℃温度范围内的冷热冲击性良好。
[0052] 本发明的优选实施方式中，所述微晶层中2的微晶包括β‑方石英晶相、硅酸钠晶相、石英晶相、β‑霞锂石晶相和β‑锂辉石晶相中的至少一种。
[0053] 本发明中，更优选地情况下，以微晶层2的总体积为基准，所述β‑方石英晶相的含量为10‑40体积％，硅酸钠晶相的含量为6‑15体积％，石英晶相的含量为20‑30体积％，β‑霞锂石晶相的含量为1‑2体积％，β‑锂辉石晶相的含量为1‑2体积％，余量为二氧化硅非晶体，在本发明中，所述β‑方石英晶相、硅酸钠晶相、石英晶相、β‑霞锂石晶相和β‑锂辉石晶相的存在，有效地提高了高硼硅玻璃的强度、硬度和抗冲击性能。在本发明中，所述微晶层2中的晶相的体积含量通过SY/T6210‑1996的方法测得。
[0054] 本发明的第三方面提供了如上述高硼硅玻璃作为玻璃锅具的应用。如前所述，高硼硅玻璃具有不生锈，安全无毒的优势，因此特别适用于玻璃锅具。
[0055] 本发明中，对所述的锅具的具体形状和结构没有具体限定，该玻璃锅具的结构可以为本领域常规的结构。
[0056] 以下将通过实施例对本发明进行详细描述。
[0057] 以下实施例中，石英砂购自东莞玖润建筑材料有限公司，二氧化硅的含量为99.5重量％，其用量以二氧化硅计；
[0058] 高硼硅玻璃试样的组分通过GB/T14506‑2010方法测得；
[0059] 抗弯强度参数通过GB/T6569‑86方法测得；
[0060] 硬度参数通过GB/T6739‑1996方法测得；
[0061] 微晶分布情况及含量参数通过SY/T6210‑1996方法测得；
[0062] 热膨胀系数参数通过GB/T16920‑2015方法测得；
[0063] 冷热冲击性能：在260℃下放置1h，然后在0℃下放置1h，交替进行3次没有发生开裂即判定为“良好”，发生开裂则判定为“差”；
[0064] 参照GB15763.2‑2005使用落球冲击试验机测定玻璃的耐冲击性能，使用直径为63.5mm(质量约为1040g)、表面光滑的钢球从一定的高度自由落下，测试破碎时的最低高
度，单位为m；
[0065] 微晶均匀性通过SEM扫描电子显微镜观察，在每平方毫米内，微晶的的晶粒平均粒径为1‑4μm时，即为“均匀”；在每平方毫米内，微晶的晶粒平均粒径为大于4μm时，即为“不均匀”。
[0066] 实施例1
[0067] (1)根据表1的配方进行称量各组分，混匀，将混合料倒入铂铑坩埚中，置于高温炉中1700℃下保温1h，并使用铂金棒搅拌以排出气泡；
[0068] (2)将熔融好的玻璃液浇注入不锈钢铸铁磨具内，成型为规定的块状玻璃半成品；
[0069] (3)将步骤(2)中的玻璃半成品在550℃的退火炉中保温3h，关闭电源随炉冷却2h到25℃；
[0070] (4)将退火后的玻璃半成品置于晶化炉中，在680℃下晶化保温10h，关闭电源随炉冷却到25℃，得到玻璃制品。
[0071] (5)将玻璃制品进行切割、研磨、抛光，然后用去离子水清洗干净并烘干，制得玻璃的测试试样(厚度在5mm左右，使用SEM扫描电子显微镜测定)，其剖面结构如图1所示，由该玻璃制成的玻璃锅具的结构如图2所示。
[0072] 对测试试样的成分含量和各种性能进行测定，结果见下表1和表3。
[0073] 实施例2
[0074] (1)根据表1的配方进行称量各组分，混匀，将混合料倒入铂铑坩埚中，置于高温炉中1550℃下保温2h，并使用铂金棒搅拌以排出气泡；
[0075] (2)将熔融好的玻璃液浇注入不锈钢铸铁磨具内，成型为规定的块状玻璃半成品；
[0076] (3)将步骤(2)中的玻璃半成品在650℃的退火炉中保温1小时，关闭电源随炉冷却3h到25℃；
[0077] (4)将退火后的玻璃半成品置于晶化炉中，在750℃下晶化保温1h，关闭电源随炉冷却到25℃，得到玻璃制品。
[0078] (5)将玻璃制品进行切割、研磨、抛光，然后用去离子水清洗干净并烘干，制得玻璃的测试试样(厚度在5mm左右，使用SEM扫描电子显微镜测定)。
[0079] 对测试试样的成分含量和各种性能进行测定，结果见下表1和表3。
[0080] 实施例3
[0081] (1)根据表1的配方进行称量各组分，混匀，将混合料倒入铂铑坩埚中，置于高温炉中1680℃下保温3h，并使用铂金棒搅拌以排出气泡；
[0082] (2)将熔融好的玻璃液浇注入不锈钢铸铁磨具内，成型为规定的块状玻璃半成品；
[0083] (3)将步骤(2)中的玻璃半成品在600℃的退火炉中保温4小时，关闭电源随炉冷却1h到25℃；
[0084] (4)将退火后的玻璃半成品置于晶化炉中，在720℃下晶化保温14h，关闭电源随炉冷却到25℃，得到玻璃制品。
[0085] (5)将玻璃制品进行切割、研磨、抛光，然后用去离子水清洗干净并烘干，制得玻璃的测试试样(厚度在0.5mm左右，使用SEM扫描电子显微镜测定)。
[0086] 对测试试样的成分含量和各种性能进行测定，结果见下表1和表3。
[0087] 实施例4
[0088] 按照实施例1的方法，不同的是，高硼硅玻璃组合物的加入量不同，结果见下表1和表3。
[0089] 实施例5
[0090] 按照实施例1的方法，不同的是，高硼硅玻璃组合物中硅酸钠的加入量为6重量％，氧化锂的加入量为1重量％，结果见下表1和表3。
[0091] 对比例1
[0092] 按照实施例1的方法，不同的是，玻璃制品的制作过程中晶化温度为550℃。结果如表2和表3所示。
[0093] 对比例2
[0094] 按照实施例1的方法，不同的是，玻璃制品的制作过程中晶化温度为800℃。结果如表2和表3所示。
[0095] 对比例3
[0096] 按照实施例1的方法，不同的是，玻璃制品的制作过程中未经晶化处理。结果如表2和表3所示。
[0097] 对比例4
[0098] 按照实施例1的方法，不同的是，先将得到的玻璃半成品进行晶化再退火，其中，晶化温度分为三个阶段：第一阶段在750℃下晶化200min；第二阶段在820℃下晶化200min；第三阶段在1050℃下晶化60min；其中，退火分为两个阶段：第一阶段在750℃下热处理60min；第二阶段在650℃下热处理60min。结果如表2和表3所示。
[0099] 对比例5
[0100] 按照实施例1的方法，不同的是，将退火后的玻璃半成品先进行核化再进行晶化。核化的条件为：升温速率4℃/min，在温度为600℃下核化2h；晶化条件为：在800℃下晶化
2h，降温速率为15℃/min。结果如表2和表3所示。
[0101] 对比例6
[0102] 按照实施例1的方法，不同的是，步骤(3)中保温的温度为700℃，步骤(4)中晶化的温度为650℃。结果如表2和表3所示。
[0103] 表1
[0104]
[0105]
[0106] 表2
[0107]
[0108]
[0109] 表3
[0110]
[0111] 结合表1、表2和表3，首先，优选地实施方式(实施例1‑3)中，制得的高硼硅玻璃的微晶含量高且均匀，并且高硼硅玻璃具有明显更好的抗弯强度、表面硬度和抗冲击性能；
[0112] 其次，由实施例1和实施例5可以看出，本发明中的氧化锂的含量在0.2‑0.8重量％时，能够有效地降低高硼硅玻璃的热膨胀系数；
[0113] 进一步地，由实施例1和对比例1‑6可以看出，本发明所述的高硼硅玻璃的制备方法，使得高硼硅玻璃中的微晶能够在高硼硅玻璃的表面析出，并在高硼硅玻璃表面形成一
层微晶层，高硼硅玻璃的内部为非晶相层，有效地提高了高硼硅玻璃的强度、表面硬度和抗冲击性能。
[0114] 以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于此。在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，包括各个技术特征以任何其它的合适方式进行组合，这些简单变型和组合同样应当视为本发明所公开的内容，均属于
本发明的保护范围。

专利地区：广东

专利申请日期：2019-02-21

专利公开日期：2022-12-27

专利公告号：CN111592226B