一种低辐射玻璃发明专利

一种低辐射玻璃

摘要：本发明公开了一种低辐射玻璃，低辐射玻璃包括玻璃基片以及镀膜层，其中，镀膜层自玻璃基片以上依次包括第一Si3N4层、第一SiAlN层、第一TiO2层、第一AgCu层、第二AgCu层、第一Ag层、第三AgCu层、第二TiO2层、第二SiAlN层以及第二Si3N4层。本发明膜层结构相对简单，氧化物靶材使用不频繁，从而降低了玻璃成本和工艺复杂度，同时提升了产品合格率。同时，本发明的低辐射玻璃具有相对较好的性能，使得本发明的玻璃具备较强的市场竞争力。

专利类型：发明专利

专利申请号：CN202110513226.1

专利申请（专利权）人：中建材(内江)玻璃高新技术有限公司
权利人地址：四川省内江市资中县水南镇凤翔东路2号

专利发明（设计）人：谭兴刚,王波,余洪书,刘文体,曾敏俊,曾涛,陈建,何磊

主权利要求:一种低辐射玻璃
技术领域
[0001] 本发明是关于环保技术领域，特别是关于一种低辐射玻璃。
背景技术
[0002] 随着资源消耗的加剧，节能环保是当前的热门话题。低辐射玻璃由于具有较低的辐射率和较高的透光率，从而受到业界关注。
[0003] 现有技术CN108218253B公开了一种高透可钢化三银Low‑E玻璃及其制备方法，该玻璃包括玻璃基板，玻璃基板顶面由下至上依次层叠有十六个膜层。以申请人的研究结果表明，该型玻璃结构复杂，制备成本高，在同等成本条件下，该型玻璃性能并未达到最优。
[0004] 现有技术CN104742446B公开了一种高透高反高效节能单银Low‑E镀膜玻璃。本发明是在自基片玻璃向外依次设置第一电介质层、第二电介质层、Ag层、保护层、第三电介质层、第四电介质层，其中第一电介质层为SiAlNx，第二电介质层为ZnAlOx，保护层为Ti，第三电介质层为ZnAlOx，第四电介质层为SiAlNx。该型玻璃虽然结构简单，但是该现有技术完全没有公开各个电介质层的具体组成，并且该现有技术没有公开具体的磁控溅射工艺，导致业界使用该型玻璃的困难。
[0005] 现有技术CN104354393B公开了一种可钢化低辐射镀膜玻璃，该型玻璃基本上是由氧化物、氮氧化物为基础设计玻璃镀层。该型玻璃的靶材制备存在较大困难，如果使用反应溅射方法制备该型玻璃，那么玻璃成品性能不容易稳定。
[0006] 现有技术CN104786591B公开一种低辐射镀膜玻璃，包括至少一层含有银或银合金的功能层，其特征在于，还包括至少一层AgCu合金阻挡层。申请人发现，该型玻璃阻挡层设计尚未达到最优，此外，该型玻璃制备方法复杂，不能使用同一种方法制备多个层，这样导致玻璃生产速度较慢。
[0007] 公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
发明内容
[0008] 本发明的目的在于提供一种低辐射玻璃，其能够克服现有技术的缺陷。
[0009] 为实现上述目的，本发明提供了一种低辐射玻璃，其特征在于，低辐射玻璃包括玻璃基片以及镀膜层，其中，镀膜层自玻璃基片以上依次包括第一Si3N4层、第一SiAlN层、第一TiO2层、第一AgCu层、第二AgCu层、第一Ag层、第三AgCu层、第二TiO2层、第二SiAlN层以及第二Si3N4层。
[0010] 在一优选的实施方式中，第一Si3N4层的厚度为15‑18nm，其中，第一Si3N4层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为50‑100V，溅射功率为50‑100W，氩气流量为50‑100sccm，溅射靶材为Si3N4靶材。

[0011] 在一优选的实施方式中，第一SiAlN层的厚度为10‑15nm，其中，第一SiAlN层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为60‑120V，溅射功率为80‑140W，氩气流量为20‑30sccm，溅射靶材为SiAl靶材与Si3N4靶材的混合靶材，其中，SiAl靶材中Si与Al的原子百分比为80:20‑70:30，其中，SiAl靶材与Si3N4靶材的质量百分比为1:2‑1:3。

[0012] 在一优选的实施方式中，第一TiO2层的厚度为15‑25nm，其中，第一TiO2层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为50‑100V，溅射功率为60‑120W，氩气流量为30‑40sccm，溅射靶材为TiO2靶材，第二TiO2层的厚度为15‑25nm，其中，第二TiO2层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为50‑100V，溅射功率为60‑120W，氩气流量为30‑
40sccm，溅射靶材为TiO2靶材。

[0013] 在一优选的实施方式中，第一AgCu层的厚度为3‑5nm，其中，第一AgCu层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为50‑100V，溅射功率为60‑120W，氩气流量为30‑40sccm，溅射靶材为第一AgCu靶材，其中，第一AgCu靶材中Ag与Cu的原子百分比为30:70‑
40:60。

[0014] 在一优选的实施方式中，第二AgCu层的厚度为6‑8nm，其中，第二AgCu层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为40‑80V，溅射功率为70‑100W，氩气流量为20‑30sccm，溅射靶材为第二AgCu靶材，其中，第二AgCu靶材中Ag与Cu的原子百分比为70:30‑
60:40。

[0015] 在一优选的实施方式中，第一Ag层的厚度为7‑10nm，其中，第一Ag层是由直流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为40‑80V，溅射功率为30‑60W，氩气流量为10‑20sccm，溅射靶材为Ag靶材。
[0016] 在一优选的实施方式中，第三AgCu层的厚度为7‑10nm，其中，第三AgCu层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为50‑100V，溅射功率为100‑150W，氩气流量为40‑50sccm，溅射靶材为第三AgCu靶材，其中，第三AgCu靶材中Ag与Cu的原子百分比为45:55‑
55:45。

[0017] 在一优选的实施方式中，第二SiAlN层的厚度为10‑15nm，其中，第二SiAlN层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为50‑100V，溅射功率为70‑100W，氩气流量为20‑30sccm，溅射靶材为SiAl靶材与Si3N4靶材的混合靶材，其中，SiAl靶材中Si与Al的原子百分比为60:40‑50:50，其中，SiAl靶材与Si3N4靶材的质量百分比为1:2‑1:3。

[0018] 在一优选的实施方式中，第二Si3N4层的厚度为20‑25nm，其中，第二Si3N4层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为50‑100V，溅射功率为50‑100W，氩气流量为20‑30sccm，溅射靶材为Si3N4靶材。

[0019] 与现有技术相比，本发明具有如下优点，针对现有技术的缺陷，本发明提出了一种新型的低辐射玻璃。相对于背景技术，本发明膜层结构相对简单，氧化物靶材使用不频繁，从而降低了玻璃成本和工艺复杂度，同时提升了产品合格率。本发明的制备工艺方法统一无需频繁变更电源工作状态，提高了生产效率。同时，本发明的低辐射玻璃具有相对较好的性能，使得本发明的玻璃具备较强的市场竞争力。
附图说明
[0020] 图1是根据本发明一实施方式的玻璃结构示意图。
[0021] 图2是根据本发明一实施方式的部分层结构的高分辨透射电镜照片。
[0022] 图3是根据本发明一实施方式的部分层结构的高分辨透射电镜照片。
具体实施方式
[0023] 下面结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施方式的限制。
[0024] 除非另有其它明确表示，否则在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分，而并未排除其它元件或其它组成部分。本申请使用的靶材可以在市面上购买，市面上购买不到的非标准靶材可以委托冶金公司订做(通过粉末冶金以及熔炼工艺制备)，例如北京有色金属研究院下属公司就承接相关非标准靶材的订做业务，只需要将相关靶材的要求、组分告知相关公司，相关公司即可制备对应靶材。本发明使用的交流溅射电源频率可以是35kHz‑40kHz，电源频率不显著影响实验结果，为了保证实施例与对比例的可比性，本申请实施例与对比例的制备过程中，电源频率都设置为40kHz，但是该电源频率不构成对于本申请保护范围的限定。本申请的可见光透光率(以后简称透光率)、遮阳系数(也称为遮蔽系数)、传热系数(夏季白天)的测试方法均与现有技术CN104742446B保持一致，具体测试方法申请人不再重复，任何人不知晓相关测试方法均可以联系杭州电子科技大学相关课题组询问。
[0025] 图2是根据本发明一实施方式的部分层结构的高分辨透射电镜照片。由于视野限制，图2仅示出了根据实施例2制备的镀膜玻璃的部分层结构(第二TiO2层以及第二SiAlN层)。
[0026] 图3是根据本发明一实施方式的部分层结构的高分辨透射电镜照片。由于视野限制，图3仅示出了根据实施例3制备的镀膜玻璃的部分层结构(第一TiO2层)。图中第一TiO2层左侧是第一SiAlN层，右侧是第一AgCu层。
[0027] 实施例1
[0028] 低辐射玻璃包括玻璃基片以及镀膜层，其中，镀膜层自玻璃基片以上依次包括第一Si3N4层、第一SiAlN层、第一TiO2层、第一AgCu层、第二AgCu层、第一Ag层、第三AgCu层、第二TiO2层、第二SiAlN层以及第二Si3N4层。
[0029] 第一Si3N4层的厚度为15nm，其中，第一Si3N4层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为50V，溅射功率为50W，氩气流量为50sccm，溅射靶材为Si3N4靶材。
[0030] 第一SiAlN层的厚度为10nm，其中，第一SiAlN层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为60V，溅射功率为80W，氩气流量为20sccm，溅射靶材为SiAl靶材与Si3N4靶材的混合靶材，其中，SiAl靶材中Si与Al的原子百分比为80:20，其中，SiAl靶材与Si3N4靶材的质量百分比为1:2。
[0031] 第一TiO2层的厚度为15nm，其中，第一TiO2层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为50V，溅射功率为60W，氩气流量为30sccm，溅射靶材为TiO2靶材，第二TiO2层的厚度为15nm，其中，第二TiO2层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为50V，溅射功率为60W，氩气流量为30sccm，溅射靶材为TiO2靶材。
[0032] 第一AgCu层的厚度为3nm，其中，第一AgCu层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为50V，溅射功率为60W，氩气流量为30sccm，溅射靶材为第一AgCu靶材，其中，第一AgCu靶材中Ag与Cu的原子百分比为30:70。
[0033] 第二AgCu层的厚度为6nm，其中，第二AgCu层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为40V，溅射功率为70W，氩气流量为20sccm，溅射靶材为第二AgCu靶材，其中，第二AgCu靶材中Ag与Cu的原子百分比为70:30。
[0034] 第一Ag层的厚度为7nm，其中，第一Ag层是由直流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为40V，溅射功率为30W，氩气流量为10sccm，溅射靶材为Ag靶材。
[0035] 第三AgCu层的厚度为7nm，其中，第三AgCu层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为50V，溅射功率为100W，氩气流量为40sccm，溅射靶材为第三AgCu靶材，其中，第三AgCu靶材中Ag与Cu的原子百分比为45:55。
[0036] 第二SiAlN层的厚度为10nm，其中，第二SiAlN层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为50V，溅射功率为70W，氩气流量为20sccm，溅射靶材为SiAl靶材与Si3N4靶材的混合靶材，其中，SiAl靶材中Si与Al的原子百分比为60:40，其中，SiAl靶材与Si3N4靶材的质量百分比为1:2。
[0037] 第二Si3N4层的厚度为20nm，其中，第二Si3N4层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为50V，溅射功率为50W，氩气流量为20sccm，溅射靶材为Si3N4靶材。
[0038] 实施例1的透光率约65％、遮阳系数0.42、传热系数1.52(单位为W/m2·K)。
[0039] 实施例2
[0040] 低辐射玻璃包括玻璃基片以及镀膜层，其中，镀膜层自玻璃基片以上依次包括第一Si3N4层、第一SiAlN层、第一TiO2层、第一AgCu层、第二AgCu层、第一Ag层、第三AgCu层、第二TiO2层、第二SiAlN层以及第二Si3N4层。
[0041] 第一Si3N4层的厚度为18nm，其中，第一Si3N4层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为100V，溅射功率为100W，氩气流量为100sccm，溅射靶材为Si3N4靶材。
[0042] 第一SiAlN层的厚度为15nm，其中，第一SiAlN层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为120V，溅射功率为140W，氩气流量为30sccm，溅射靶材为SiAl靶材与Si3N4靶材的混合靶材，其中，SiAl靶材中Si与Al的原子百分比为70:30，其中，SiAl靶材与Si3N4靶材的质量百分比为1:3。
[0043] 第一TiO2层的厚度为25nm，其中，第一TiO2层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为100V，溅射功率为120W，氩气流量为40sccm，溅射靶材为TiO2靶材，第二TiO2层的厚度为25nm，其中，第二TiO2层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为100V，溅射功率为120W，氩气流量为40sccm，溅射靶材为TiO2靶材。
[0044] 第一AgCu层的厚度为5nm，其中，第一AgCu层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为100V，溅射功率为120W，氩气流量为40sccm，溅射靶材为第一AgCu靶材，其中，第一AgCu靶材中Ag与Cu的原子百分比为40:60。
[0045] 第二AgCu层的厚度为8nm，其中，第二AgCu层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为80V，溅射功率为100W，氩气流量为30sccm，溅射靶材为第二AgCu靶材，其中，第二AgCu靶材中Ag与Cu的原子百分比为60:40。
[0046] 第一Ag层的厚度为10nm，其中，第一Ag层是由直流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为80V，溅射功率为60W，氩气流量为20sccm，溅射靶材为Ag靶材。
[0047] 第三AgCu层的厚度为10nm，其中，第三AgCu层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为100V，溅射功率为150W，氩气流量为50sccm，溅射靶材为第三AgCu靶材，其中，第三AgCu靶材中Ag与Cu的原子百分比为55:45。
[0048] 第二SiAlN层的厚度为15nm，其中，第二SiAlN层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为100V，溅射功率为100W，氩气流量为30sccm，溅射靶材为SiAl靶材与Si3N4靶材的混合靶材，其中，SiAl靶材中Si与Al的原子百分比为50:50，其中，SiAl靶材与Si3N4靶材的质量百分比为1:3。
[0049] 第二Si3N4层的厚度为25nm，其中，第二Si3N4层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为100V，溅射功率为100W，氩气流量为30sccm，溅射靶材为Si3N4靶材。
[0050] 实施例2的透光率约61％、遮阳系数0.38、传热系数1.50(单位为W/m2·K)。
[0051] 实施例3
[0052] 低辐射玻璃包括玻璃基片以及镀膜层，其中，镀膜层自玻璃基片以上依次包括第一Si3N4层、第一SiAlN层、第一TiO2层、第一AgCu层、第二AgCu层、第一Ag层、第三AgCu层、第二TiO2层、第二SiAlN层以及第二Si3N4层。
[0053] 第一Si3N4层的厚度为16nm，其中，第一Si3N4层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为70V，溅射功率为70W，氩气流量为70sccm，溅射靶材为Si3N4靶材。
[0054] 第一SiAlN层的厚度为12nm，其中，第一SiAlN层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为100V，溅射功率为100W，氩气流量为25sccm，溅射靶材为SiAl靶材与Si3N4靶材的混合靶材，其中，SiAl靶材中Si与Al的原子百分比为70:30，其中，SiAl靶材与Si3N4靶材的质量百分比为1:2.5。
[0055] 第一TiO2层的厚度为20nm，其中，第一TiO2层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为70V，溅射功率为90W，氩气流量为35sccm，溅射靶材为TiO2靶材，第二TiO2层的厚度为20nm，其中，第二TiO2层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为70V，溅射功率为90W，氩气流量为35sccm，溅射靶材为TiO2靶材。
[0056] 第一AgCu层的厚度为4nm，其中，第一AgCu层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为70V，溅射功率为90W，氩气流量为35sccm，溅射靶材为第一AgCu靶材，其中，第一AgCu靶材中Ag与Cu的原子百分比为40:60。
[0057] 第二AgCu层的厚度为7nm，其中，第二AgCu层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为60V，溅射功率为90W，氩气流量为25sccm，溅射靶材为第二AgCu靶材，其中，第二AgCu靶材中Ag与Cu的原子百分比为60:40。
[0058] 第一Ag层的厚度为8nm，其中，第一Ag层是由直流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为60V，溅射功率为50W，氩气流量为15sccm，溅射靶材为Ag靶材。
[0059] 第三AgCu层的厚度为8nm，其中，第三AgCu层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为70V，溅射功率为120W，氩气流量为45sccm，溅射靶材为第三AgCu靶材，其中，第三AgCu靶材中Ag与Cu的原子百分比为55:45。
[0060] 第二SiAlN层的厚度为12nm，其中，第二SiAlN层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为70V，溅射功率为80W，氩气流量为25sccm，溅射靶材为SiAl靶材与Si3N4靶材的混合靶材，其中，SiAl靶材中Si与Al的原子百分比为50:50，其中，SiAl靶材与Si3N4靶材的质量百分比为1:2.5。
[0061] 第二Si3N4层的厚度为22nm，其中，第二Si3N4层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为70V，溅射功率为70W，氩气流量为25sccm，溅射靶材为Si3N4靶材。
[0062] 实施例3的透光率约63％、遮阳系数0.38、传热系数1.52(单位为W/m2·K)。
[0063] 对比例1
[0064] 将实施例1中的第一AgCu层替换为Ag层且厚度不变、第二AgCu层替换为Ag层且厚度不变以及第三AgCu层替换为Ag层且厚度不变，Ag层制备方法参见实施例1。其余参数工艺2
同实施例1。对比例1的透光率约55％、遮阳系数0.48、传热系数1.60(单位为W/m·K)。就申请人推理，对比例1相对于实施例1性能下降的主要原因在于，由于缺少AgCu层的过渡，Ag层与二氧化钛层之间存在严重的界面缺陷，这导致光传播能力的下降，同时由于缺陷存在，与形成晶体生长良好的镀膜玻璃相比，生长存在较多缺陷的Ag层无法完全起到“低辐射”的作用。

[0065] 对比例2
[0066] 镀膜层自玻璃基片以上依次包括第一Si3N4层、第一TiO2层、第二AgCu层、第一Ag层、第三AgCu层以及第二Si3N4层。其余参数工艺同实施例1。对比例2的透光率约70％、遮阳2
系数0.49、传热系数1.61(单位为W/m·K)。透光率上升是由于膜层层数减少，厚度降低导致。遮阳系数以及传热系数的变劣可能部分由于缺少第一AgCu层导致，还有部分是由于缺少SiAlN层导致。

[0067] 对比例3
[0068] 镀膜层自玻璃基片以上依次包括第一Si3N4层、第一SiAlN层、第一TiO2层、第一AgCu层、第二AgCu层、第一Ag层、第三AgCu层、第四AgCu层、第五AgCu层、第二TiO2层、第二SiAlN层以及第二Si3N4层。第四AgCu层、第五AgCu层的厚度同第三AgCu层，并且制备工艺同于第三AgCu层。其余参数工艺同实施例1。对比例3的透光率约51％、遮阳系数0.41、传热系2
数1.51(单位为W/m·K)。

[0069] 对比例4
[0070] 第一Si3N4层的厚度为35nm，其中，第一Si3N4层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为200V，溅射功率为300W，氩气流量为100sccm，溅射靶材为Si3N4靶材。第一SiAlN层的厚度为25nm，其中，第一SiAlN层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为150V，溅射功率为200W，氩气流量为50sccm，溅射靶材为SiAl靶材与Si3N4靶材的混合靶材，其中，SiAl靶材中Si与Al的原子百分比为50：50，其中，SiAl靶材与Si3N4靶材的质量百分比为1：1。其余参数工艺同实施例1。对比例4的透光率约63％、遮阳系数0.49、传热系数1.582
(单位为W/m·K)。

[0071] 对比例5
[0072] 第一AgCu层的厚度为1nm，其中，第一AgCu层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为150V，溅射功率为150W，氩气流量为50sccm，溅射靶材为第一AgCu靶材，其中，第一AgCu靶材中Ag与Cu的原子百分比为1:1。第二AgCu层的厚度为3nm，其中，第二AgCu层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为100V，溅射功率为150W，氩气流量为50sccm，溅射靶材为第二AgCu靶材，其中，第二AgCu靶材中Ag与Cu的原子百分比为1:1。其余参数工艺2
同实施例1。对比例5的透光率约65％、遮阳系数0.47、传热系数1.62(单位为W/m·K)。

[0073] 对比例6
[0074] 第二SiAlN层的厚度为35nm，其中，第二SiAlN层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为150V，溅射功率为150W，氩气流量为50sccm，溅射靶材为SiAl靶材与Si3N4靶材的混合靶材，其中，SiAl靶材中Si与Al的原子百分比为90:10，其中，SiAl靶材与Si3N4靶材的质量百分比为1:1。第二Si3N4层的厚度为35nm，其中，第二Si3N4层是由交流磁控溅射方法制备的，其中，溅射电压为150V，溅射功率为150W，氩气流量为50sccm，溅射靶材为Si3N4靶材。其余参数工艺同实施例1。对比例6的透光率约62％、遮阳系数0.48、传热系数1.59(单位2
为W/m·K)。

[0075] 对比例7
[0076] 向CN104742446B申请人单位购买其根据专利方法制备的低辐射玻璃产品(本领域技术人员应当理解的是，本申请的申请人只能购买到对方声称是专利产品的玻璃，我方测试数据与相关中国专利存在一定偏差是无法避免的)。对比例7的透光率约59％、遮阳系数2
0.45、传热系数1.59(单位为W/m·K)。

[0077] 对比例8
[0078] 向CN108218253B申请人单位购买其根据专利方法制备的低辐射玻璃产品(本领域技术人员应当理解的是，本申请的申请人只能购买到对方声称是专利产品的玻璃，我方测试数据与相关中国专利存在一定偏差是无法避免的)。对比例8的透光率约60％、遮阳系数2
0.46、传热系数1.62(单位为W/m·K)。

[0079] 前述对本发明的具体示例性实施方案的描述是为了说明和例证的目的。这些描述并非想将本发明限定为所公开的精确形式，并且很显然，根据上述教导，可以进行很多改变和变化。对示例性实施例进行选择和描述的目的在于解释本发明的特定原理及其实际应用，从而使得本领域的技术人员能够实现并利用本发明的各种不同的示例性实施方案以及各种不同的选择和改变。本发明的范围意在由权利要求书及其等同形式所限定。

专利地区：四川

专利申请日期：2021-05-11

专利公开日期：2022-12-06

专利公告号：CN113149461B